α-Al_2O_3晶体的色心

用中子辐照的方法使α-Al_2O_3单晶体着色,观察其对光的吸收以分析晶体里存在的色心,研究中子辐照剂量和热处理对晶体色心的影响,并测得了有关色心的发光光谱.     

一种质优价廉的α-Al_2O_3

郑州轻金属研究所为配合上无一厂Al_2O_3基片流延引进线的生产研制出一种用于电子陶瓷的α-Al_2O_3粉料。试用结果表明,该粉料晶粒细(平均粒径为3.3μm),可磨性好、对各种成型方法的工艺适应性好。用该粉料制备的95％Al_2O_3瓷的烧成温度较低,机电性能符合要求。     

α-Al_2O_3-Si界面电子结构的研究

本文用DV-SCC-X_a方法计算了α-Al_2O_3晶体及Si界面的电子结构,给出了对真实界面的模拟计算方法,讨论了界面模型和计算结果,得出了与实验相符的Al_2O_3-Si界面的定量结果,如电导率、能隙、态密度等.     

Y_2O_3-Al_2O_3系统相稳定性研究

研究了Y_2O_3Al_2O_3准二元系内三种已知相的稳定性。YAlO_3(YAP)和Y_4Al_2O_9(YAM)升温下分解,反应物是第三种化合物Y_3Al_5O_(12)(YAG)和未知相(称之为X)。这种分解在粉末中最明显,但是也开始在块状单晶表面上分解。为了验证这种未知相的结构和组分,曾进行了X-射线衍射研究。发现这种热分解是可控制的表面,对YAlO_3的有关形态变化进行光学和扫描电子显微镜研究表明,这种反应包括局部表面熔化,多半是缺氧,它有效地使组份偏离二元组合。     

ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长

研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复合衬底上利用光加热低压 MOCVD法直接生长了纤锌矿结构 Ga N. X射线衍射谱表明反应得到的Zn Al2 O4层为 ( 111)取向 .扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于 3 0 min增加到 2 0 h,Zn Al2 O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构 ,相应的 Ga N X射线衍射谱表明 Ga N由 c轴单晶变为多晶 ,单晶 Ga N的摇摆曲线半高宽     

激光合成Al_2O_3-WO_3系陶瓷中钨掺杂α-Al_2O_3相的研究──Ⅰ.钨对α-Al_2O_3晶格的掺杂方式

通过X射线衍射及激光拉曼光谱分析,对激光合成Al2O3-WO3系陶瓷中钨掺杂α-Al2O3相进行了深入研究,得出钨对α-Al2O3的掺杂是以替位铝形式进行的结论。     

α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究

本文报道了蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上ＧａＮ薄膜的瞬态光电导性质．用ＹＡＧ∶Ｎｄ脉冲激光器测量的光电导衰减曲线存在两个特征区域,即起始衰减区域和拖尾区域,分别对应时间常数：τ０１～０．１ｍｓ和τ０２～１．０ｍｓ．在相同偏压和光强下,加热样品至３００℃,光电导衰减曲线的两个特征区域均发生变化,对应的两个时间常数都相应变小．实验结果说明在导带边几十ｍｅＶ内存在大量陷阱．对衰减曲线起始２００ｎｓ取样,发现光照时光电导呈“Ｓ”形上升,停止光照,光电导锐利下降并出现振荡,表明光照停止后,载流子在导带和深陷阱能级的     

Si-SiO_2-Al_2O_3结构的电子束辐照效应

<正> 本文介绍了Si-SiO_2-Al_2O_3系统的电子束辐照及实验结果,定性地讨论了辐照能量、剂量及剂量率的影响.根据辐射效应,我们认为Al_2O_3-SiO_2及Al_2O_3-Si结构中Al_2O_3膜内靠近界面处存在有受主型界面态,表现出负电荷性质,辐射的电离效应进一步增强了界面的负电荷效应.同时实验结果还表明电子轰击引起了硅中杂质在界面附近的再分布.     

高纯、超细Al2O3粉体的进展

高纯、超细Al_2O_3粉体的进展     

掺杂Bi_2O_3-Al_2O_3对NiZn铁氧体耐热冲击性能的影响

研究了在NiZn铁氧体中复合添加Bi_2O_3-Al_2O_3对NiZn铁氧体机械强度和耐热冲击性能的影响,并利用X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)等对NiZn铁氧体样品的显微结构和电磁性能进行表征分析。实验结果表明,采用传统陶瓷制备工艺,复合添加0.6%Bi_2O_3+1.2%Al2O3(质量分数)能够明显地改善NiZn铁氧体的显微结构,机械强度达到150 MPa,热冲击完好率达到95%,同时还具备了较良好的电磁性能。     

