基于MCzHQZn的有机电致发光器件

通过结构为ITO/2T-NATA(20nm/NPBx(20nm)/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(20nm/MCzHQZn(30nm)/NPBx(16nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED),证明了MCzHQZn既具有空穴传输特性,又具有较好的发光特性。MCzHQZn在器件1中作发光层,器件最大亮度在电压16V时达到3692cd/m2,电压13V时的最大效率为0.90cd/A,发光的峰值波长为564nm;MCzHQZn在器件2中既作发光层又作空穴传输层,器件最大亮度在电压为13V时达到1929cd/m2,电压12V时的最大效率为0.57cd/A,发光的峰值波长也为564nm;MCzHQZn在器件3中作空穴传输层,由NPBx作发光层,器件最大亮度在电压为14V时达到3556cd/m2,电压9V时的最大效率为1.08cd/A,...     

锌金属配合物BFHQZn的白色有机电致发光器件

利用新型荧光染料2-溴-4-氟苯乙烯-8-羟基喹啉锌(BFHQZn,(E)-2-(2-bromo-4-fluorostyryl)quinolato-Zinc)的电致发光(EL)特性,制备了非掺杂型的有机电致白光器件(WOLED)。器件的结构为ITO/CuPc(10nm)/NPBX(25 nm)/BFHQZn(18 nm)/NPBX(xnm)/BCP(10 nm)/Alq3((47-x)nm)/LiF(0.5 nm)/Al,当x为12时,得到了色度最好和效率最大的WOLED,最大电流效率为1.11 cd/A(at 10 V),最大的亮度为817 cd/m2(at 15 V),当驱动电压从7 V(启亮)升高到15 V(最高亮度)时,器件色坐标由(0.32,038)改变为(0.30,0.28)。     

高效率的白光有机电致发光器件

为了提高白光有机电致发光器件的发光效率和光谱稳定性,采用染料掺杂的方法,制备了多层结构白光有机电致发光器件。通过参数优化实现了非常好的白光发射,并表现出良好的光谱稳定性。器件的开启电压为5.1V,发光亮度达到10800cd／m^2,最大电流效率和功率效率分别是10.4cd／A和3.5lm／W。     

ITO/NPB/Alq_3/LiF/Al电致发光器件光电特性

针对有机电致发光器件发光效率低、稳定性差的问题,设计制备了ITO/NPB/Alq3/LiF/Al多层有机电致发光器件.测试了器件的电流电压特性、器件的亮度电压特性、器件的电致发光光谱.结果表明,当外加电压为16V时,器件的电流达到最大值21.70mA,器件的亮度达到了11 700cd/m2;当外加电压为14 V时,电致发光光谱波峰位于528 nm处,归一化强度最大值为0.522 1a.u.制备的器件电子注入能力、电流和亮度均得到了增强.     

基于R-4B掺杂的黄色OLED器件的制备及性能优化

通过引入新型红光材料R-4B和绿光材料Ir(ppy)2acac混合来实现黄光显示.器件结构为ITO/MoO3(40nm)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:R-4B(x):Ir(ppy)2acac(8%)(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),其中x=1%、2%、3%,通过讨论掺杂浓度对器件性能的影响,得到如下结论:随着红光掺杂比例的增加,红光光强增加,发光颜色由绿色逐渐转变为黄色,但是器件整体的效率、亮度下降.当x=3%时,红光光强不再增加.综合考虑器件性能,发现当红光掺杂比例为2%时,黄色磷光OLED的性能相对最好,色坐标为(0.43 0.53),发光亮度可达4 000cd/m2,在电压为5V时,效率可达32cd/A.     

未掺杂条件下载流子平衡提高有机电致发光器件效率的研究

用具有高电子迁移率(5×10-4cm2 V-1 s-1)的材料4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为电子传输层(ETL),N,N-his-[1-naphthy(-N,Ndiphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)](NPB)作空穴传输层(HTL),tris(8-hy-droxyquinoline) aluminum(Alq3)作发光层(EML),使有机薄膜电致发光器件的效率得到显著改善.器件基本结构为:ITO/NPB/Alq3/BPhen/LiF/A1.通过对HTL和ETL的厚度进行优化,在电流密度为20mA/cm2时,器件的电流效率达到6.80cd/A,亮度达到1361 cd/m2.为了探索发光器件的效率得以改善的原因,制备了结构为ITO/A1q3/BPhen/Al的electron-only器件和结构为ITO/NPB/AI的hole-only器件.通过调整hole-only器件中空穴传输层(HTL)和electron-only器件中电子传输层(ETL)之间的厚度匹配并比较它们之间的J-V曲线,发现当电子和空穴达到栽流子平衡时,发光器件获得最佳效率和亮度.     

