如何有效控制湿度敏感器件

湿度敏感器件(MSD)对SMT生产直通率和产品的可靠性的影响不亚于ESD，所以认识MSD的重要性，深入了解MSD的损害机理，学习相关标准，通过规范化MSD的过程控制方法，避免由于吸湿造成在回流焊接过程中的元器件损坏来降低由此造成的产品不良率，提高产品的可靠性是SMT不可推脱的责任。     

制造工艺中不可忽视的课题：湿度敏感器件（MSD）

从20世纪80年代早期——表面贴装技术(SMT)的出现，人们便开始围绕组装工艺中塑料封装IC器件的湿度敏感性这一严重问题展开了讨论。湿气会扩散到电子封装里面去，这是一个复杂的现象，在制造过程中，受潮的器件不能直接进行回流焊接。许多PCB组装人员经常会误解湿度敏感现象的本质及其工艺指导原则。在生产现场正确地遵循工艺指导原则，是对生产工艺的一个巨大挑战。10年前，我们在ESD(Electrostatic Sensirive Devices静电敏感器件)面前不知所措，而今我们又在MSD面前似乎显得束手无策。随着MSD器件在PCB组装厂中用量的慢慢增长，为了提高电子产品的可靠性，无疑又一次向我们提出了新的挑战。     

对湿度敏感器件的严格控制

随着电子技术的不断发展，人们对电子产品的可靠性越来越关注，这同样促使制造厂商对湿度敏感器件（moisture-sensitive devices，简称MSD）的关注程度不断上升。在以往的电子组装过程中，这些可能都不是问题。但是随着元器件朝着小型化和廉价化方向的发展，塑料封装已经成为了常规做法。这时，确保潮湿气体不会进入器件内部就非常重要。     

ESD与EMP对微波晶体管损伤机理研究

主要论述了电子装备中易受静电放电(ESD)和电磁脉冲(EMP)损伤的微波半导体器件的失效模式和失效机理.实验与理论分析结果表明,电流放大系数hFE是ESD、EMP损伤的敏感参数;在ESD、EMP的作用下,器件进入雪崩击穿状态(反偏注入),从而诱发热电子注入效应,使hFE逐渐退化;BC结反偏时的失效能量低于EB结反偏时的失效能量,BC结是EMP损伤的较易损端口;改进器件的结构设计、提高器件抗ESD、EMP能量,可有效提高电子装备抗电磁脉冲的可靠性水平.     

基于工业数据挖掘的ESD软失效分析

针对电子产品出货后出现ESD软失效而导致的退货现象,文章通过机器学习算法分析产品ICT电性能测试参数、生产线ESD防护监控数据和产品ESD软失效的相关性。集成算法模型经过优化,分类准确率达到0.88,可以用于量产电子产品的ESD软失效的识别和出货风险管控。同时,利用ESD防护监控点风险指数数据集可以提高产品ESD软失效的识别准确率（8.6%）。安装部署基于物联网技术的静电放电防护监控系统,对管控电子产品生产过程中的ESD软失效风险以及控制出货风险是很有帮助的,可以提高电子制造业防静电管控的智慧化水平。     

硅通孔互连技术的可靠性研究

随着电子封装持续向小型化、高性能的方向发展,基于硅通孔的三维互连技术已经开始应用到闪存、图像传感器的制造中,硅通孔互连技术的可靠性问题越来越受到人们的关注。将硅通孔互连器件组装到PCB基板上,参照JEDEC电子封装可靠性试验的相关标准,通过温度循环试验、跌落试验和三个不同等级的湿度敏感性测试研究了硅通孔互连器件的可靠性。互连器件在温度循环试验和二、三级湿度敏感试验中表现出很好的可靠性,但部分样品在跌落试验和一级湿度敏感性测试中出现了失效。通过切片试验和扫描电子显微镜分析了器件失效机理并讨论了底部填充料对硅通孔互连器件可靠性的影响。     

