介质谐振器反馈型GaAs FET振荡器

本文扼要分析了高Q介质反馈型FET振荡器的原理,认为介质反馈型振荡器类同于高Q介质谐振器与FET栅极耦合的反射型振荡器。实验表明,在-40～+55℃范围内,频率稳定度达2.0ppm/℃,最佳可小于0.2ppm/℃。同时,介质温度系数对振荡电路的过补偿比欠补偿更有利于提高输出功率温度稳定性。     

采用介质谐振器的C波段高稳定、低噪声GaAs FET集成振荡器

用BaO-TiO_2陶瓷介质谐振器稳频的GaAs FET集成振荡器提供一种高稳定低噪声小型微波功率源。新研制的陶瓷材料具有互相补偿的膨胀系数和介电常数温度系数,从而得出较小的谐振频率温度系数。振荡器在6千兆赫上得到输出功率100毫瓦,效率为17％,频率温度系数低达2.3ppm/℃。由于稳频使调频噪声电平减小30分贝以上。精确地测量了振荡器和谐振器的动态特性,以确定等效电路形式。介绍了基于这些等效电路形式的大信号设计理论,以便在振荡器和谐振腔之间实现最佳耦合条件。本稳频振荡器的性能可满足微波通讯系统的要求。     

C波段介质谐振器稳频FET振荡器

本文运用电磁场理论对圆柱形介质谐振器进行了分析和计算,并设计制作了C波段反馈型介质谐振器稳频FET振荡器,其工作频率f_0=7.4GHz,输出功率P≥30mW,频率稳定度为±2×10~(-5)(-10～+50℃),频率温度系数为0.67ppm/℃。     

光控介质谐振器稳频FET振荡器研究

本文报导我们对光控介质谐振器稳频MESFET振荡器的研究状况，包括被控介质谐振器模型的建立、电磁分析和实验研究。采用有限元法，借助Ansoft三维仿真软件分析从实际振荡器结构中提取出的叠层DR模型。应用二维阻抗边界条件处理光照下光敏材料的光学效应，得出明晰的物理概念，使复杂问题简化，并较好地验证了实验结果。     

Ku波段介质谐振器稳频电调FET振荡器

<正>目前,大多数FET DRO都采用反射型或反馈型电路形式。由于反馈型结构电路简单,频带宽,调试方便,不跳模,为此,采用反馈型电路,变容管通过一开路线与介质谐振器耦合,研制出一Ku波段介质谐振器稳频电调FET振荡器,其电路结构如图1所示。整个电路制作在22mm×15mm×0.6mm,ε_r=9.6的陶瓷基片上。     

UHF微带裂环介质谐振器FET振荡器分析

本文提出了微带裂环介质谐振器FET振荡器电路,分析了FET电路和微带裂环谐振器的特性,最后给出设计这种振荡器的频率温度稳定性考虑与优化方法.     

介质谐振器稳频FET振荡器的分析与设计

本文采用具有高Ｑ值高介电常数的陶瓷介质谐振器，对ＦＥＴ振荡器进行稳频、通过理论分析，导出了振荡条件，利用计算机优化，得出了各部分优化尺寸，最后研制出了Ｓ波段ＦＥＴ介质谐振器稳频振荡器。经测试，输出功率Ｐ０〉１０ｍＷ、频率稳定度△ｆ／ｆ〈１０＾－５。     

K波段介质谐振器稳频GaAs FET谐波振荡器

本文对介质谐振器稳频GaAs FET谐波振荡器进行了研究;分析了场效应管中的非线性源产生二次谐波分量的情况,利用两种不同类型的场效应管设计制作了两个介质谐振器稳频场效应管谐波振荡器,在22GHz和18GHz分别得到了5.4mW和305mW的二次谐波功率。     

双介质谐振腔FET振荡器

介质谐振腔FET(场效应晶体管)振荡器有吸收式、并联反馈式和串联反馈式(反射式)等数种.并联反馈式是利用谐振腔把栅极和漏极耦合起来而形成的振荡器,此类振荡器的性能良好.目前并联反馈式振荡器还没有一个合适的数学模型,设计只能靠经验,并且不便采用普通封装的低噪声放大用的FET.吸收式振荡器比较简单,但当谐振腔放在输出端时,高Q值的谐     

卫星电视接收机LNB中采用介质谐振器稳频的FET振荡器

根据介质谐振器稳频机理,采用介质谐振器稳频的FET振荡器(简称介质振荡器)可分为以下4种类型,即反射型、带阻型、传输型和反馈型.     