超细α-Al2O3粉对95瓷烧结温度的影响

采用超细粉碎α Al2 O3 粉 ,按冷等静压成型技术制备 95瓷 ,结果表明 ,瓷体烧结温度降低了 10 0℃。     

高纯超细BaTiO_3基PTCR陶瓷

水热法合成的ＢａＴｉＯ３粉体具有超细、高纯等特点，从而能够使ＰＴＣＲ热敏电阻器的制备工艺相对简化，并有利于获得较好性能的ＰＴＣＲ电阻器。本文采用水热法合成的ＢａＴｉＯ３粉体制备ＰＴＣＲ陶瓷。研究了不同添加剂对材料性能及微观结构的影响。     

硅烷偶联剂对CABS玻璃/α-Al_2O_3复合料流延性能的影响

采用KH-550硅烷偶联剂对CABS玻璃/α-Al_2O_3复合粉体表面进行改性,分析了表面改性对流延浆料流变性能的影响,并讨论了微观结构与介电性能的变化。研究结果表明:在添加2%(质量分数)硅烷偶联剂条件下,浆料的分散稳定性得到了明显改善。在烧结过程中偶联剂与玻璃陶瓷形成了钙长石相,并附着在氧化铝的表面。当硅烷偶联剂质量分数为2%时,试样在850℃烧成性能为ρ=3.05 g·cm~(–3),εr=7.89,tanδ=0.1×10~(–3)(1 MHz),主要性能达到LTCC对基板材料的要求。     

α-Fe_2O_3气敏传感器的研究

用共沉淀方法研制了掺SnO_2的α-Fe_2O_3气敏传感器试样,用X射线衍射研究了这种材料的结构,用扫描电子显微镜观察了烧结品的截面。发现这种材料基本上是由单相的α-Fe_2O_3的微晶粒所组成,试样表面呈多孔状。测量了在天然气、氢等气体中的灵敏度。提出了一个α-Fe_2O_3的气敏机理,用这个机理较完满地解释了在掺SnO_2的α-Fe_2O_3实验中所发现的有关现象。     

SiO_2-Al_2O_3-SiO_2光子晶体缺陷腔的折射率传感特性

为了提高光子晶体折射率传感器的灵敏度和品质因数,提出了一种基于表面波谐振原理的缺陷态光子晶体-棱镜耦合传感结构。通过分层传输矩阵法对该结构建立传感理论模型,得出古斯汉欣位移与谐振波长的变化关系,从而建立谐振波长与待测样本折射率的关系模型。以SiO2-Al2O3-SiO2作为缺陷腔来代替传统表面等离子体共振(SPR)传感器中的金膜,构成折射率敏感层;采用Al2O3作为吸收层,从而在反射光谱中得到谐振缺陷峰,通过缺陷峰值的漂移实现待测样本折射率的动态监测;以乙二醇溶液为待测样本,对该折射率传感结构的Q值及灵敏度进行了分析。结果表明,其灵敏度约为3596nm·RIU-1(RIU为相对折射率单位),Q值约为1087.7,证明了结构设计的有效性,并可为高灵敏度和高Q值折射率传感器的设计提供一定的理论指导。     

微波强化制备γ-Al_2O_3载体及其加氢脱硫性能研究

越来越严格的环境要求使用清洁汽油,我国汽油组成的特点决定了降低催化裂化汽油中的硫含量是汽油脱硫工艺以及催化剂研发的关键。通过改变载体的表面酸性可以降低载体与活性组分之间的相互作用,有利于加氢脱硫的进行。本文从微波辅助HDS催化剂的制备以及微波促进HDS工艺反应两个方面进行研究。通过将微波应用在催化剂载体制备过程中的水热合成反应和干燥处理两方面来研究微波辅助制备的氧化铝载体的性能,并以噻吩模型化合物和催化裂化汽油为原料考察微波催化剂的HDS脱硫性能。结果表明,微波作用下制备的载体有要更加优良的孔径分布、堆密度、结晶度、晶貌特征等。并且微波对HDS工艺的作用能够将样品油的脱硫率提高5%~13%。     

日本α－Al_2O_3粉体进展

综述了日本近１０多年来α－Ａｌ２Ｏ３粉体的发展状况。特别介绍了日本对α－Ａｌ２Ｏ３粉体的标准化工作。这对提高电子陶瓷等产品的质量是非常重要的。     

高纯超细电子级球形石英粉研究

介绍了高纯超细球形石英粉的主要性能与用途,目前国内的研究开发现状和国际球形石英粉的生产现状。分析比较了高频等离子球化法、直流等离子体球化法、碳极电弧球化法、气体燃烧火焰球化法、高温熔融喷射以及化学合成球化法的工艺特点,并分析得出气体火焰球化法工艺简单,适宜大规模工业生产,产量已达500 kg/h,是最具潜力的球化工艺。     

厚膜α-Fe_2O_3气体传感器的研制

本文叙述了α-Fe_2O_3厚膜气体传感器的制造工艺,用湿法制成的α-Fe_2O_3粉体作为敏感材料,研制成了厚膜型的气体传感器。结合电子显微分析,对气体传感器的烧结温度、保温时间、热处理时间等进行了选择,最后研究了厚膜浆料中的玻璃对气敏性能的影响。