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相似文献
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1.
2006年5月30日,代工厂商中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)和ARM公司共同宣布;中芯国际采用ARM Artisan物理IP系列产品中的ARM Metro低功耗/高密度产品和Advantage高性能产品,用于90纳米LL(低渗漏)和G(主流)处理工艺。该协议通过在ARM网站免费下载的方式进一步增进了两家公司在推动前沿设计和制造方案方面的协作和承诺。  相似文献   

2.
2005年6月6日,ARM公司宣布:IBM和特许半导体为其共同开发的65纳米工艺通用平台提供ARM Artisan Metro低功耗平台和ARM Artisan Velocity高速PHY系列产品。这一65纳米的协议进一步加强了三家公司为IBM—特许半导体90纳米通用平台所作的联合开发的努力,使代工厂合作伙伴的设计兼容性和生产灵活性方面有了更大的提高;同时,ARM Artisan的物理IP解决方案也帮助代工厂将尖端的低功耗设计技术和高速连通性能带入片上系统(SoC)设计的主流。  相似文献   

3.
2005年6月17日,ARM公司宣布:经流片验证的ARM Artisan Velocity串行连接200PHY(物理层)系列现已可以用于90纳米工艺技术。作为新的200PHY系列的一部分,ARM共提供4种全新产品来满足大量的1~6.4 Gbps高速串行互连标准.包括有PCI Express、Serial ATA.XAUI、Double XAUI以及底板应用,随着这一特意为当今90纳米工艺技木设计的先进新架构的诞生,ARM成为第一家能够提供一套完整基于可升级平台的经流片难的90纳米高速串行连接产品的IP供应商。  相似文献   

4.
ARM公司发布了其Artisan物理IP系列中的ARM Velocity DDR1和DDR2存储器接口,支持TSMC的90nm通用工艺。ARM Velocity DDRl/2存储器接口是第一个通过TSMCIP质量安全测试的、可即量产的90nmIP。  相似文献   

5.
2005年5月26日,ARM公司和联华电子联合宣布:两家公司签订协议,ARM将向联华电子先进的130纳米工艺技术提供Artisan Metro低功耗IP平台。ARM Artisan物理IP是专为高性能的便携式电子设备所开发的,能够在提高密度和良产率的同时显著地降低功耗;功耗最高降低80%,面积最高缩小20%,并提高良产率,为联华电子130纳米工艺最优化后的ARM物理IP向代工厂用户提供理想的低功耗便携式IC设计解决方案。  相似文献   

6.
台积电和ARM公司宣布双方在65纳米低功耗测试芯片上的设计合作,显降低了其动态功率和耗散(Leakage)功率。两家公司认为创新的低功耗设计技术对于最终的成功起到了关键的作用。  相似文献   

7.
2005年 4 月 11 日,ARM 公司宣布了其全新的 DesignStart计划,将向设计开发者提供基于台积电( TSMC)、联华电子(UMC)、中芯国际(SMIC)和特许半导体(Chartered Semicon ductor)代工厂技术的ARM7TDMI处理器技术。这一计划将利Artisan物理IP产品分发的网络渠道,免费发送 ARM7T  相似文献   

8.
ARM公司宣布东芝公司(Toshiba Corporation)与博通公司(Broadcom Corporation)授权获得了ARM PrimeCell产品,用于高性能片上系统(soc)设计。通过签订有关ARM PrimeCell产品的综合授权协议,东芝公司将在AMBA Designer环境下通过图形用户接口加快开发可直接部署的基础设施解决方案。博通授权获得了ARM PrimeCell高性能AMBA 3 AXI互联技术(PL301)和AMBA设计工具,用于包括无线和移动平台在内的下一代片上总线开发。  相似文献   

9.
《中国信息化》2008,(6):10-10
IBM和日立公司近日宣布,两家已经签署一项为期两年的半导体制程研究合作协议,共同研究开发32纳米甚至22纳米半导体工艺。两家公司的研究人员将尝试研究开发32纳米和22纳米半导体,尺度已经接近原子,从而加速芯片电路的小型化进程。  相似文献   

10.
ARM公司扩展了其Artisan物理IP系列产品中的Velocity DDR存储接口产品,以支持众多对SDRAM的特定应用要求。扩展后的ARMVelocity DDR产品和DDR、DDR2、Mobile DDR、GDDR3SDRAM的JEDEC标准相兼容,并支持领先代工厂的130纳米、110纳米、90纳米和65纳米的标准CMOS工艺。  相似文献   

