半导体桥升温方程研究

半导体桥火工品是取代桥丝的理想火工品。本文根据半导体桥的点火特性,应用电能转化为热能、热传导和炸药的热爆炸三个方面的理论,建立了在电容放电和直流输入两种方式下半导体桥桥体的升温特性方程;并通过计算机运算绘图,验证了方程基本符合理论要求。文章最后指出升温方程需加入修正系数来进一步完善。     

半导体桥升温方程研究

半导体桥火工品是取代桥丝的理想火工品。本文根据半导体桥的点火特性,应用电能转化为热能、热传导和炸药的热爆炸三个方面的理论,建立了在电容放电和直流输入两种方式下半导体桥桥体的升温特性方程;并通过计算机运算绘图,验证了方程基本符合理论要求。文章最后指出升温方程需加入修正系数来进一步完善。     

半导体桥火工品的发展

文中系统评价和分析了近年来国内外半导体桥结构，制造工艺和封装技术，展望了半导体桥点火装置及智能火工装置的应用前景。提示了这类火工品必将得到广泛应用的趋势。     

半导体桥的设计分析

半导体桥是半导体桥火工品中最为关键的元件,它的结构和性质对火工品起着十分重要的作用,设计结构合理、性能优良的半导体桥是研究半导体桥火工品首要任务.文章以理论分析和文献分析为基础并结合试验数据,提供了一套半导体桥的设计方法,并选定了合理的结构和材料,给出了一组参数,确定了最小临界能的半导体桥图形.     

半导体桥的研究进展与发展趋势

文章系统地综述了半导体桥芯片的研究现状和半导体桥点火性能测试的研究进展,并对半导体桥的发展趋势以及应用前景进行了分析和展望,指出今后应当对反应式半导体桥和其它新型半导体桥的设计、制备及点火机理进行研究。     

半导体桥电热性质初探

介绍了半导体桥(SCB)发火器件的工作机理。通过对恒流作用下V型半导体桥的电热特性建立数学模型,得出了SCB的夹角越小、发火电流越大则发火时间越快的关系。但是,由于夹角受到半导体桥临界能量的影响,存在一个最小值,也是V型角的最佳角度。本文同时给出了一个计算升温时间的公式。     

半导体桥电热性质初探

介绍了半导体桥(SCB)发火器件的工作机理。通过对恒流作用下V型半导体桥的电热特性建立数学模型,得出了SCB的夹角越小、发火电流越大则发火时间越快的关系。但是,由于夹角受到半导体桥临界能量的影响,存在一个最小值,也是V型角的最佳角度。本文同时给出了一个计算升温时间的公式。     

基于Al／MoOx纳米复合薄膜的含能半导体桥研究

使用微细加工和磁控溅射技术将Al/MoO x纳米复合薄膜集成于半导体桥(SCB),制成含能半导体桥SCB-Al/MoO x以提高SCB的点火能力。薄膜的SEM、DCS和XPS结果表明,复合薄膜成膜质量好,层状结构清晰,放热量可达3200 J/g,达到理论值的68%(理论放热量为4703 J/g),MoO x薄膜含有32%的MoO3、37%的Mo2O5以及31%的MoO2。电容激励发火实验表明:相同激发条件下,SCB-Al/MoO x反应终止时间较SCB显著缩短,能量输出效率高于SCB,发火时溅射出的火花量明显增多,持续时间显著延长,使用原子发射双谱线测温法得到的等离子体温度亦高于SCB。     

半导体桥动态阻抗的试验研究

利用电容放电加载,通过测试半导体桥两端电压以及流过半导体桥的电流随时间的变化曲线,获得了半导体桥动态阻抗随输入能量变化的曲线.根据动态阻抗能量曲线以及半导体桥作用过程,提出半导体桥动态阻抗与输入能量之间的关系应分四段表示,分别对应于阻抗正温升、阻抗负温升和熔化、汽化以及等离子体产生等几个阶段,并且分别可用线性公式和指数衰减公式表示.试验结果表明,在高加载速率、无能量损失情况下,所提出的四段式能够很好地拟合试验确定的半导体桥动态阻抗输入能量曲线.     

SCB火工品的研究与发展

文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。     

压敏电阻用于SCB火工品静电安全性研究?

为了提高半导体桥(SCB)火工品的静电安全性,利用贴片式压敏电阻优良的钳位电压能力对SCB火工品进行静电加固。恒流激励下发火试验结果显示,080C型压敏电阻对SCB火工品发火时间和爆发时间无显著影响;静电国军标条件下,SCB火工品均未发火,在静电美军标下全发火;080C型压敏电阻防护后,SCB火工品在美军标条件下均未发火,静电安全性得到了显著提高。因此,在不影响SCB火工品正常发火性能条件下,080C型压敏电阻能够显著提高SCB火工品的抗静电能力。     

半导体桥火工品的防静电和防射频技术

对电火工品及半导体桥火工品防静电、防射频的常用方法进行了分析和概述,防静电方法主要是采用绝缘环或者泄放通道,防射频方法主要是采用屏蔽和低通滤波器。指出了现有常用技术存在的问题和今后的发展方向,认为现有方法无法完全泄放杂散静电、很难做到无缝隙屏蔽,或会增加火工品体积和质量。利用微电子保护电路,是半导体桥火工品静电和射频防护技术未来的发展方向。     

半导体桥起爆器在固体火箭冲压发动机转级装置中的应用研究

转级装置是固体火箭冲压发动机（固冲发动机）的重要组成部分,关系着固冲发动机能否实现从助推向冲压的成功转换。进气道堵盖是冲压发动机转级过程中的关键部件之一,可控制气体进入补燃室。提出了一种使用半导体桥起爆器作为起爆装置的易碎式堵盖,起爆时通过点燃半导体桥起爆器使堵盖破碎,使气体进入补燃室,完成固冲发动机转级控制。重点介绍该易碎式堵盖的结构形式、使用特点,并对半导体桥起爆器的转级控制电路进行了介绍。实验结果证明,半导体桥起爆器可应用于固冲发动机转级装置中。     

基于Cu阻挡层的Al/CuO含能半导体桥的电爆性能研究

界面层的反应性是纳米含能复合薄膜(RMFs)制备中的重要因素,直接影响纳米RMFs的反应性能。为了研究纳米Al/CuO RMFs在半导体桥上集成后的电爆性能,采用磁控溅射工艺制备了Al/CuO含能半导体桥（Al/CuO-ESCB）和Al/Cu/CuO含能半导体桥(Al/Cu/CuO-ESCB),研究了Cu层作为阻挡层对Al/CuO-ESCB电爆过程的影响。结果表明:增加Cu阻挡层可以缩短ESCB的临界激发时间,增加ESCB的燃烧时间。     

TVS二极管用于半导体桥静电安全性研究?

为了加强半导体桥(SCB)的静电安全性,利用TVS二极管抗浪涌特性,分别对经TVS二极管加固前、后的SCB进行静电安全性研究。研究结果发现:并联TVS二极管后,SCB的发火时间无显著性变化;在500 p F、不串电阻条件下,SCB在6 k V条件下均未发火,在8 k V条件下均发火;在500 p F、不串电阻条件下,TVS二极管加固后的SCB在9 k V条件下均未发火,在13 k V条件下均发火;9 k V静电作用后,TVS加固后SCB的发火时间无显著性变化。因此,TVS二极管既能不影响SCB的正常发火性能,又能有效提高SCB的静电安全性。