配置一个最佳的RF/微波开关系统

随着通信业的高速增长,组成这些不同通信系统的各种　元器件的测试量也随之有了巨大增长。这些产品的测试要求　和步骤均有较大的不同,所有的测试必须在非常高的频率　（GHz以上）下进行。一套典型的测试系统主要包括DC基准　电压、DC测量、RF功率计、网络分析仪等。将测试过程自　动化以及改善测试效率要求将RF/微波以及低频开关系统融　入到测试系统中。 开关的目的是将信号从测量仪器传输至待测设备（DUT）中。使用开关,一台仪器能够测量多个DUT,多台　仪器也可以通过开关测试一个DUT,或者多个仪器测试多个　DUT。因此开关系统的使用能够自动地执行测试过程。　 本文简要讨论了配置一个高频开关系统的几个重要方     

微波电路的MEMS天关进展

开关是微波信号变换的关键元件,和传统的半导体开关相比,射频微机电系统（RF MEMS）开关具有优良的高频特性和固有的重量轻、尺寸小、低功耗等优点,而且其制作工艺和传统的CMOS工艺相兼容。本文较为详细地了串联悬臂梁开关、并联悬臂梁开关和膜开关的工作原理及典型的性能参数。由于其优越的微小特性,MEMS开关已在许多电路和系统中,包括微波前端电路、数字电容器组和移相网络中得到应用。     

自动测试系统中的射频与微波开关

电子信息技术快速发展,射频、微波设备的应用日渐广泛,在航空航天、消费电子等领域中得到了很好的应用。随之而来的,测试系统中的应用射频和微波特性测试的仪器也实现了良好的发展和进步。新型的自动测试系统中,射频和微波开关产品是极具特点的,其结构、功能以及器件原理都有自身的特点。本文就自动测试系统中的射频与微波开关进行简要的阐述与分析。     

一种大功率微波开关原位检查仪设计

任务系统保障效率是提升装备完好性,提高装备战斗力的重要一环.设计了一种大功率微波开关原位检查仪.实装测试证明,该检查仪可以完成某型任务系统60余个大功率微波开关原位性能检查,极大地节约了人力资源,缩短了检测时间,提高了检测效率.     

RF MEMS开关的研究进展及其应用北大核心

射频微电子机械系统（RF MEMS）开关是射频电子系统中的关键器件,首先简要介绍了RF MEMS开关的结构特点及分类方式,综述了RF MEMS开关的发展现状,列举了国内著名科研机构具有代表性的成果,并对比了其结构特点及性能参数,指出国内RF MEMS开关正向着小体积、宽频化、低驱动电压、高性能指标的方向发展。此外,还阐述了RF MEMS开关在多位移相器、可调滤波器、可重构天线等方面的应用,其在与多器件的集成和联合运用中潜力巨大。最后,分析了现有的RF MEMS开关的发展瓶颈,并展望了其以设计新结构、探寻新材料、探索新工艺、多种驱动方式相结合、多器件相集成为未来发展新方向。研发制作新的RF MEMS开关及其功能系统必将会对射频微波领域造成巨大影响。     

高隔离度宽频段组合式RF-MEMS开关的设计

接触式与电容耦合式两类RF MEMS开关各自在一定的频段内,都具有较高的隔离度,但仍然很难满足微波控制系统中对高隔离度的要求.为了获得全波段高隔离度RF MEMS开关,单元开关很难达到要求,在此目标要求下,提出了组合式RF MEMS开关的设计,分别利用HFSS软件对各单元进行结构参数优化,再将两者集成在一起,得到的组合式RF MEMS开关,这种组合式开关在0～20 GHz时隔离度都高于-60 dB,在(≤5 GHz),隔离度高于-70 dB,这是一般单元开关及其他半导体固态开关所无法企及的,而且,在DC～20 GHz范围内,开关的插入损耗小于-0.20 dB,而且并没因隔离度的提高,牺牲了插入损耗.     

反射型GaAs光控微波开关

对反射型ＧａＡｓ光控微波开关的结构、实验系统和特性参量进行了研究。实验测出该微波开关的插入损耗低于１ｄＢ，隔离度达到３０ｄＢ。用５０ｎｓ光脉冲照射开关，其开关速度小于１０ｎｓ。     

兼作通用RF开关驱动器的差分驱动器

被设计成12位ADC用高速驱动器的AD8137．能控制SPDT GaAs(砷化镓)FET-MMIC(微波单片集成电路)开关和PIN二极管射频(RF)开关，因而是常规开关驱动器的廉价而又通用的替代品。这种电路的典型开关速度约为7～11ns，其中包括驱动器和RF负载的传播时延。     

基于砷化镓衬底的RF MEMS膜开关

射频微机械开关由于其优越的高频特性在微波和毫米波电路中表现出巨大的应用前景.但是目前的微机械开关都是制作在硅基衬底上的,难于与后面的高频砷化镓处理电路相集成.本文介绍了基于砷化镓衬底的RF MEMS膜开关,着重介绍了开关的工作原理、制作过程和测试结果.     

多晶硅衬底上的RF MEMS开关

在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RF MEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RF MEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RF MEMS微机械开关的下拉电压.用TE2819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0.32pF、6pF和25V.用HP8753C网络分析仪对RF MEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RF MEMS微机械开关在频率1.5GHz下关态的隔离度为35dB,开态的插入损耗为2dB,用示波器测得该开关的开关速度为3μs.     

