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本文针对应变NMOSFET提出了一种基于槽型结构的应力调制技术。该技术可以利用压应变的CESL(刻蚀阻挡层)来提升Si基NMOSFET的电学性能,而传统的CESL应变NMOSFET通常采用张应变CESL作为应力源。为研究该槽型结构对典型器件电学性能的影响,针对95 nm栅长应变NMOSFET进行了仿真。计算结果表明,当CESL应力为-2.5 GPa时,该槽型结构使沟道应变状态从对NMOSFET不利的压应变(-333 MPa)转变为有利的张应变(256 MPa),从而使器件的输出电流和跨导均得到提升。该技术具有在应变CMOS中得到应用的潜力,提供了一种不同于双应力线(DSL)技术的新方案。 相似文献
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首先阐述了捆绑型套餐的定义和目标,介绍了国外固网遍营商的捆绑型套餐,然后分析了我国固网运营商现行的典型捆绑型套餐的情况及其优势、局限性。最后提出对我国圆网运营商发展捆绑型套餐的建议。 相似文献
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结合我所研发的某型特种微型光缆的结构设计和应力应变的研究,建立了特种微型光缆的数学模型和应力应变测试系统,对不同应力条件下微型光缆和其中光纤的应力应变进行了测试.同时利用ANSYS结构力学仿真分析软件,建立了该微型光缆的有限元分析模型,并对其在各种工况下的变形进行了分析.测试和分析结果表明,该型光缆在受到拉伸时发生较复杂的变形,由于光纤在光缆中存在一定冗余度,光纤的应变小于光缆的应变.仿真分析再现了变形产生原因和变形过程. 相似文献
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本文基于费米黄金法则和波尔兹曼碰撞项近似理论,对Si基应变材料各空穴散射机率与应力强度、晶向的关系进行了深入的研究。结果表明:1)在应力的作用下,Si基应变材料总散射几率明显降低;2)当Ge组分为0.2时,总散射几率量化排序为应变Si/(111)Si1-xGex>应变Si/(101)Si1-xGex>应变Si1-xGex/(111)Si>应变Si1-xGex/(101)Si>应变Si/(001)Si1-xGex>应变Si1-xGex/(001)Si;3)应力作用下空穴声学声子散射几率的降低是引起Si基应变材料总散射几率降低的主要原因。本文量化结论可为Si基应变及其他应变材料的相关研究提供重要理论参考。 相似文献
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热循环条件下无铅焊点可靠性的有限元分析 总被引:3,自引:0,他引:3
通过有限元数值模拟对Sn3.5Ag0.75Cu无铅焊料焊点的可靠性问题进行了分析。采用统一粘塑性Anand本构方程对焊料焊点结构进行有限元分析,研究焊点在热循环加载过程中的应力应变等力学行为。研究结果表明,在焊点内部焊点与基板结合处的应力较大,而焊点中央的应力较小;焊点在低温阶段的应力最大,在高温阶段应变最大;在升降温阶段的应力应变变化较大,而在保温阶段的应力应变变化较小。 相似文献
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对比封装体不同的热疲劳寿命预测模型,选择适用于微弹簧型陶瓷柱栅阵列(CCGA)封装的寿命预测模型,并对焊点的热疲劳机制进行分析。利用Workbench对焊点进行在温度循环载荷作用下的热疲劳分析。对比不同热疲劳寿命预测模型的结果,表明基于应变能密度的预测模型更适用于微弹簧型CCGA。随后对等效应力、塑性应变、平均塑性应变能密度和温度随时间变化的曲线进行分析,结果表明,在温度保持阶段,焊柱通过发生塑性变形或积累能量来降低其内部热应力水平,减少热疲劳损伤累积;在温度转变阶段,焊柱的应力应变发生剧烈变化,容易产生疲劳损伤。 相似文献