n-HgCdTe光导器件的两种表面钝化研究

利用 Ar 束溅射沉积技术实现了 Cd Te薄膜的低温生长 ,利用电化学方法进行了 Hg Cd Te表面自身阳极氧化膜的生长 ,利用生长的 Cd Te介质膜和 Hg Cd Te表面自身阳极氧化膜对 n- Hg Cd Te光导器件进行了表面钝化 .对两种器件的电阻、各项性能指标进行了测量分析 ,实验表明得到的 Cd Te/ Hg Cd Te界面质量已达到器件实用化水平 .     

阳极氧化膜对光伏探测器的钝化作用

本文根据对阳极氧化膜与(Hg、Cd)Te界面特性的电子能谱和MIS C-V测试结果,讨论了用阳极氧化膜作光伏探测器钝化膜的可能性。提出了在(Hg、Cd)Te表面先生长一层约0.01μm阳极氧化膜作表面预处理的新设想。(Hg、Cd)Te为衬底的探测器目前常规使用的钝化膜有阳极氧化膜ZnS和SiO_2及它们     

ZnCdTe衬底上HgCdTe分子束外延的位错密度

报道了用 MBE的方法 ,在 Zn Cd Te衬底上制备 Hg Cd Te薄膜的位错密度研究结果。研究发现Hg Cd Te材料的位错密度与 Zn Cd Te衬底的表面晶体损伤、Hg Cd Te生长条件以及材料组分密切相关。通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在 Zn Cd Te衬底上生长的长波 Hg Cd Te材料 EPD平均值达到 4.2× 1 0 5cm- 2 ,标准差为 3 .5× 1 0 5cm- 2 ,接近 Zn Cd Te衬底的位错极限。可重复性良好 ,材料位错合格率为 73 .7%。可以满足高性能Hg Cd Te焦平面探测器对材料位错密度的要求     

工作在8～14μm波段的不致冷光导HgCdTe探测器

提供了在室温工作的(Cd,Hg)Te光导探测器的结构、制做和性能以及关于这种探测器的理论和探测率、响应率及输出信号的表达式。估价了这些探测器的性能限。给出了工作在10.6μ的不需致冷的(Cd,Hg)Te探测器的基本参数测量的实验数据。把实验结果与理论预计进行了比较,发现它们符合得很好。提供了不致冷的(Cd,Hg)Te光导探测器的实际应用的一些例子。我们的研究结果表明:设计和制成在8～14μ工作的非致冷(Cd,Hg)Te光导探测器是可能的。     

(HgCd)Te探测器Franz-Keldysh效应有效强度的一种表征方法

提出一种表征 ( Hg Cd) Te探测器 Franz- Keldysh效应有效强度的简易方法 ,即用 ( Hg Cd) Te探测器在反偏压及零偏压时的输出电压比来表征其 Franz- Keldysh效应有效强度的强弱 ,实验结果证实了这种方法有效、可行 .     

近室温光伏(Hg,Cd)Te探测器温差电流的研究

本文研究近室温光伏(Hg,Cd)Te探测器测试回路中的温差电流。研究结果表明,干冰温度下,温差电流往往比短路电流大得多。因而,在借助V-I曲线分析近室温光伏(Hg,Cd)Te探测器参数时,务须考虑温差电流的影响。     

10.6μm激光辐照碲镉汞红外探测器热损伤研究

研究了Hg Cd Te红外探测器的结构以及材料特性,阐述了激光损伤Hg Cd Te红外探测器的机理,建立了Hg Cd Te红外探测器三维仿真模型,利用有限元分析法,对10.6μm CO2激光辐照Hg Cd Te探测器的温度变化情况进行了仿真,并通过参考已有文献的实验数据,验证了模型的准确性。当Hg Cd Te探测器受到峰值功率密度为5×107 W/cm2的单脉冲激光辐照时,Hg Cd Te晶体的Hg离子开始析出,探测器性能降低,并不可恢复;当激光峰值功率为108 W/cm2,探测器Hg Cd Te晶体开始出现熔融现象,此时激光能量密度为1 J/cm2;当激光峰值功率为2×108 W/cm2时,铟柱达到熔融温度,探测器会出现铟柱脱落现象,被彻底损坏。     

分子束外延生长Hg1-χCdχTe材料原位退火研究

对分子束外延(MBE)生长了Hg1-χCdχTe薄膜材料进行原位退火研究.显微镜观察可知,原位退火可以得到光滑的材料表面,并可以降低材料的腐蚀坑密度(EPD).霍尔测试结果表明,通过调整退火温度和汞束流可以明显地改善Hg1-χCdχTe材料的电学性能.研究表明Hg1-χCdχTe材料的原位退火技术在改善材料的微观结构和电学性能方面有着重要的意义.     

