碳化硅在聚合物中的应用

综述了碳化硅（SiC）在用填充改性、表面包覆改性、离子注入改性和聚合物表面接枝改性等方法所制得的复合材料中的应用，并对纳米SiC改性环氧树脂、纳米微晶SiC改性聚乙烯基咔唑和香豆素共混物、聚吡咯包覆改性SC、硅离子注入改性聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜及丙烯酰胺接枝改性SiC等进行了详细讨论     

聚合物的表面接枝改性技术进展

文章综述了几种聚合物表面接枝改性方法,介绍了其研究进展。     

硅烷偶联剂对碳化硅粉体的表面改性

采用KH-550硅烷偶联剂对SiC粉体表面进行改性,得到了改性最佳工艺参数,分析了表面改性对SiC浆料分散稳定性的影响.结果表明:SiC微粉经硅烷偶联剂处理后没有改变原始SiC微粉的物相结构,只改变了其在水中的胶体性质;减少了微粉团聚现象.与原始SiC微粉相比,改性SiC微粉表面特性发生了明显变化,Zeta电位绝对值提...     

表面改性对β-SiC微粉流动性的影响

分别以A和B为改性剂对β-SiC微粉进行表面改性,并采用X射线衍射仪(XRD),激光粒度分析仪,扫描电镜(SEM),红外光谱仪,DSC/TGA同步差热分析仪和粉体综合测试仪对改性前后粉体的结构,形貌,粒径大小,表面性质和粉体流动性进行了测试.结果表明:表面改性剂在β-SiC微粉表面形成吸附包覆层,B包覆层厚度大于A包覆层;表面改性不会对粉体的物相和结构产生改变;改性剂包覆层在200～400℃内发生氧化分解;表面改性可以很好地改善粉体的流动性,当B用量达到5wt%时,休止角、平板角分别减小了9°和11°,压缩度从35%减小到16%.     

聚甲基丙烯酸甲酯对碳化硅表面改性的研究

制备了低分子量的聚甲基丙烯酸甲酯,用其对碳化硅粉进行表面处理。改善了粉体的流动性,为制备高固相含量浆料奠定了基础。     

粉体表面改性新进展

综述了粉体表面改性新进展，如纳米材料的表面改性、偶联剂和助偶联剂系统使用，化学接枝、有机包覆三元共混体系。     

纳米二氧化钛表面改性技术进展

纳米二氧化钛作为一种重要的无机功能材料,有着广泛的应用领域.它的应用使其表面改性技术也成为研究的一个热点.表面改性技术是提高性能、扩大应用领域的重要手段.对不同的纳米二氧化钛表面改性方法(无机改性和有机改性)和应用,特别是最常用的偶联剂法、表面活性剂法和聚合物包覆法进行了介绍,在此基础上提出了存在的问题,指出改善界面相容性,使纳米粒子在基材中均匀分散及稳定的必要性等,同时展望了今后的研究发展方向.     

表面包覆改性技术在陶瓷技术中的应用

包覆改性技术对于解决超细粉特别纳米尺寸粉体的团聚问题,改善粉体表面性能有着重要作用,本文阐述包覆改性技术在制备新型陶瓷中的运用,介绍了基本表面包覆改性技术,同时介绍当前在制备新型陶瓷中人们运用表面包覆改性技术的进展情况。     

超细氧化钛无机改性研究

通过对超细TiO2进行无机包硅改性实验,研究了氧化钛分散性、加酸方式、包覆pH值、改性温度及陈化时间等对包覆效果的影响,分析了致密二氧化硅包覆膜的形成机理,并利用透射电子显微镜TEM和红外分析仪IR对产物进行分析表征,得出无机包硅氧化钛的最佳条件:采用撞击流 旋转填料床反应器(IS RPB),包膜pH=9～10,温度为80～90℃,陈化1h。     

聚酯薄膜表面接枝进展

综述了聚酯薄膜表面接枝的原理、方法和技术优势。对传统电晕方法所用的设备、工艺流程、底涂液配方进行了详细介绍;对20世纪50年代发展起来的γ射线辐射接枝改性用于薄膜表面涂层的机理、接枝条件和接枝效果进行了探讨;介绍了光接枝改性方法的原理以及常用的单体和引发剂。并对以上方法的优缺点和应用前景进行了分析比较。     

碳化硅涂层的离子注入改性

在SiC涂层表面注入Al^3＋,B^3＋,St^4＋,观察3种离子注入对涂层表面裂纹的封填情况,分析离子注入后涂层表面的相组成,考核离子注入对SiC-C／SiC材料抗氧化性能的影响。在1300℃模拟空气中氧化15h后,注入Al^3＋的复合材料的氧化质量损失比未经涂层改性的降低了0．3％,形成的玻璃氧化层中气泡和孔洞少,对涂层裂纹的封填效果较好但覆盖不均匀。注入B^3＋的复合材料的氧化质量损失比未经涂层改性的降低了0．1％,形成的玻璃氧化层的流动性好且覆盖均匀,但其表面多气泡和孔洞,破坏了玻璃氧化层对涂层裂纹的封填作用。注入Si^4＋的复合材料的氧化质量损失同注入B^3＋的试样基本相当,但是其氧化质量损失有增大趋势,表明Si^4＋的注入对改善材料的抗氧化性能无积极作用。     

