紫外激光切割晶圆的工艺研究

通过实验研究了紫外激光切割晶圆的工艺,测得不同激光功率和切割速度下的切割深度和切缝宽度,分析了各参数对切割深度及切割质量的影响,对存在的问题提出了改进的意见及方法,为实际应用中参数的选择和工艺的改进提供了参考.并依用户要求对晶圆样品进行实际切割,经用户鉴定达到了使用要求.     

半导体封装领域的晶圆激光划片概述

介绍了半导体行业的发展,晶圆激光划片技术的特点、激光划片系统的组成与其在实际过程中应用。     

“零重叠”激光系统加速超薄晶圆切割

固态激光器、光纤激光器和超快激光器继续向微电子加工应用领域进军,特别是半导体工业中的硅晶圆切割应用,以及光伏产业中的各种基于激光的切割和光刻应用。     

紫外激光切割磷化铟晶圆的工艺研究

为提高晶圆的集成度,提升晶粒分离的质量和效率,采用以二极管泵浦的纳秒级调Q紫外激光切割磷化铟晶圆,利用劈裂机进行裂片,使用金相显微镜检测磷化铟晶圆的切割深度与切口宽度。运用单参数变化法分析重复频率、占空比、切割速度和辅助气体压力对切割深度影响,结果表明,切割深度与重复频率、切割速度近似呈反比关系,与占空比近似呈正比关系,而辅助气体压力对切割深度的影响不大。通过正交实验设计得到切口宽度的最优参数,当重复频率为200 kHz,占空比为10%,切割速度为300 mm/s,气压为0.2 MPa时,最小切口宽度达到6.2μm。综合分析了激光工艺参数和辅助工艺与裂片合格率的关系,最终使磷化铟晶圆裂片合格率达到98%。     

晶圆激光切割技术的研究进展

综述了半导体领域晶圆切割技术的发展进程,介绍了刀片切割技术、传统激光切割技术、新型激光切割技术及整形激光切割技术的特点、工作原理和优缺点以及国内外使用晶圆切割技术获得的研究成果及其应用前景.与刀片切割技术相比,激光切割技术具有切割质量好、切割速度快等优点.详细介绍了以进一步改善晶圆切割质量和提高切割速度为目的的几类整形激光切割技术,包括微水导激光切割技术、隐形切割技术、多焦点光束切割、“线聚焦”切割、平顶光束切割和多光束切割等.随着技术的不断完善、切割设备的不断成熟,整形激光切割技术在未来的晶圆切割领域将具有广阔的应用前景.     

半导体激光切割碳钢板方法研究

采用500 W半导体激光对碳钢板材进行切割实验。为了提高切割能力,针对半导体激光光束发散角较大的特点,以及碳钢板材的激光切割工艺特性,对切割头的光学系统进行改进,并进行比较实验。结果显示,适当增加光斑尺寸,焦深延长,可一定程度上加强半导体激光对于3 mm以上碳钢板的切割能力,将切割厚度拓展到6 mm。在此条件下,切割速度有所下降。但在3～6 mm厚度范围内切割效率同500 W光纤激光器切割效率相近。     

激光切割金属厚板新技术

介绍了激光切割金属厚板的过程,分析了存在的主要问题及产生的原因,最后从激光器、聚焦光学系统以及辅助气流的改进等方面介绍了一些激光切割厚板的新技术,为进一步的研究和工业化应用提供了技术参考。     

激光增强切割工场的竞争力

美国伊利诺斯州Erie工业产品公司自1946年以来一直是一家服务于公司的金属加工工场。1982年他们购买了一台CO2激光切割机，从而成为全美最先进的加工工场之一。“我们是芝加哥地区第一批购买激光器的公司之一。的确收到了效果。”公司总经理P.Selleck说。之后，公司又购买了三台激光器。作为加工零部件批量在1到1000之间的小工场，以前最昂贵的机械就是硬质工具。“现在，有了激光器，我们能够避开加工每种零件的工具成本问题。结果是，我们能够更快地转换工件。’剧总经理F.Baker说，“收外，我们还能加工这样的部件，其形状是用硬质冲…     

