端镜面镀膜对具有DC—PBH结构的MQW—LD光电性能的影响

报告了具有ＤＣ－ＰＢＨ（双沟平面掩埋异质结构）的ＭＱＷ－ＬＤ（多量子阱激光器）端镜面镀膜对阈值电流Ｉｔｈ和激射波长γｐ的影响。指出：端镜面镀高反射膜ＨＲ（反射率Ｒ２＝７５％￣９０％），Ｉｔｈ可降低３．８￣５．１ｍＡ，γｐ加长４ｎｍ左右；端镜面镀增透膜ＡＲ（反射率Ｒ１＝１０％￣１５％），Ｉｔｈ将增加３ｍＡ，波长变化趋势不明显。分析和讨论了导致这些变化的物理机理。实验结果和理论计算基本一致。     

螺旋线镀膜对慢波组件散热性能影响的研究

该文研究了镀膜螺旋线的使用对慢波组件散热性能的影响。估算了采用镀膜螺旋线后,组件散热能力的改善情况。利用ANSYS软件进行了计算机模拟热分析,分析了螺旋线采用镀铜膜,镀金膜,镀金刚石膜对慢波组件散热性能的影响。最后,对镀铜和镀金螺旋线的慢波组件进行了实验研究。实验结果与理论分析非常一致。     

镜面污染对红外光学系统杂散辐射性能的影响

高灵敏度的红外光学系统中,系统自身热辐射成为影响系统探测性能的重要因素之一,而在一些应用低散射光学元件的散射敏感红外光学系统中,污染微粒经常是杂散辐射的主要来源.以卡塞格伦结构为例,利用ASAP光学分析软件,建立了红外望远镜系统的三维仿真模型.在此基础上,对反射镜干净、基本洁净(洁净度250)、轻度污染(洁净度500)...     

用AMRAY－1910FE场发射扫描电镜研究不同材料和方法的导电膜蒸镀对试样形貌观察的影响

本文通过离子溅射镀膜和高真空蒸发镀膜两种方法，用金和钯铱合金做为蒸发源，对样品表面蒸镀导电层。然后用ＡＭＲＡＹ－１９１０ＦＥ场发射扫描电镜观察试样表面蒸镀层对试样形貌的影响。实验表明在放大倍数超过５万倍以上观察试样时，由于金镀层粒度太大，因此不能用来做为表面导电镀层。但用高真空蒸发镀膜，用钯铱合金做为试样表面蒸镀材料，在２５万倍以下观察时，无论从膜的导电性方面或是其颗粒度方面来看都不失为一种较好的蒸镀材料。     

工艺条件对柔性衬底ITO薄膜光电性能的影响

采用直流磁控溅射法在柔性衬底上镀制ITO透明导电薄膜,全面研究了薄膜厚度、氧气流量、溅射速率、溅射气压和镀膜温度等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响。结果表明,当膜厚大于80nm、氧氩体积比为1∶40、溅射速率为5nm/min、溅射气压在0.5Pa左右、镀膜温度为80～160℃时,ITO薄膜的光电性能较好,其电阻率小于5×10–4?·cm、可见光透光率大于80%。     

溅射时间对AZO薄膜结构以及光电性能的影响

应用直流磁控溅射在石英玻璃上生长AZO薄膜,利用X射线双晶衍射(XRD)、四探针以及可见光分光光度计,对薄膜结构特性、光学以及电学特性进行了分析,并讨论了溅射时间对薄膜晶体结构、膜厚、方块电阻以及透过率的影响。针对AZO在LED中作为电流扩展层的应用,利用光学模拟软件TFCalc对AZO以及SiO2构成的双层膜的透过率进行了模拟,用溅射和PECVD分别生长AZO以及SiO2薄膜加以验证。通过适当的调节薄膜厚度,可使透光率在可见光波段有整体上的提升。     

掺Al对ZnO薄膜结构和光电性能的影响

采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了ZnO∶Al薄膜。通过XRD、UV透射谱和电学测试等分析方法研究了掺Al对薄膜的组织结构和光电性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角度移动,峰强逐渐减弱。薄膜电阻率随掺Al浓度变化,当掺Al浓度为1.5%(摩尔分数),薄膜电阻率降至6.2×10-4Ω·cm。掺Al量的增加同时使得薄膜的禁带宽度变大,光吸收边出现蓝移现象。     

溅射功率对Co-ZnO薄膜结构和光电性能的影响

以氧化锌陶瓷靶和金属钴靶为靶材,利用磁控共溅射方法制备钴掺杂氧化锌(Co-ZnO)薄膜。研究了溅射功率对薄膜的结构、光学和电学性能的影响。结果表明:薄膜具有类似于ZnO的六方纤锌矿结构,并沿C轴择优生长;作用在Co靶上的溅射功率对Co-ZnO薄膜的结构和光电性能有一定的影响。在其他条件不变的情况下,当Co靶上的溅射功率设置为10 W时,样品的结晶质量、表面形貌、光透过率、光致发光以及导电性能综合评价最优。     