碳化硅陶瓷先驱体聚甲基硅烷的研究进展

介绍了聚甲基硅烷的主要合成方法和性能,特别是其反应活性和高温热裂解性能.综述了聚甲基硅烷及其改性先驱体应用于制备碳化硅纤维、碳化硅基复合材料、多孔陶瓷材料等领域的研究进展.聚甲基硅烷作为碳化辞陶瓷先驱体,其制备简单、热解产物接近碳化硅的化学计量比,具有广阔的应用前景.未来该领域的研究重点是聚甲基硅烷的规模化合成,低成本改性聚甲基硅烷先驱体研究,聚甲基硅烷系列复合先驱体的制备等.     

粉体的表面修饰与表面包覆方法的研究

通过粉体的表面修饰与表面包覆以改善粉体的分散性，粉体的表面性质乃至改变粉体的相结构和性质，已经成为超细与纳米粉体制备和应用的关键技术。本文介绍了陶瓷粉体的各种表面修饰、粉体包覆的方法、基本原理、特点，详细讨论了液相化学包覆技术。     

残余碳对碳化硅陶瓷光学表面加工性能的影响

为深入了解碳化硅陶瓷的光学表面加工性能,采用常压固相烧结法制备了碳化硅陶瓷,在保证致密度的前提下,通过改变碳的含量,研究了残余碳对SiC陶瓷抛光面的表面质量和光学性能的影响。研究发现,C的质量含量为3%～7%时,SiC陶瓷抛光表面的RMS(root mean square)粗糙度均约为2nm。当C含量为3%～6%时,SiC陶瓷抛光表面在400～750nm波段的全反射率、漫反射率和镜面反射率无明显变化;当C含量升至7%时,全反射率稍有降低,漫反射率稍有上升,镜面反射率稍有降低。其原因可能是过多的残余碳引起SiC陶瓷的折射率下降和产生光学散射,最终造成镜面反射率降低。     

2.5维碳化硅纤维增强碳化硅复合材料的力学性能

采用低压化学气相渗透法制备了具有热解碳界面层的2.5维SiCf/SiC复合材料.研究了界面层厚度和基体制备工艺对材料力学性能的影响.结果表明:0.1μm厚的界面层使材料的弯曲强度提高了104.2%从144增加到294MPa),材料表现为非灾难性断裂;界面层厚度进一步增加(到0.161μm),纤维的增强效果减弱,材料的断裂行为变差.基体制备温度由1050℃降到950℃时,材料强度增加了≈45%(从188增加到274MPa):制备压力由8kPa增加到16kPa时,气孔率升高,SiC基体晶粒形状由菱形变为球形.基体的球形晶粒有利于提高材料的承载能力,虽然复合材料的气孔率较高,但其弯曲强度却稍有增加.     

表面化学改性吸附用活性炭的研究进展

活性炭表面官能团和杂原子的种类与数量多少决定了活性炭的表面化学性质，而化学性质决定了活性炭的化学吸附特性。通过进行表面氧化、还原以及负载增加或者消除某些基团和活性中心，可以大大改善活性炭对特定吸附质的吸附能力。文章简要介绍了活性炭表面存在的官能团、杂原子和化合物，并对近年来国内外在吸附用活性炭表面化学改性方面的进展进行评述。     

PBO纤维表面改性新进展

本文介绍了聚对苯撑苯并双噁唑(PBO)纤维的结构和性能,综述了目前国内外文献报道的PBO纤维酸处理法、偶联剂处理、等离子体处理、辐射处理等表面改性技术及其研究进展。     

碳化硅光学镜面加工

简要介绍了碳化硅光学镜面的主要应用领域;碳化硅材料的主要物理特性和几种常用的制备方法;比较了碳化硅材料与其他常用光学镜面介质材料的主要物理性质。介绍了碳化硅光学镜面的光学加工的流程和加工手段;比较分析了碳化硅光学镜面的光学加工过程各个步骤中所应用的磨具、磨料和加工方法。讨论了光学加工过程中各个步骤工艺参数的选择和降低碳化硅光学镜面表面粗糙度的途径。最后,简介了美国、俄罗斯和我国在碳化硅反射镜的光学加工方面所取得的成果。     

碳化硅粉末的制备与应用进展

本文简要评述了SiC粉末在制备方法和应用方面的最新进展，对不同方法所制SiC粉末的特点也作了评述，重点讨论了粒度在超细至亚微米范围内的SiC粉末的应用领域．     

纳米氧化锆表面改性研究进展

纳米二氧化锆是一种用途比较广泛的无机功能材料,本文介绍了纳米二氧化锆的表面性能以及表面改性研究进展,并对其改性研究作了展望。