新一代晶圆划片技术

随着半导体及电子业技术的发展和消费市场无止境的需求,传统的划片(Dicing)技术,在许多方面已经无法满足业者的需求,代之而起的是激光划片(Laser Dicing)技术。而激光固然有某些优势,却亦有其缺陷。无论如何,激光引领划片的潮流,来势汹汹,难以抵檔。     

Evaluation of crystallinity of GaN epitaxial layer after wafer dicing

The crystallinity of GaN epitaxial layers on sapphire substrates following laser dicing was evaluated by Raman spectroscopy. Dicing was carried out using either full laser ablation or laser scribing followed by breaking. The results indicated that in a region within about 40 μm from the edges of the diced chips, the Raman peaks were shifted to lower wavenumber than near the chip center. The shifted peaks were at positions intermediate between those for the GaN epitaxial layer before dicing and those for a bulk GaN crystal. These results indicate that stress relaxation occurred near the edges of the diced chips.     

圆片等离子划片工艺及其优势

等离子划片是近年来兴起的一项新型圆片划片工艺。与传统的刀片划片、激光划片等工艺不同,该工艺技术可以同步完成一张圆片上所有芯片的划片,生产效率明显提升,是对现有划片工艺的一个颠覆。介绍了圆片划片工艺的工作原理、技术特点及其优势,并对其在解决圆片划片应用中的典型问题和不足之处进行了讨论。     

纳秒级强激光对多晶硅片光吸收性能的影响

采用兆瓦级TEA CO2激光器输出的纳秒级强红外激光脉冲照射太阳能多晶硅片,用红外光谱仪测试了硅片的吸收谱,发现经激光脉冲照射后的太阳能多晶硅片对光的吸收能力大为增强,并对实验结果做出了初步的分析。     

半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨

半导体硅片退火工艺对生产硅片具有十分重要的作用,为此,本文加强对硅片的退火技术检测,希望能够控制硅片技术质量。因为自然界当中并不存在单体硅,硅主要以氧化物或者是硅酸盐的形式出现,需要通过提纯与精炼的方式才能够形成硅片。这个过程中硅需要进行退火工艺处理,消除硅片中氧施主的影响,内部缺陷也在这个过程中减少。这个工艺流程是制造半导体硅片的重要环节。退火后的技术检测则是实现硅片生产的最后一个环节,是确保硅片质量的重要基础。本文侧重对半导体硅片退火检测工艺发展情况进行具体阐述。     

对抛光片清洗技术的研究

研究了一种新颖的添加了表面活性剂和HF的RCA的改进工艺,并和标准RCA工艺与目前被广泛采用的稀释RCA工艺进行了比较后指出,改进工艺对金属沾污和表面颗粒的有效去除能力,使0.18um以上的颗粒能够控制在15颗以内,金属沾污能够有效降至109原子cm-2以下(Al略高小于1010cm-2).     

半导体激光器在光纤通信中的应用

介绍了半导体激光器的主要特点和国外研究情况,较详尽地阐述了它在激光通信和光纤通信中的应用情况。     

用于大功率半导体激光器的新型焊料

在大功率半导体激光器列阵及叠阵的组装中,焊料的选择是极其关键的,因为焊料直接参与对激光器的导电、导热激光器所需的电流全部从焊料通过,而半导体激光器列阵或叠阵工作时电流是很大的,可达50A～100A。同时半导体激光器工作时产生的热量非常大,如焊料的导热性不好,由于电流的热效应,就会在焊料上产生巨大的热量,使焊料熔化。文中研制了一种新型的焊料,这种焊料在两层铟之间蒸镀几层金,焊料由钨/镍/金/铟/铜等多层金属构成。利用这种焊料研制出脉冲功率达100W的半导体激光器列阵。