中波碲镉汞光电二极管pn结特性研究

采用液相外延(LPE)生长的中波Hg Cd Te薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试和分析。LBIC测试结果表明,Hg Cd Te pn结实际结区尺寸扩展4~5?m,这主要与光刻、B离子注入以及注入后低温退火等器件工艺有关。二极管器件C-V和I-V特性研究表明,所制备的Hg Cd Te pn结不是突变结也不是线性缓变结。中波Hg Cd Te二极管器件最高动态阻抗大于30 G?,器件优值R0A高达1.21×105?cm2,表现出较好的器件性能。     

MCT晶体淬火技术的研究

一、前言三元化合物Hg_(1-x)CdxTe,实际上是一种(Cd Te) x与(Hg Te)_(1-x)的准二元系合金半导体。其禁带宽度Eg随合金中Cd Te的克分子数X几乎是线性的变化,并且和工作温度T有如下关系:     

块状HgZnTe晶体的生长和特性

用可移动加热器法(THM)已长出了纵向均匀度为±0.02mol、x=0.15适合于10μm探测波长的块状Hg_(1-x)Zn_xTe晶体。此材料的硬度高于(Hg,Cd)Te,表明它具有较高的键合强度。首次测到的光-电参数与从(Hg,Cd)Te中测到的参数很接近。     

元素材料的提纯及高纯Hg_(1-x)Cd_xTe的研究

为研制高纯度Hg_(1-x)Cd_xTe材料,我们对原材料进行了提纯,并用经过提纯的Te、Cd、Hg三种元素材料采用新的配料工艺,制备了纯度较高的耳gaCdTe晶体,获得了良好的结果。1)从Te、Cd、Hg三种原材料提纯后的检测结果看,提纯过的Cd与原材料Cd相比,其中的杂质元素Ca、Mg、Ba、Fe、Cu、Cr、Al、Mo等均可降低一个数量级。提纯过的Te与原     

CdTe钝化介质膜的溅射沉积及其X射线光电子能谱研究

用Ar^ 束溅射沉积技术实现了CdTe薄膜的低浊沉积生长。用X射线光电子能谱（XPS）分析技术对溅射沉积C dTe薄膜以及CdTe体晶中的Cd元素、Te元素化学环境进行了对比实验研究。实验表明：溅射沉积CdT e薄膜具有很好的组份均匀性,未探测到有元素（Cd、Te)沉积存在。     

碲镉汞晶体中的第二相

前言碲镉汞(MCT)可以看成是由Ⅱ—Ⅵ族化合物Cd Te和Hg Te按不同化学计量比组成的。其相图的固相线和液相线分离得很宽,也就是说从液态缓慢地结晶成固态时,Cd Te相对于Hg Te要产生严重的分凝,以致晶体不具有均匀的组分。为克服这一严重缺陷,使熔体通过强制冷却快速凝固,是一种广泛用来制备MCT晶体的工艺。用这种方     

用熔铸-再结晶法生长HgZnTe

用改进的熔铸-再结晶(CR)技术,生长得到了 ZnTe 克分子分数为 x(0.05相似文献   

HgCdTe分子束外延In原子的掺杂特性

报道了用 MBE方法生长掺 In N型 Hg Cd Te材料的研究结果。发现 In作为 N型施主在 Hg Cd Te中的电学激活率接近 1 0 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6me V。确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在约 3× 1 0 1 5cm- 3水平。比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0°C温度下 In的扩散系数约为 1 0 - 1 4cm2 / sec,确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 N型掺杂剂的可用性和有效性     

液相外延生长(Hg,Cd)Te的相点移动

本文推导出了富Te熔体液相外延生长(Hg,Cd)Te中,Hg的挥发损耗和生长使母液相点移动的表达式;定量计算了几个设定生长条件下的相点移动参量值,从而讨论了相点移动对液相外延生长的一些影响。     

Ⅱ-Ⅵ族化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延

本文第一次报导了Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延(MBE)。在MBE(111)CdTe表面上于100℃下完成外延。所用的三种材料源为Cd、Te和作为Hg源的HgTe。Cd/Te通量比率决定x值,即合金的组分。不同x值(由0～0.35)和厚度(达6微米)的层为具有条纹绕射花纹的单晶。其表面光亮清洁。     

HgCdTe分子束外延In掺杂研究

报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 .     

碲镉汞的液相外延生长

设计了一种使用良好的石墨舟 ,建立了一套能进行开管液相外延的系统 ,并利用此系统在 Cd Zn Te衬底上和在富 Te的生长条件下生长了不同 x值的 Hg Cd Te外延薄膜 .通过对外延生长工艺的控制 ,外延薄膜的表面形貌有很大的改善 ,残留母液大为减少 ,外延薄膜的组分比较均匀 ,其电学性能得到较大改善 ,Hg Cd Te外延薄膜与Cd Zn Te衬底之间的互扩散非常少 ,外延膜的晶体结构也较完整 .