用支持向量机网络实现VBR视频通信量的预测

VBR(Variable Bit Rate)视频信号具有时变性、非线性和突发性等特点,实现该信号通信量的高精度预测是提高信息传输速度和提高网络带宽资源利用效率的重要手段.针对以上问题,本文提出了一种用于VBR视频通信量预测的差分输入支持向量机(SVM:Support Vector Machine)网络模型.该网络模型采用结构风险最小化准则,在最小化经验风险的同时,尽量缩小模型预测误差的上界,从而使网络模型具有更好的推广能力.实验结果表明:支持向量机网络模型的预测误差为0.0018,而梯度径向基函数(Gradient Radial Basis Function:GRBF)神经网络模型的预测误差为0.0029.可以看出,支持向量机网络模型的预测精度要比GRBF网络模型的预测精度高出大约40%.     

标准微小漏孔的校准系统

本文介绍一台用B-A型超高真空计作压强指示的标准微小漏孔的校准系统。利用超高真空四级油扩散泵系统,经烘烤420℃,保温1～2小时后,系统真空度可达(1～2)×10~(-9)托。系统采用低熔点合金的超高真空无油密封阀门,关闭阀门后,测试体积内本底漏率系1.2×10~(-12)托·升/秒或趋近于零。本系统可测定10~(-4)～10~(-11)托·升/秒(空气)或更小漏率的漏孔,通过误差分析:其漏率≥10~(-8)托·升/秒时最大误差≤17％;漏率≤10~(-9)托·升/秒时最大误差≤23％。采用超高真空系统及其B-A型真空计,不仅提高了系统测试的灵敏度,而且大大地缩短了测试微小漏孔(<10~(-8)托·升/秒)的时间。由于在B-A型真空计上配接了0～10 mV的自动记录仪,可精确地自动地绘出压强与时间的关系曲线(与理想直线一致),这样不仅可减少人为的测量误差,提高测量精度,而且大大减轻了测试人员的劳动。通过与国内外标准漏孔的初步对比测试结果表明:我们所设计的校准系统,对漏孔漏率的测定是准确的,同时也说明系统的稳定性、重复性较好。     

由运算放大器组成的晶体振荡器

<正> 众所周知,石英晶体振荡器最显著的优点是具有很高的频率稳定度,可以达到1×10~(-10)/天～1×10~(-11)/天量级。而在LC或RC振荡器中尽管采取各种稳频措施,也很难突破10~(-5)量级。正由于它的这一独特之处,因此在许多技术领域中为获得高稳定度的正弦波信号都是采用晶体振荡器来实现的。     

石墨炉原子吸收法测定硅中铂族金属掺杂剂

本工作采用 P-E 5000型原子吸收光谱仪附 HGA-500型石墨炉,探索了铂族金属的测定方法.对Ru、Rh、Pd、Ir及Pt,测定灵敏度分别为5.8 × 10~(-11)、2.8×10~(-11)、2.6×10~(-11)、2.8×10~(-10)和1.8 × 10~(-10)克;在灵敏度附近,各元素的测定相对标准偏差不超过 9％. 本文所建立的方法灵敏、准确,能满足微量硅样品中的痕量铂族金属掺杂剂的分析.     

Ho3 ,Yb3 :YA13(BO3)4晶体的光谱特征

采用助熔剂法生长了Ho3+,YB3+共掺的Ho3+,YB3+YA13(BO3)4(Ho,YBYAB)晶体,测量了晶体的室温吸收谱,进而根据Judd-Ofelt(J-O)理论计算了Ho3+在Ho,YBYAB晶体中的强度参数、自发辐射几率和积分发射截面等参数,得到强度参数为Ω2＝1.50639×10-18 cm2、Ω4＝4.86489×10-19 cm2和Ω6＝1.40248×10-19 Cm2.研究了晶体的荧光特性,并在976 nm激光泵浦下得到了上转换绿色荧光.     

