钨酸铅晶体光产额的温度效应的测量

介绍了在钨酸铅晶体发光特性研究中温度效应的影响、钨酸铅晶体从１２￣３６℃变化时测量温度系数的方法,以及钨酸铅晶体安装过程中稳定性的研究。     

一些核素光核反应产额的测定

本文用相对法测量了天然丰度的石墨、聚四氟乙烯、钛、镍、锌、钼、镉、铟和锡靶在20MeV左右的轫致辐射照射下,通过(γ,n),(γ,p)和(γ,γ’)反应产生的35种放射性核素的产额和3种放射性核素产额的上限。其中~(11)C,~(18)F,~(45)Ti,~(47)Sc,~(57)Ni,~(57)Co,~(67)Cu,~(99)Mo,~(105)Ag,~(115)Cd,~(114m)In,~(111)Sn和~(111)In为主要产物,其他核素作为同时产生的杂质。试验了电子束能量下降3MeV时对10种主产物产额的影响。利用所得数据,估计了电子直线加速器生产上述主要产物的能力,产物可能达到的核纯度,以及化学处理过程中对靶物或杂质核素去污的要求。     

钨酸铅晶体性能研究

对钨酸铅晶体的激发光谱和荧光光谱、绝对光产额和相对光产额以及发光衰减时间的测试结果表明，钨酸铅晶体可在高能物理实验中用于测量高能电磁簇射粒子。     

中子发生器产额的测量

用铁片活化法和长计数管测量中子发生器的中子产额，给出了测量方法和结果。     

X光透镜应用于蛋白大分子晶体衍射

采用Ｘ光透镜替代单色仪双聚焦镜应用于生物蛋白大分子晶体衍射分析,照射晶体样品的光强提高１－２个量级,衍射强度的提高远大于５倍,大大缩短了测试时间,分辨能力改善０．０２－０．０６ｎｍ,信噪比也有改善。     

4H-SiC探测器的快中子产额测量可行性研究

为了验证4H-SiC探测器用于快中子产额测量的可行性,利用强流氘氚聚变中子发生器(High Intensity Deuterium-Tritium Fusion Neutron Generator,HINEG)测试了4H-SiC探测器的主要性能.实验获得了探测器的脉冲幅度谱,高能段反应特征峰清晰可辨,12C(n,α0)...     

基于硅光电倍增管对塑料闪烁光纤衰减长度及光产额的研究

作为外靶实验终端（ETF）飞行时间探测的关键探测器,起始时间探测器需满足承受高计数率、高时间分辨和位置分辨等需求。塑料闪烁光纤（PSF）作为起始时间探测器改进方案的一种考虑,其衰减长度、光产额等性能参数将直接影响探测器的实际性能。本工作基于硅光电倍增管(SiPM)和PSF搭建相应的测试平台,系统研究了SiPM SensL MicroFC-SMA-30035和PSF Kuraray SCSF-78J的实际性能。结果表明：所选型号的SiPM具有优秀的单光子分辨能力,在所选工作电压范围内具有高增益及良好的增益线性,且具有较好的线性响应;光子在光纤中的衰减由两种成分组成,芯层光的有效衰减长度为547.4 cm,包层光的有效衰减长度为15.5 cm,光纤有效光产额约为552光子/mm,实际光产额约为968光子/mm。测试结果表明,采用该PSF结合SiPM读出的方式满足新型起始时间探测器的要求。     

辐照条件对光核反应产额的影响

利用２００ＭｅＶ电子束经不同厚度的高纯钨片转换得到的轫致辐射束诱发＾１９Ｆ（γ,ｎ）＾１８Ｆ和＾１２Ｃ（γ,ｎ）＾１１Ｃ反应,通过测定＾１８Ｆ和＾１１Ｃ的产额得到了转换靶钨片的最佳厚度,并与计算值进行了比较。测定了样品与转换靶的间距与产额的关系,推算了利用光子活化的方法分析Ｆ和Ｃ两种元素的探测下限分别为２．０ｎｇ和３．６ｎｇ。     

24.4KeV中子诱发^235U裂变的产额测量

一、前言 对~(235)U热中子裂变已经作了充分的研究,裂变产物的产额作了广泛的测量,并对实验数据进行了多次编评。但是对于其它单能中子诱发~(235)U裂变研究还远远不够,尤其是keV能区的中子更是如此。J.G.Cuninghame等测量了130-1700keV中子诱发~(235)U裂变中一些核素的产额。但是低于130keV中子诱发的裂变研究,文献中未见过报道。为了研究产额随中子能     

