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稳压二极管(又名齐纳二极管)简称稳压管,顾名思义它是一种专门用来稳定电路工作电压的二极管。我们知道,当普通二极管外加的反向电压大到一定数值后,反向电流会突然增大。将管子损坏,这种现象叫做“击穿”。但是由于稳压二极管内部构造的特点,它却正适合在反向击穿状态下工作,只要限制电流的大小,这种击穿是非破坏性的。这时尽管通过稳压二极管的电流在很大范围内变化,但是稳压二极管两端的电压几乎不变,保持稳定。 相似文献
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室温下,沟槽底部有氧化物间隔的结势垒肖特基二极管的击穿电压达到2 009V,正向导通压降为2.5V,在正向偏压为5V时,正向电流密度为300A/cm2。在P型多晶硅掺杂的有源区生成双层SiO2间隔,以优化漂移区电场分布,正向导通压降为2.5V,击穿电压达到2 230V,耐压值提高11%。反向电压为1 000V时,反向漏电流密度比普通结构降低90%,有效地降低了器件的漏电功耗。普通结构的开/关电流比为2.56×103(1~500V),而改进结构的开/关电流比为3.59×104(1~500V)。 相似文献
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对氢气烧结造成二极管击穿电压蠕变的机理进行了分析,认为烧结过程中过多的H~+离子进入SiO_2层中,成为SiO_2层中的可动正离子,是造成击穿电压蠕变的根本原因。并通过序贯三次L_9(3~4)正交试脸优选,确定了2CK系列大电流开关二极管的氢气烧结最佳工艺条件,使生产效率提高为真空烧结时的三倍,而烧结相同数童的产品耗电却下降了三分之一,使生产效率得到了显著提高。 相似文献
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在对4H-SiC高压PIN二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的高压4H-SiC PIN二极管耐压特性进行了模拟仿真计算,并取得了很多有价值的计算结果。利用平面制造工艺,结合仿真提取的参数,试制了高压4H-SiC PIN二极管。实验测试结果表明,仿真计算的结果与实际样品测试的数据一致性较好,实测此器件击穿电压值已达到1 650V。 相似文献
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PIN管控制电路功率容量的确定 总被引:4,自引:1,他引:3
PIN管控制电路的功率容量是一个重要的电路参数,必须全面考虑PIN管本身的功率容量和电路结构形式、施加的反向偏置电压、射频信号的频率和形式以及电路在系统中的匹配状况、工作环境和可靠性要求等各项因素综合确定。分析了对影响电路功率容量确定的各种因素,介绍了在射频系统中PIN管控制电路功率容量确定的综合方法。 相似文献
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Ni,Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管 总被引:1,自引:0,他引:1
采用本实验室生长的4H-SiC外延片,分别用高真空电子束蒸Ni和Ti做肖特基接触金属,Ni合金作欧姆接触,SiO_2绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术,制作出4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。该器件在室温下反向击穿电压大于600 V,对应的漏电流为2.00×10~(-6)A。对实验结果分析显示,采用Ni和Ti作肖特基势垒的器件的理想因子分别为1.18和1.52,肖特基势垒高度为1.54 eV和1.00 eV。实验表明,该器件具有较好的正向整流特性。 相似文献
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Hang Zhou Jingrong Yan Jialin Li Huan Ge Tao Zhu Bingke Zhang Shucheng Chang Junmin Sun Xue Bai Xiaoguang Wei Fei Yang 《半导体学报》2023,44(11):113101-1-113101-10
The comparison of domestic and foreign studies has been utilized to extensively employ junction termination extension (JTE) structures for power devices. However, achieving a gradual doping concentration change in the lateral direction is difficult for SiC devices since the diffusion constants of the implanted aluminum ions in SiC are much less than silicon. Many previously reported studies adopted many new structures to solve this problem. Additionally, the JTE structure is strongly sensitive to the ion implantation dose. Thus, GA-JTE, double-zone etched JTE structures, and SM-JTE with modulation spacing were reported to overcome the above shortcomings of the JTE structure and effectively increase the breakdown voltage. They provided a theoretical basis for fabricating terminal structures of 4H-SiC PiN diodes. This paper summarized the effects of different terminal structures on the electrical properties of SiC devices at home and abroad. Presently, the continuous development and breakthrough of terminal technology have significantly improved the breakdown voltage and terminal efficiency of 4H-SiC PiN power diodes. 相似文献
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分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等.用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳二极管噪声谱密度典型值达到0.11 μV/平方根(Hz)(2 kHz频率点),比设计指标4.0 μV平方根(Hz)低一个数量级. 相似文献
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为提高传统肖特基二极管的击穿电压,减小了器件的漏电流,提高芯片利用率,文中设计研制了适合于裸片封装的新型肖特基势垒二极管(SBD)。利用Silvaco Tcad软件模拟,在器件之间采用PN结隔离,器件周围设计了离子注入形成的保护环,实现了在浓度和厚度分别为7.5×1012 cm-3和5 μm的外延层上,制作出了反向击穿电压45 V和正向导通压降0.45 V的3 A/45 V肖特基二极管,实验和仿真结果基本吻合。此外,还开发了改进SBD结构、提高其电特性的工艺流程。 相似文献
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目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入.从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响.当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6V.DP注入能量在50 keY以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2 μm时击穿电压保持为7V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升.通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护. 相似文献