S波段介质稳频调制器

本文介绍了一种采用A_7介质谐振器制成的S波段介质稳频调制器的设计和实验结果。采用加载带阻滤波稳频获得了良好的稳频效果。在-40℃～+50℃温度范围内,输出功率为10毫瓦时,频率稳定度为±0.4×10~(-4)～±1.46×10~(-4),输出功率≥40毫瓦时,频率稳定度为±3×10~(-4)。调频范围大于600千赫,电调灵敏度为200千赫/伏,调频非线性<6％;体积仅有(60×60×30)立方毫米,可以同时传送遥控(遥测)和话音。     

高稳定压控晶体振荡器的设计

本报告就20～22兆赫 VCX0在宽工作条件下(包括更换晶体单元以选择信道和温度不容许情况)所有中心频率容限达到±5×10~(-6)的情况评论石英晶体振荡器的电路特性。所叙述的晶体振荡器电路在保持主要频偏和线性性能下从0°到60℃的频温稳定性能比±4×10~(-6)好。设计对频温特性的最大影响为±1×10~(-6)的电路是采用这样的方法,即把对频率有一定影响的且与温度有关的元件数目减至最小以及采用把可预测的电路线性频温特性与晶体谐振频温特性的线性旋转相匹配的补偿方法。性能试验结果指出典型电路对频温特性的影响为±0.2×10~(-6)。本报告也讨论输入端和输出端的要求,这种要求应允许把 VCX0结合到现时的和将来的发射机设计中。     

用碘和甲烷稳定的氦氖激光器的稳定性和复现性

文章介绍了碘和甲烷饱和吸收稳定的氦氖激光器的最新进展,它们的稳定性分别达到2×10~(-11)/t~(1/t)和3×10~(-12)/t~(1/t),t为取样时间,复现性达到±2×10~(-11)。633nm 碘稳定氦氖激光器是采用三次谐波锁定稳定的,它可以锁定到(127)~I_2“d”到“J”七个分量的任何一个,由碘室温度变化产生的压力位移大约15KHz/℃,碘室温度可自动控制在±0.01℃,3.39μm甲烷稳定激光是采用     

铌酸锂集成光学基片折射率的测量

在2″精度的测角仪上,用棱镜耦合法,以0.6μm的准直He-Ne激光束(直径1mm)实现了铌酸锂(LN)晶片折射率的高精度测量。实验中使用了差分技术与液晶旋光器,结果表明折射率测量精度达到1×10~(-4),系统重复性误差小于5×10~(-5)。     

C—V法液晶弹性常数的测定

本文描述了近几年发展的电容—电压或电容频率测量技术,即相敏电容桥。该测量系统由计算机控制,测定频率范围为30Hz-10kHz、利用STN—0020/01SBE液晶材料在不同温度条件下测定了弹性常数K_(11)～14.9×10~(-12)N.K_(33)～15.3×10~(-2)。在玻璃板上镀金膜作为液晶分子平行取向排列层兼作为电极。本测试系统的误差和精度分别在电容值的测量误差为±5％,正弦波(30Hz—10KHz)的频率精度±1％、给出弹性常数K_(11)、K_(22)、K_(33)的误差为±5％～±10％。     

Interfacial reaction and shear strength of SnAgCu-xNi/Ni solder joints during aging at 150 °C

The interfacial microstructure and shear strength of Sn3.8Ag0.7Cu-xNi (SAC-xNi, x = 0.5, 1, and 2) composite solders on Ni/Au finished Cu pads were investigated in detail after aging at 150 °C for up to 1000 h. The interfacial characteristics of composite solder joints were affected significantly by the weight percentages of added Ni micro-particles and aging time. After aging for 200 h, the solder joints of SAC, SAC-0.5Ni and -1Ni presented duplex intermetallic compound (IMC) layers regardless of the initial interfacial structure on as-reflowed joints, whose upper and lower IMC layers were comprised of (CuNi)₆Sn₅ and (NiCu)₃Sn₄, respectively. Only a single (NiCu)₃Sn₄ IMC layer was ever observed at the SAC-2Ni/Ni interface on whole aging process. Based on the compositional analysis, the amount of Ni within the IMC regions increased as the proportion of Ni addition increased. The IMC (NiCu)₃Sn₄ layer thickness on the interface of SAC and SAC-0.5Ni grew more slowly when compared to that of SAC-1Ni and -2Ni, while for the (CuNi)₆Sn₅ layer the reverse is true. Except the IMCs sizes are increased with increased aging time, the interfacial IMCs tended to transfer their morphologies to polyhedra. In all composite joints testing, the shear strengths were approximately equal to non-composite joints. The fracturing observed during shear testing of composite joints occurred in the bulk solder, indicating that the SAC-xNi/Ni solder joints had a desirable joint reliability.     