高可靠X波段砷化镓场效应管介质谐振器振荡器

<正> 南京电子器件研究所研制生产的X波段砷化镓场效应管介质谐振器振荡器全部使用国产元器件,其关键的有源器件和高Q介质分别是所内研制生产的WC58型GaAs FET和ZST介质陶瓷。使用的其它元器件从各厂购得。 介质谐振器振荡器自1983年研制生产以来,首先用于8GHz无人值守中继接力系统中作上、下变频器的本振源。在该接力系统中共使用16部介质谐振器振荡器。到1987年底,经过三年多无人值守中继机的现场运行试验和四年多试验室条件下长期工作寿命的可靠性验证试验,以充分的数据证实,该介质谐振器振荡器具有较高的电性能指标和可靠性水平。在现场使用运行试验中,因雷电闪击造成整个无人值守中继站的供电系统发生故障而造成介质谐振     

采用介质谐振器的C波段高频稳度的低噪声GaAs FET集成振荡器

本文所介绍的采用氧化钡——二氧化钛系列陶瓷介质谐振器来稳频的GaAsFET(砷化镓场效应晶体管)集成振荡器,向人们提供了小型低噪声微波功率源。最近研制的陶瓷其膨胀系数与介电常数的温度系数相互补偿,因而谐振频率的温度系数很小。在6千兆赫时可获得输出为100毫瓦、效率为17％、频率温度系数小到2.3ppm/℃的振荡器。由于稳定,调频噪声电平还可减小30分贝。作者对振荡器和介质谐振器的动态特性作了精确测量,以决定等效电路表达式;提出了建立在这些等效电路表达式基础上的大信号设计理论,以求得振荡器与稳定介质谐振器之间的最佳耦合条件。本稳定振荡器的性能足以满足微波通信系统的需要     

4千兆赫介质谐振器振荡器

本文叙述了介质谐振器作为加载带阻滤波器稳频的基本原理,介绍了4GHz介质谐振器振荡器.该振荡器在-40℃到+55℃范围内,频率稳定度在2ppm/℃左右,在+55℃下连续工作8小时,频率漂移一般在50kHz以内,振荡器的输出功率在10mW左右.该振荡器曾在国际卫星通迅公司5号星电视传输试验中作接收系统的本振源,使用良好.     

光控介质谐振器振荡器的实验研究

本文报道了关于光控介质谐振器振荡器的实验结果。对一只９。５ＧＨｚ的介质谐振器振荡器进行实验，和硅半导体光敏材料，入射１５ｍＷ红光，光控频率调谐达１７。５ＭＨｚ红光功率的平均频率调谐率为１。１７ＭＨｚ／ｍＷ．入射５。５ｍＷ紫光，光控频率调谐达到１２。３ＭＨｚ，紫光功率的平均频率调谐为２。２４ＭＨｚ／ｍＷ。在整个调谐范围内振荡器的微波输出功率随光功率增加而略有上升。     

光控介质谐振器振荡器的实验研究

本文报道了关于光控介质谐振器振荡器的实验结果。对一只9.5GHz的介质谐振器振荡器进行实验,用硅半导体光敏材料,入射15mW红光,光控频率调谐达17.5MHz,红光功率的平均频率调谐率为1.17MHz/mW。入射5.5mW紫光,光控频率调谐达到12.3MHz,紫光功率的平均频率调谐率为2.24MHz/mW。在整个调谐范围内振荡器的微波输出功率随光功率增加而略有上升。     

反馈型介质腔稳GaAs FET振荡器

本文给出反馈型介质腔稳GaAs FET振荡器较严格的分析模型。导出振荡条件下FET的S参数与反馈电路参数间的关系式、振荡频率以及频率温度稳定度等的关系式。依此研制成两种X波段DRO,均获得良好的频率—温度特性。     

X波段介质稳频电调FET振荡器

本文介绍了X波段介质稳频电调FET振荡器(FET DR VCO)的研制。采用反馈型电路结构,获得振荡频率为7774MHz,输出功率Po>10dBm,线性电调带宽>42MHz(功率变化△P<1dB),电调灵敏度为3.0MHz/V,在-20℃～+60℃范围内,频率温度稳定度<±5.7ppm/℃。