Spiro发光双层结构有机电致发光器件

为了研究简单结构有机电致发光器件的发光性能,采用PEDOT：PSS作为空穴输运层,Spire作为电子输运层和发光层,以金属Ba覆盖以金属AI作阴极,制备双层结构有机电致发光器件,得到性能稳定的蓝色发光。测量器件的电流密度-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱,计算了器件的外量子效率。结果表明,器件电流以陷阱电荷限制电流为主,最大发光亮度为3544cd/m2,最大外量子效率达2．40％。     

Spiro发光双层结构有机电致发光器件

为了研究简单结构有机电致发光器件的发光性能,采用PEDOT∶PSS作为空穴输运层,Spiro作为电子输运层和发光层,以金属Ba覆盖以金属Al作阴极,制备双层结构有机电致发光器件,得到性能稳定的蓝色发光。测量器件的电流密度-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱,计算了器件的外量子效率。结果表明,器件电流以陷阱电荷限制电流为主,最大发光亮度为3544cd/m2,最大外量子效率达2.40%。     

TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究

利用2,2,3,3-tetraphenyl-4,4-bisthienylsilole (TPBTSi)作为发光材料,采用真空镀膜的方法制备双层器件ITO/N,bis (1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine (NPB)/TPBTSi/Mg:Ag;在此基础上,利用N'-diphenyl-N,N'-tri-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3)作为电子传输材料,以TPBTSi为发光层制备了结构为ITO/NPB/TPBTSi/Alq3/Mg:Ag的三层有机发光器件。结果表明,与双层器件相比,三层器件的发光性能得到很大提高,发光光谱谱峰位于516 nm处,即TPBTSi的特征光谱,CIE坐标为(0.275,0.448),且不随电压的改变而变化。在15 V的驱动电压下,器件的最大亮度和流明效率分别为7 032 cd/m2和0.79 lm/W。     

具有双发光层双主体结构的高效稳定WOLED

采用双发光层双主体结构,制备了高效稳定的白光有机电致发光器件(WOLED)。其中蓝光层是TBADN:3 wt%DSA-Ph,红光层是[TBADN:Alq3]:1 wt%DCJTB,通过改变红光层中Alq3和TBADN的掺杂比来调节器件的发光效率和颜色。当[TBADN:Alq3]为75∶25时获得了效率最高、色度好和性能稳定的白光,在20 mA/cm2时器件的发光效率为6.27 cd/A,CIE色坐标为(0.364,0.348)。当电流密度为200 mA/cm2时,发光效率仍能保持在6.15 cd/A,色度坐标为(0.344,0.344)。由于在[TBADN:Alq3]双主体结构中,TBADN具有双极性,从而改善了器件中载流子的平衡及其在发光层中的分布,进而提高的器件的性能。     

Highly efficient stacked organic light-emitting devices employing a novel intermediate layer

Highly efficient stacked organic light-emitting devices (OLEDs) have been fabricated using Mg:Alq3:BCP/ WO3 as a novel intermediate layer, which connects two identical emissive units. The stacked OLEDs consisting of NPB/Alq3 exhibited high current efficiency and brightness characteristics over conven- tional single-unit device. At 200 mA/cm2, the current efficiency of the stacked OLEDs using the inter- mediate layers of Mg:Alq3:BCP/WO3 were about 6.85 cd/A, doubling that of the conventional device. The results may prove the method to be effective to enhance the current efficiency and brightness of OLEDs.     