基于失效特征的静电损伤分析研究

静电放电损伤失效分析是电子制造企业分析产品质量问题和提高产品质量可靠性的难点和关键技术之一。总结梳理生产制造过程中常见的静电源和释放通路,研究元器件静电放电损伤的敏感结构,研究静电放电损伤的失效机理及其典型形貌特征,探讨静电损伤(ESD)、过电损伤(EOS)和缺陷诱发失效的鉴别方法。最后将这些方法应用在具体的失效案例中,为企业开展静电放电失效分析工作提供一种有效的鉴别分析方法。     

ESD电路保护设计中的若干关键问题

兼顾ESD抑制器件的电容和布局因素的超高速数据传输线路保护电路设计师在设计实用而可靠的产品过程中面临着许多静电放电(ESD)问题。不仅如此,电子产品市场向更高数据吞吐量和信号速度发展的趋势更使这本已复杂的问题雪上加霜。ESD保护基本上分为两类:即在制造过程中的保护以及在“现实”环境中的保护。     

热烈庆祝美的集团生活电器事业部电子公司通过“ANSI／ESDS20．20：2007管理体系认证”审核

现今飞速发展的电子制造企业中，因静电防护（ESD）与电子产品可靠性紧密相联，越来越受到企业的高度重视，而且ESD控制水平直接反映了电子产品生产企业的技术水准和产品质量控制水平。所以从2005年开始，衡量企业ESD控制水平的ESD认证工作在全球迅速展开，     

对潮湿敏感器件的过程追踪

在电子组装工艺实施的过程中，注意对潮湿敏感器件(moisture-setlsitive devices简称MSD)的追踪正愈来愈受到人们的重视。在以往的电子组装过程中，这些可能都不是问题。当表面贴装器件(SMD)首次成为能够满足设计师和装配工程师的要求，而大批量投入到电子产品生产之中的时候，器件的封装是严格密闭的，为此它不会受到大气中潮湿气体的影响，潮气一般不会     

Analysis of ESD protection structure behaviour after ageing as new approach for system level reliability of automotive power devices

ESD (electrostatic discharge) protection devices as part of the device pad circuitry of semiconductors are designed for a specific wafer technology and ESD withstanding voltage. After successful qualification they will be released for a usage in high volume products where they must ensure the ESD robustness over the complete product lifetime.All present automotive qualification standards e.g. AEC (automotive electronic council) or JEDEC do not cover the assessment of the typical drifts of the characteristic electrical ESD protection device parameters after application of device specific reliability stress tests under consideration of the target ESD stress [Automotive Electronic Council, AEC-Q100-Rev-F, 2003; Automotive Electronic Council, AEC-Q101-Rev-C, 2005; JEDEC JP-001, Foundry Process Qualification Guideline, 2002].The paper introduces a methodology to characterize ESD protection diodes after ageing by BTS (bias temperature stress) reliability tests. The used devices are partly ESD pre-stressed before application of the reliability test. The influence of the reliability stress on the ESD robustness is evaluated by using an ESD post-stress.The experimental results are presented and discussed. For ESD protection devices release targets for automotive power applications are defined.     

静电放电作用下微波双极型晶体管的失效机理研究

通过理论建模和试验测试的方法研究了多指结构微波双极型晶体管在静电放电作用下的热稳定性和电稳定性。选择2SC3356作为受试器件,对100个测试样本进行人体模型静电放电注入实验,并从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化出发,用二维器件级仿真软件辅助分析了在静电放电应力下其内在损伤过程与机理。由于指间热耦合的存在,雪崩电流在各指上分布不均,局部的电流拥挤和过热效应会导致晶格损伤。试验结果表明,由于特殊的物理结构,受试器件对静电放电最敏感的端对并不是EB结,而是CB结,当静电放电电压增大到1.3KV时,CB结首先损坏。失效分析进一步表明静电放电引起的失效机理通常是介质层的击穿和局部铝硅共晶体的过热融化。静电放电注入实验的过程中存在积累效应,多次低强度的注入测试会导致潜在性失效并使器件性能大幅下降。     

SMT车间物料管理

SMT车间物料管理是否合理,直接影响到电子产品质量可靠性.较为详细地阐述了湿气敏感物料,尤其是元器件的包装、运输、储存、使用以及烘干处理等技术要求,保证了电子产品的制造可靠性.     

