多晶硅的ECR等离子体刻蚀

报道了用CF4作工作气体的ECR刻蚀poly－Si技术，研究了微波功率、气体流量、气压和射频偏置功率对刻蚀速率的影响，并对实验结果进行了讨论，实验中微波等离子体功率范围在100－500W，CF4气体流量在10－50cm^3/min（标准状态下）范围，气压在0.25-2.5Pa范围，射频偏置功率在0－300W范围，对应的刻蚀速率为10.4-46.2nm/min。     

多晶硅的ECR等离子体刻蚀

报道了用CF4作工作气体的ECR刻蚀poly-Si技术,研究了微波功率、气体流量、气压和射频偏置功率对刻蚀速率的影响,并对实验结果进行了讨论.实验中微波等离子体功率范围在100～500 W,CF4气体流量在10～50 cm3/min(标准状态下)范围,气压在0.25～2.5 Pa范围,射频偏置功率在0～300 W范围,对应的刻蚀速率为10.4～46.2 nm/min.     

PZY铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究

以SF6和SF6＋Ar为刻蚀气体。采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶．凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除．研究了不同气体总漉量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响。指出当气体混合比约为20％时。刻蚀速率达到最大值．锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明，在SF6和SF6＋Ar气体中。被刻蚀后样品的Pb含量大大减少。TiO2的刻蚀是限制铬钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的主要因素．     

微波ECR等离子体材料加工技术研究

微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体技术近年来在薄膜沉积、材料改性和有机高分子材料聚合等材料加工领域获得了广泛的应用与快速发展,本文结合近期的主要研究结果对此作一介绍。     

微波ECR等离子体材料加工技术研究

微波电子回旋共振等离子体技术近年在薄膜沉积、材料改性和有机高分子材料聚合等材料加工领域获得了广泛的应用与快速发展，本结合近期的主要研究结果对此作一介绍。     

电子回旋共振等离子体技术新进展

叙述了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体技术的基本工作原理，主要特点以及发展概况，着重从ＥＣＲ等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ＥＣＲ技术进行了讨论。由于ＥＣＲ微波等离子体技术具有密度高、电离度大、工作气压低、表面损伤小等特点，在反应离子刻蚀（ＲＩＥ）、等离子体化学气相淀积（ＣＶＤ）和溅射方面具有广阔的应用前景。     

在高ECR 等离子体密度下沉积高质量氮化镓薄膜

目的　研究在电子回旋共振等离子体辅助法生长ＧａＮ 时的离子密度对其质量的影响．方法　用朗缪尔探针测量离子密度,用Ｘ 射线双晶衍射及霍尔测量分析ＧａＮ的质量与性能． 结果离子密度越高,薄膜的质量与性能就越好． 当生长ＧａＮ 时的离子密度为２－０ ×１０１１ ｃｍ － ３ 时,所得ＧａＮ 晶膜的氮镓量比接近于１ ,本底电子密度为３－７ ×１０１８ ｃｍ － ３ ,Ｘ 射线双晶衍射回摆曲线的半高宽为１６ ａｒｃｍｉｎ ． 结论　提高离子密度能明显提高ＧａＮ 的质量与性能     

ECR等离子体刻蚀对玻璃光学和润湿性能的影响

为了提高太阳能电池盖板玻璃的透过率和自清洁性能,采用电子回旋共振( ECR)等离子体刻蚀与金属颗粒掩膜结合的方法刻蚀硼硅酸盐玻璃,采用扫描电镜( SEM)对刻蚀后玻璃表面形貌进行了观察,采用分光光度计测量了刻蚀前后玻璃透过率变化,并用接触角仪测定了刻蚀前后玻璃表面润湿性变化. 结果表明:经过ECR等离子体刻蚀后,在玻璃表面形成多山峰状纳米结构,平均尺寸约在80～140 nm,并有效提高了玻璃的可见光透过率,尤其是在有偏压刻蚀后透过率由原来91%提高到94. 4%,同时,玻璃表面亲水性增强,接触角θc由原来的47. 2°变为7. 4°,自清洁性能得到提高.     

ECR微波等离子体CVD制备a—Si：H薄膜

电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积（ECRPCVD）应用于制备a-Si:H薄膜，其沉积速率大于射频等离子体化学气相沉积（RFPCVD），而且在基体不加温情况下也能获得比较满意的特性，根据红外吸收谱分析，并经伸缩振动模吸收带的积分计算，得出样品的含氢量为20－30％，光学带隙E0为1．80eV左右，暗电导率小于10^10s/cm，倘若基体适当加温，a-Si:H膜的性能将更为优良。     

受控热核聚变研究进展

面向等离子体材料作为聚变等离子体和核反应堆结构之间的主要界面, 遭受恶劣的辐照条件, 为了提升对面向等离子体材料的改进研究, 实验室模拟聚变环境装置.基于已搭建完成的用于研究聚变反应堆中等离子体-材料相互作用的电子回旋共振(electron cyclotron resonance, ECR)直线等离子体装置, 使用有限元方法计算模拟了腔室内励磁线圈与永磁体叠加磁场的分布情况以及在此背景磁场下带电粒子在磁场中的运动轨迹.结果表明: 磁场模拟结果与实验数据较为符合, 共振面位置随线圈电流的增大而远离微波窗口.带电粒子轨迹模拟结果与实验中近似梨形等离子体束的分布一致, 且到达样品台的束流密度随着励磁线圈电流的增大而增大.该研究可为ECR直线等离子体装置的进一步优化提供参考.

     

微波ECR等离子体溅射沉积TiN薄膜的研究

用微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体溅射法在常温下制备出优质的ＴｉＮ薄膜．采用静电探针技术，对ＥＣＲ等离子体进行了诊断，研究了等离子体参数与装置运行参数之间的关系，探讨了等离子体参数对成膜工艺过程的影响．     

微波电子回旋共振等离子体溅射法沉积ZnO薄膜

ＺｎＯ薄膜具有强的压电和光电效应，广泛用于制作各种声电和声光器件中．本文报道了用微波ＥＣＲ等离子体溅射法沉积了ＺｎＯ薄膜，并研究了该法制备ＺｎＯ膜的工艺．结果表明，所形成的ＺｎＯ膜的性质强烈地依赖于溅射沉积条件．     

封闭式电子回旋共振等离子体低温沉积SrTiO3膜

在室温条件下，用封闭式电子回旋共振(MCECR)等离子体溅射方法沉积了SrTiO3(STO)膜．用Ar等离子体在Si基片上溅射的STO膜是非晶的，然而用Ar／O2等离子体在Pt／Ti／SiO2／Si上溅射的是充分结晶的STO膜．为了使非晶薄膜结晶，用电炉加热或28GHz微波辐射对非晶STO膜进行退火处理．采用微波辐射，使基片温度为573K时，在Si上的STO膜退火后的介电常数大约为260，这值近似等于块状STO材料的介电常数．由于微波辐射能够降低薄膜的退火温度和提高薄膜的电特性，因而被认为是非常有用的．     

同轴配对电子回旋共振放电产生的等离子体磁场约束的影响

运用朗缪尔探针诊断技术对同轴配对电子回旋共振产生等离子体磁场约束的影响进行了研究。在磁镜约束条件下,电子回旋共振源轴线附近等离子体的密度非常高,但是随着径向距离的增加等离子体的密度会迅速下降;而在会切磁场约束条件下,离子体的密度相对较低却分布均匀。这种趋势与电子温度和等离子体电势的情形类似,并且这种特性可应用于各种材料加工以满足不同的需求。