反转结构有机发光二极管的电子注入层研究

将薄层金属Al和含磷氧基团的有机材料DPSF依次蒸镀在ITO阴极上作为电子注入层,成功制备了具有反转结构的底发光有机发光二极管（IBOLED）。结果表明,Al/DPSF作为电子注入层可以有效降低ITO与发光层Alq3之间的注入势垒,大大降低了器件的工作电压,显著提高了器件的发光效率。反转器件的最大电流效率达到了4.9 cd A^-1,最大亮度为17000 cd m^-2,与正置器件的发光性能相当。     

聚合物电致发光器件的电流限制机制

以共轭聚合物聚(2-甲氧基-5-(2′-乙基-己氧基)-1,4-对苯乙炔)为发光材料制备复合阴极结构（LiF/Al）的聚合物电致发光器件.针对不同发光层厚度和阴极修饰层厚度的器件进行电流-电压测试,研究引起器件电流限制的机制.结果表明,单金属阴极器件的电流特性为载流子输运体限制机制；当阴极修饰层（LiF）厚度为2 nm左右时,电流特性以载流子注入限制为主；而当阴极修饰层为其他厚度时,2种限制机制同时存在.对具有不同阴极修饰层厚度的器件的电流-电压特性提出理论模型,模拟结果与试验数据较为符合.     

一种新颖的空穴阻挡材料的合成、表征与空穴阻挡特性研究

利用Yamamoto偶联反应合成了间位连接双氧桥联的联苯衍生物（MDBP）。循环伏安法及吸收光谱分析表明MDBP具有较低的HOMO能级（6.12 eV）和较高的氧化电位（2.5 V）;利用结构ITO/NPB/MDBP/Alq3/Li/Al的多层器件,探讨了MDBP厚度、电压对空穴阻挡性能的影响,结果表明较高电压下该材料对空穴的阻挡能力与BCP相当。并利用MDBP为空穴阻挡层制备了白光器件。     

使用AlQ的高效率红色有机电致发光器件

以8-羟基喹林铝(AlQ)为主体材料,通过4(Dicyanomethylen)-2-methyl-6-(P-dimethylaminostyryl)-4H-pyran (DCM)红色发光材料的掺杂,制备了AlQ:Rubrene:DCM体系的高效率、高亮度的红色电致发光器件。器件结构为ITO/N,N'-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N'-diphenyl]-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine (NPB)/AlQ:Rubrene (3%):DCM (3%)/AlQ/Mg:Ag/Al,亮度为4 330 cd/m2,色坐标为(0.51,0.44),最大流明效率为6.77 lm/W。     

NPB层嵌入MgF_2超薄层对OLED性能的影响

将MgF2超薄层嵌入有机电致发光器件(OLED)的空穴传输层NPB中,制备了结构为ITO/NPB(10nm)/MgF2(xnm)/NPB(20nm)/Alq3(30nm)/Al(30nm)的一系列OLED。测试结果表明,合适厚度的MgF2可有效降低器件启亮电压,提高器件的发光效率。MgF2厚度为0.5nm的器件启亮电压只有2.3V,较未嵌入MgF2器件降低2V;MgF2厚度为1.0nm的器件最大电流效率达到3.93cd/A,最大光功率效率达到1.58lm/W,较未嵌入MgF2器件分别提高95%和110%。     

High efficiency blue phosphorescent organic lighting-emitting diodes with novel anode structure

High-efficiency blue electrophosphorescent organic light-emitting devices employing MoO3 used as hole injection layer （HIL） and MoO3 doped N,N-dicarbazoly-3,5-benzene （mCP） as hole transport layer （HTL） were demonstrated. The blue OLED with the novel anode structure and TAPC used as electron blocking layer show a low turn-on voltage of 2.4 V, a maximum power efficiency of 33.6 lm/W at 3.1 V and 25 lrn/W with 1 000 cd/m2 at 3.8 V. It is also found that the efficiency of the devices is dependent on the different EBL materials. This is may because of relationship with the charge mobility and the triplet energy level of EBL materials. The device efficiency is determined by the charge balance which plays an important role.     

Effects of gate dielectric thickness and semiconductor thickness on device performance of organic field-effect transistors based on pentacene

In this paper,the pentacene-based organic field-effect transistors(OFETs)with poly(methyl methacrylate)(PMMA)as gate dielectrics were fabricated,and the effects of gate dielectric thickness and semiconductor thickness on the device performance were investigated.The optimal PMMA thickness is in the range of 350–400 nm to sustain a considerable current density and stable performance.The device performance depends on the thicknesses of the active layer non-monotonically,which can be explained by the morphology of the pentacene film and the position of the conducting channel in the active layer.The device with a pentacene thickness of 50 nm shows the best performance,which has a maximum hole mobility of 1.12 cm2/V·s.In addition,the introduction of a thin layer of tris-(8-hydroxyquinolinato)aluminum(Alq3)to the OFETs as a light-emitting material greatly decreases the device performance.