新型挠性印制电路板基材

目前挠性印制板仍以聚酰亚胺(PI)为基材,但PI的最大缺点是高的吸湿性函待改善,所以正努力开发高性能的高分子材料,以期取代PI。本文介绍了其中最有影响的两种新材料,即液晶聚合物(liquid crystal polymer,简称LCP)及聚醚醚酮(PEEK),其具有低吸湿性、低热膨胀系数、低介电常数及高尺寸稳定性。文章同时还介绍了LCP及PEEK在挠性印制板应用中遇到的问题及其解决方法。     

InP（Yb）晶体结构和发光特性的研究

用离子注入法配合优化退火新技术制成了一种高效发光材料ＩｎＰ（Ｙｂ）；用高灵敏度激光光谱仪测量了该材料的发光特性（ＰＬ），并研究了离子注入和退火过程中发光特性的变化，对ＰＬ谱峰作出辨认；用Ｘ射线衍射谱（ＸＤＳ）测量分析晶格结构和注入损伤（缺陷）；研究了原材料的掺杂（Ｓｎ）对发光特性的影响；较深入地探讨了该材料的发光机制，并用一改进ＲＥ发光中心模型阐明该材料的激发发光过程。     

下一代宽带无线的MIMO-STC、Turbo码及OFDM级联传输策略(Ⅰ)

本文在简要回顾MIMO-STC[多输入、多输出(天线)-[空时编码]Turbo码(透平码或增强型反馈码)及OFDM(正交频分多路复用)技术特征基础上,重点论述MIMO-STC与Turbo码及OFDM级联传输技术,及其对下一代宽带无线(NGBW)演进发展具有的突出优势与战略重点性.     

下一代宽带无线的MIMO-STC、Turbo码及OFDM级联传输策略(Ⅱ)

本文在简要回顾MIMO-STC[多输入、多输出(天线)-空时编码]、Turbo码(透平码或增强型反馈码)及OFDM(正交频分多路复用)技术特征基础上,重点论述MIMO-STC与Turbo码及OFDM级联传输技术,及其对下一代宽带无线(NGBW)演进发展具有的突出优势与战略重要性.     

创新、发展和开发人的潜能

本文结合中国质量协会全国质量管理小组会议主题,根据QC小组特点和性质,从三个方面分别论述了创新、发展、开发人的潜能在QCC活动中的重要性,以及如何在新形势下贯彻本主题思想.     

Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)纳米结构的制备与XPS研究

采用水热法在低温合成了铋层状钙钛矿结构Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)(BNdT)纳米材料,利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)表征产物的晶相和形貌,研究了反应温度和聚乙烯醇(PVA)对水热合成BNdT纳米结构的影响,运用X-射线光电子能谱(XPS)对BNdT纳米结构的化学组分和元素价态进行了表征.结果表明,反应温度和PVA对水热合成BNdT纳米结构的形貌有较大影响;XPS研究显示BNdT纳米结构的表面存在氧空位和轻微的Bi过量.     

CDMA/FH频率合成器的实现

本文介绍一种跳频频率合成器 ,并对它进行了较详细的分析。该频率合成器将国外新出现的直接数字频率合成器技术和传统的锁相环技术有机地结合起来 ,具有结构简单、频率分辨率高和频率转换速度快等特点。     

使用超薄型微细布线基板（MLTS）的高密度LSI封装

概述了超高密度薄型基板(MLTS)封装技术的概念、特征和工艺以及应用MLTS封装技术开发的高性能FCBGA和CSP。     

有机发光二极管中ADN掺杂ErQ的1.54μm电致发光

自行设计了基于8-羟基喹啉铒(ErQ)为发射层(EMLs)和二硝酰胺铵(ADN)为蓝光主体材料的近红外有机发光二级管.器件的基本结构为(p-Si/NPB/EML/Bphen/Bphen:Cs2CO3/Sm/Au),设计并比较了三套不同发射层结构(ErQ/ADN为双层结构器件,(ErQ/ADN)×3为多层结构器件,ErQ:ADN为掺杂结构器件)的器件.三组器件在一定的偏压下,均可发出1.54μm的光,对应三价铒离子4I13/2→4I15/2的跃迁.其中,ADN:ErQ(1∶1)掺杂结构的近红外电致发光强度是ADN/ErQ双层结构中的三倍.此外,不同掺杂浓度的ADN:ErQ复合膜做了以下表征:吸收谱、光致发光谱和荧光寿命谱.实验结果证实了在近红外电致发光过程中存在从ADN主体分子到ErQ发射分子的高效率的能量转移.