11.
近年1月31日,TTPCom公司和ARM公司共同宣布了一项战略性合作协议,将共同设计和开发集成ARM处理器和TTPCom移动基带引擎(CBEmacro)的新一代3G知识产权平台。这一全新的平台将大大降低半导体厂商在开发3G SoC解决方案时的工程难度并加快产品上市时间。TTPCom将向半导体厂商提供一套集成了基于ARM技术的子系统以及TTPCom的多制式3G基带的解决方案,帮助半导体厂商以更快的速度、更低的费用以及更小的风险向市场推出其新产品。  相似文献   

12.
3GSM全球大会于2005年2月14日至17日在法国戛纳举行。会议期间。ARM与皇家飞利浦电子、NDS集团公司和SEQUANS通信三家合作伙伴分别宣布了授权合作协议。授权产品包括ARM公司业内领先的RealView开发工具、TrustZone软件和ARM926EJ-S处理器。  相似文献   

13.
各取所需     
Silicon Storage Technology(SST)日前宣布它已将其多通道闪存技术授权给了三星公司和台湾半导体制造公司(TSMC),以换取它需要的更先进的制造工艺,制造出面向多种市场的闪存产品。在此协议下,三星和TSMC将为SST制造闪存产品,使用的是其0.35微米技术,并在1998年转移至0.25微米技术。以前SST使用的是Sanyo的0.5微米技术。三星和TSMC都不能销售标准的基于SST技术闪存产品,只能在逻辑设备(如微控制器)中  相似文献   

14.
ARM与有线和无线通信半导体公司Broadcom(博通)共同宣布,博通已获得ARMv7和ARMv8架构授权。此项协议将助力博通基于ARM架构研发自己的处理器产品。ARMv7架构是包括Cortex-A15和Cortex-A9处理器在内的目前所有32位ARM Cortex处理器产品的基础。ARMv8架构  相似文献   

15.
中国无晶圆集成电路设计公司方舟科技有限公司通过授权获得了ARM926EJ-S处理器。该授权协议使方舟科技不仅能受益于领先的ARM处理器技术,还将得到业已形成的围绕着ARM架构的生态系统的支持,加速为消费电子市场设计具有更强功能的先进SoC解决方案。  相似文献   

16.
2005年11月22日,ARM公司宣布上海交大汉芯科技有限公司获得ARM922T处理器的授权,此公司是从上海交通大学集成电路和系统研究中心实验室独立出来的一家公司。通过ARM的代工厂计划(ARM Foundry Program),这个授权协议将使上海交大汉芯科技能够开发基于ARM技术的片上系统解决方案,以满足中国移动电话和消费娱乐电子产品市场对于低功耗高性能的不断增长的要求。  相似文献   

17.
深圳市英蓓特信息技术有限公司(英蓓特)和ARM公司宣布:英蓓特被指定为ARM RealView及Keil嵌入式开发工具在中国的分销商。RealViaw和Keil开发工具分销网络的扩展使得中国设计基于ARM产品的工程师能够更方便的获得先进的ARM工具,以实现高质量的系统开发和快速的产品上市时间。  相似文献   

18.
近日,ARM公司发布了其首个专为快速虚拟原形软件开发所设计的,基于全新ARM代码转换仿真技术的快速虚拟原型模型,该系列中的第一款模型是为ARM1176JZ(F)-S处理器设计的RealView实时系统模型.它在运行Windows的PC上,平均速度为3GHz时;能执行超过100MIPS的Linux启动,使得软件开发者能够在基于ARM处理器架构的模型上进行高速仿真.这也使得系统软件和硬件开发可以同时进行,从根本上加快了重要产品的上市时间。  相似文献   

19.
文章介绍了在原子力显微镜(AFM)纳米操作系统中ARM处理器的应用及开发,在此基础上搭建了具有3D力反馈的纳米操作系统。结合AFM纳米操作系统的实时性问题,进行了ARM开发板的系统软件架构和PSD(四象限光电检测器)信号的PID控制结果的分析,使纳米操作系统在实时性和成像的质量等方面都得到相应改进。  相似文献   

20.
32位RISC CPU ARM芯片的应用和选型   总被引:13,自引:1,他引:12  
ARM公司以及ARM芯片的现状和发展,从应用的角度介绍了ARM芯片的选择方法,并介绍了具有多芯核结构的ARM芯片。列举了目前的主要ARM芯片供应商其产品以及应用领域。举例说明了几种嵌入式产品的最佳ARM芯片选择方案。  相似文献   

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