硅基PIN光电探测器结构参数对其性能的影响

对硅基PIN光电探测器器件模型进行了理论分析,讨论了硅基PIN光电探测器的I-V特性与器件的i层厚度和整体宽度的变化关系,并进行了仿真分析。实验结果表明,随着i层厚度从5μm增加到70μm,器件的正向电流逐步减小,且i层厚度与其正向电流成反比;随着器件宽度从50μm增加到90μm,器件的正向电流逐步增大,且器件宽度与其正向电流成正比;引入保护环结构可以明显降低器件的暗电流。对PIN器件的结构参数进行了优化设计,结果表明在所设置的器件工艺条件下,当器件的i层厚度为50μm、整体宽度为70μm时,器件的性能最佳。     

杂质锗对CZ－Si性能的影响

杂质锗对ＣＺ－Ｓｉ性能的影响张维连，刘彩池，王志军，冀志江（河北工学院材料研究中心天津３００１３０）摘要ＣＺ－Ｓｉ中掺入等价元素Ｇｅ后能有效地抑制氧施主的形成速率和降低氧施主最大浓度，提高硅片的机械强度．对其机理进行了简要的探讨．ＰＡＣＣ：８１４０，...     

沉积温度对纳米ZnO薄膜的结构和光电性能的影响

采用阴极电沉积的方法,用ZnCl2的二甲基亚砜溶液做电解液,在导电玻璃上制备了纳米ZnO薄膜.研究了沉积温度对薄膜结构特性和光电性能的影响.XRD分析表明,ZnO薄膜为纤锌矿结构,电解液温度的升高能促进纳米ZnO薄膜的(002)面(c轴)择优取向的程度.随着电解液温度的升高,薄膜的禁带宽度和面电阻减小.光学测试表明样品的透射率可高达80%以上,电学测试表明样品的面电阻值最小可达7.57×104 Ω/□.AFM显示电解液温度对ZnO晶粒形貌及晶粒大小的影响很大.     

器件焊端和印制板镀层对混装焊点性能的影响

随着电子产品无铅化的不断推进,在高可靠电子产品组装中,无铅镀层器件与有铅焊料混合装配焊接的情况不可避免。采用正交实验研究四种不同镀层的QFP器件、三种镀层PCB、两种温度曲线和SnPb焊膏的兼容性,并测定焊点的抗拉强度,采用扫描电镜分析焊点形貌。结果表明,在不同镀层器件的混装实验中,Sn和SnPb镀层焊点强度高于NiPdAu和SnBi镀层焊点;对于纯Sn镀层器件,采用有铅工艺温度曲线能够兼容该类器件的焊接;在实验采用的三种镀层工艺中,含铅热风整平工艺对焊接温度曲线的兼容性最好。     

缓冲层对太阳电池用ZnO:B薄膜结构及其光电性能的影响

通过优化ZnO缓冲层(buffer layer),有效地改善了由金属有机化学气相沉积(MOVCD)法制备的ZnO:B薄膜的光电特性。结果表明,"富氧"的缓冲层有效增加了ZnO:B-TCO的近红外区域透过率,使其更适应宽光谱薄膜太阳电池的发展要求。经过优化的ZnO:B,"类金字塔"状晶粒尺寸约300～500nm,波长550nm处绒度(haze)为10.8%,薄膜电子迁移率为20.7cm2/Vs,电阻率为2.14×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.41×1020cm-3,且在400～1 500nm波长范围内的平均透过率为83%(含2mm厚玻璃衬底)。     

新型复相陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ的界面结构及其对材料性能的影响

本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料Ｊｘ－２－Ⅰ的界面结构，结果表明，在Ｊｘ－２－Ⅰ中Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构；发现在ＳｉＣｗ、ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３上有孪晶产生；分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ⅰ材料的整体性能。     

缓冲层材料对纤锌矿结构GaN(0001)光电发射性能的影响研究

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上异质外延生长了GaN光电发射层,为降低GaN发射层和蓝宝石衬底间的晶格失配与热失配,在蓝宝石衬底和GaN发射层间分别采用了AlN和AlxGa1-xN两种不同的缓冲层材料。对具有不同缓冲层材料的两种样品进行了表面清洗与激活,在激活结束后利用多信息量测试系统分别测试了样品的光谱响应,其最大量子效率分别为13%和20%,依据激活后光电阴极的光谱响应作为评估标准,可以得出,采用组份渐变AlxGa1-xN作为缓冲层激活出的阴极具有更高的光电发射性能,从而实现了GaN光电阴极结构的优化设计。     

低温退火对具有HfO2/TiN栅结构的MOS电容电学性能的影响

The effects of low temperature annealing,such as post high-k dielectric deposition annealing(PDA),post metal annealing(PMA)and forming gas annealing(FGA)on the electrical characteristics of a metal–oxide–semiconductor(MOS)capacitor with a TiN metal gate and a HfO2dielectric are systematically investigated.It can be found that the low temperature annealing can improve the capacitance–voltage hysteresis performance significantly at the cost of increasing gate leakage current.Moreover,FGA could effectively decrease the interfacial state density and oxygen vacancy density,and PDA could make the flat band positively shift which is suitable for P-type MOSs.     

中温烧结BaTiO3基瓷的非均匀结构对εr－T特性的影响

含低熔物Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２及ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３基中温烧结瓷料，通过改性物Ｌａ、Ｎｂ等在固－液相烧结过程中溶－析和缺位补偿固溶，主晶相ＢａＴｉＯ３晶粒形成核－壳结构，并存在玻璃相。这种非均匀结构对铁电相的制约作用，引起瓷料的εｒ－Ｔ特性的改变