陶瓷封装过程中的静电防护

半导体器件制造过程中的静电防护是十分重要的。文章从静电放电的模式出发,结合封装制造过程实际情况,列举了静电防护的各种措施。从材料、设备、设施等各方面提供有效的静电防护和安全的静电放电通道。随着半导体器件的高密度化以及为满足更多静电敏感器件的需要,传统的静电防护措施能力已经远远不够,还须对更多静电防护的细节进行改进提升。同时结合生产过程中的静电失效情况,在分析过程中找出失效源,进而在设备、材料上进一步提升整个静电防护系统的能力,为有效降低器件所受的静电损伤提供有力的保障。     

电子式电能表单板老化的实现

电子式电能表要求有较高的质量稳定性和可靠性,而质量稳定性和可靠性却受制造工艺和电子器件的质量寿命影响。为了达到提前暴露电子器件的质量缺陷和延长其寿命并且不影响大批量生产周期的目的,同时降低成本投入,保证高效率,在此提出采用高温单板老化工艺来提高电能表的稳定性和可靠性。实验结果表明,该方式能够使产品现场运行稳定可靠。     

降低半导体器件失效率的有效措施

要提高电子产品的可靠性水平,必须加强对元器件的质量管理。本文系统地介绍了采用优选生产厂家、高温贮存、功率老化、质量信息反馈、改善检测手段等方法来降低半导体器件的失效率,提高整机的可靠性。实践证明,这些措施简单有效。     

双界面智能卡芯片模拟前端ESD设计

双界面智能卡芯片静电放电(ESD)可靠性的关键是模拟前端(AFE)模块的ESD可靠性设计,如果按照代工厂发布的ESD设计规则设计,AFE模块的版图面积将非常大.针对双界面智能卡芯片AFE电路结构特点和失效机理,设计了一系列ESD测试结构.通过对这些结构的流片和测试分析,研究了器件设计参数和电路设计结构对双界面智能卡芯片ESD性能的影响.定制了适用于双界面智能卡芯片AFE模块设计的ESD设计规则,实现对ESD器件和AFE内核电路敏感结构的面积优化,最终成功缩小了AFE版图面积,降低了芯片加工成本,并且芯片通过了8 000 V人体模型(HBM) ESD测试.     

失效电子元器件分析方法

介绍了一种电子元器件失效分析方法,给出了失效器件失效的统计要素,并对失效要素进行分析、研究失效模式与失效机理,找出失效原因,找到生产过程中的薄弱环节,制定相应措施,及时有效预防器件的再次失效,提高电子元器件的使用可靠性,进而提高整机可靠性,以较小的质量成本获取较高的经济效益,避免产品出现重复性问题,最终达到控制质量成本的目的。     

军用单片集成电路QML质量保证体系研究

军用单片集成电路的质量保证体系经历了由QPL体系向QML体系转变的过程。文章介绍了两种质量保证体系的发展过程和特点，并着重阐述了QML体系的优势以及具体实施途径。QML体系对集成电路的制造（包括从设计到最终检验）全过程中质量控制相关要求进行了详细阐述，尤其是在线工艺监控（PM）和可靠性测试结构（TCV）的关键点，旨在表...     

Failure mechanisms of discrete protection device subjected to repetitive electrostatic discharges (ESD)

High reliability electronic devices need to sustain thousands of electrostatic discharge (ESD) stresses during their lifetime. In this paper, it is demonstrated that repetitive ESD stresses on a protection device such as a bidirectional diode induce progressive defects into the silicon bulk. With “Sirtl etch” failure analysis technique, the defects could be localized quite precisely at the peripheral in/out junctions. The degradation mechanisms during repetitive IEC 61000-4-2 pulses have been investigated on a protection diode with the objective of improving the design for sustaining 1000 pulses at 10 kV level.