微波功率管特征参数测试

由于大功率全固态电子设备在体积、性能和可靠性方面的优势,微波功率管将逐步取代行波管在雷达发射机中的核心地位。随着微波功率管的大量应用,正确的测试和评价功率管性能已经显得迫切。微波功率管的特性参数包括直流和射频两部分,直流参数包括:反向击穿电压、反向漏电流和直流增益;射频参数包括:输出功率、增益、顶降、集电极效率、反射系数、1 dB过激励输出功率和抗适配等。文中对微波功率管的特征参数先从理论上阐述,然后结合DC和RF测试平台详细描述了各个特征参数的测试,得出测试结果,并对测试结果进行分析。     

快速GaAs光控微波开关参量的研究

本文对ＧａＡｓ衬底边缘照射微带型线型光控微波开关进行了开关的结构参数设计，对开关的插入损耗和隔离度进行分析计算，并进一步讨论了频率响应及其光脉冲能量对开关隔离度的影响。     

双膜桥微波MEMS开关

介绍了一种双膜桥微波MEMS开关，给出了开关的设计与优化方法，建立了开关的仿真模型，使用硅表面微机械工艺制造了双膜桥开关样品，其主要结构为硅衬底上制作CPW金属传输线电极和介质层，然后制作具有微电感结构的金属膜桥，提高了开关隔离度。利用HFSS软件仿真的结果表明，该开关在微波低频段(3～6GHz)有着很好的隔离性能。研制的开关样品在片测试的电性能指标为：插损小于0．3dB，隔离度大于40dB，驱动电压小于24V。     

一类新型微波开关的动力学理论

本文根据微波在Fabry-Perot腔内与微波非线性介质的相互作用机理,得到了双稳态的透射输出特性,利用这一特性可以用来制成一类全新的快速本征型微波开关。进一步,讨论了腔内微波的简并四波混频,得到了相应入射微波信号的反射共轭波,该波受泵浦波的控制,由此可以制成一类微波控开关。     

一种基于Au-TiW触点的提高RF MEMS开关寿命的方法

针对基于Au-Au触点的射频微电子机械系统(RF MEMS)开关寿命低的问题,提出了一种高寿命RF MEMS开关的研制方法。对比Au与其他金属的硬度、杨氏模量以及方阻,最终选择性能优良的TiW金属作为新触点材料,其制备参数为溅射功率300 W,气压5 mTorr(1 mTorr=0.133 Pa),溅射时间1 568 s。设计了基于Au-TiW触点的RF MEMS开关工艺流程,给出了详细工艺参数,为进一步提高可靠性,设计了RF MEMS开关封装工艺流程并制作了封装样品。测试比较了基于Au-Au触点的RF MEMS开关与基于Au-TiW触点的RF MEMS开关的寿命与射频性能。结果表明,虽然基于Au-TiW触点的RF MEMS开关的射频性能有所降低,但开关寿命提高了两个数量级。该研究为提高RF MEMS开关的寿命提供了一种解决办法。     

一种新型微波射频开关(4×2)的设计与应用

介绍了一种新型利用pin diodes的4输入2输出射频开关的设计,给出了设计思想和详细的电路图,并介绍了这种射频微波器的印刷电路板的设计及其电磁兼容特性.准确分析了器件良好的散射和传榆性能.该射频开关稳定性高,微波特性良好,能够准确应用于测试系统中电路的切换.目前,该射频开关已应用于某核磁共振测试系统中,效果良好,可靠性高.     

微波半导体开关述评

本文介绍了微波半导体开关基本理论的发展状况，概述了其开关的技术条件和基本电路模型，汇集了几种典型开关电路，并展望了其发展前景。     

一种基于RF MEMS开关的四端口电子校准件设计

针对射频多端口器件微波测试需求,基于SOLT校准原理设计了一种工作频率在DC~12 GHz范围内、基于RF MEMS开关的四端口电子校准件。数值仿真结果表明,在短路状态下,器件的回波损耗小于0.15 dB;在直通状态下,器件的插入损耗小于0.5 dB,端口之间的隔离度大于20 dB;在开路状态下,器件的回波损耗小于0.3 dB,端口之间的隔离度大于25 dB;同时采用微表面加工工艺,利用磁控溅射工艺对负载电阻进行了制备,其测试结果约为50 Ω,符合设计要求。设计的基于RF MEMS开关的四端口校准件,具有射频性能好、体积小、易于集成等优点,能够满足X波段微波多端口器件在片测试的应用需求。     

毫米波单刀双掷开关的设计与制作

以0.25μm GaAs PHEMT为基础,介绍了微波单片集成电路开关模型的设计、测试及建模过程,并以此平台开展了单刀双掷开关芯片的设计与研制.讨论了PHEMT开关建模的重要性,解决了建模中的关键问题,包括开关的设计、测试系统的校准、模型参数的提取,建立了毫米波范围内高精度的等效电路模型.单刀双掷开关的设计采用了并联式反射型电路拓扑,开关的测试采用了微波探针在片测试系统,在18～30 GHz获得了优异的电性能,插入损耗IL≤1.5 dB,输入/输出驻波比VSWR≤1.5:1,关断状态下的隔离度ISO≥30 dB,芯片尺寸为1.2 m/mm×1.8 mm×0.1 mm.     

射频连接器成新贵

射频开关连接器,英文称为“RF Switch Connector”,有些国外厂商也称为微波开关连接器、可开关连接器、带开关的连接器等。它是一种具有射频开关功能的新型射频连接器。它最初作为一种可靠的移动终端设备工作性能测试手段,诞生于1990年代中期,迄今不过十五年左右,出现的背景是在移动、