靶室结构对中子绝对产额测量的影响

介绍了D—T反应使用的结构不同的三种靶室,对不同角度上监测的伴随α粒子谱进行了比较和分析,改进的单管靶室大大地降低了散射的α粒子的本底,α粒子的峰谷比值达到450,α粒子的和峰明显,其计数约占α粒子总数的1．8％,此外,由D（d,P）T反应的能量1．01MeV的氚粒子产生的一个小峰清晰可见。     

我国含微量放射性物质照明产品运输和仓储环节的监管建议

根据新版《放射性物品运输安全管理条例》和《放射性物品分类和名录》(试行),将含有放射性物质的仪器或制品的例外货包纳入第三类放射性物品,需要对运输过程进行监管。作为需求量大、覆盖面广的含微量放射性物质照明产品,如果对其运输和仓储环节进行审批管理显然不利于整个照明行业的发展,也不利于审管部门的监管。目前世界多数国家在分析论证的基础上对这类照明产品的运输和仓储环节进行了豁免;本文收集和分析了我国含微量放射性物质照明产品的现状,采用相应的评价方法,对其运输和仓储环节的环境影响进行了分析,根据GB 18871—2002中的豁免准则要求,对我国含微量放射性物质照明产品运输和仓储环节的监管提出了建议。     

双晶单色器水冷晶体的设计加工

简要介绍了弧矢聚焦双晶单色器的作用及结构原理,根据设计指标确定了水冷晶体衍射面及外形尺寸,分析了高热负载下水冷晶体的热变形,根据国外经验采用直接水冷却法进行高热负载的热缓释,设计了用于直接水冷却的刻槽晶体及冷却结构,根据设计完成了晶体的材料选择、定向切割、冷却水槽的刻制等加工工艺,最终完成了适用于弧矢聚焦双晶单色器的直接水冷分光晶体的加工,该晶体能承受大于0．5W/mm^2的热负载。     

Neutron distribution and yield produced by 50MeV／u ^18O—ion on thick targets

Neutron energy,fluence rate,angular distributions and dose equivalent rate distributions around the thick Be,Cu,Au targets bombarded by 50MeV/u ^18O-ion were measured using a threshold detector activation method.At the same time,the neutron yields of ^18O-ion and the neutron emission rates in the forward direction were obtained approximately.     

Formulae for secondary electron yield from insulators and semiconductors

The processes and characteristics of secondary electron emission in insulators and semiconductors were studied, and the formulae for the maximum yield(δ_m) at W_(pOm)≤ 800 eV and the secondary electron yield from insulators and semiconductors δ at the primary incident energy of 2 keV≤ W_(pO) 10 keV(δ_(2-10)) and10 keV ≤ W_(pO)≤100 keV(δ_(10-100)) were deduced. The calculation results were compared with their corresponding experimental data. It is concluded that the deduced formulae can be used to calculate δ_(2-100)at W_(pOm)≤ 800 eV.     

狭长闪烁体光传输的研究

研究了光在狭长闪烁体内的传输问题，推导出了特定情况下的最佳传输条件。对于狭长的高折射率闪烁体，侧面抛光、充分利用全反射。同时将与探测面相对的端面做漫反射处理，可以获得较高的光收集效率。     

单色器水冷晶体面形误差的研究

针对第三代同步辐射装置光束线中的双晶单色器,分析了引起直接水冷却晶体面变形的原因,提出直接水冷却异型晶体结构,并用有限元方法进行数值模拟分析,得到晶体面形误差,并提出优化面形精度的方法.结果表明,在热负载、装夹力、真空负压和水流压力下,水冷却异型晶体在热源辐照区弧矢向和子午向平均面形误差RMS值分别达到1"和0.6".     

BGO晶体在密度计中应用的可行性研究

在对BGO和NaI晶体高压坪特性测试以及两者主要性能的比较的基础上,探讨和论证了BGO晶体在密度计系统中应用的可行性。     

脉冲Xe灯校准系统的Xe灯光源

简要介绍了一个用于对射线量能器进行刻度的脉冲Xe灯校准系统中的脉冲Xe灯光源。主要介绍了光源的设计以及对采用的EG&G产的Xe灯光源的实验测量结果。