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用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Hg1-xCdxTe体单晶样品,该方法可直接得到HgCdTe晶片组分的二维平面分布,并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布,以及晶体中非平衡载流子寿命的分布 相似文献
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用红外光荧光测量分析了Hg1-xCdxTe液相外延薄膜的发光特性,观察到局域激子及束缚激子发光.当外延层减薄至2μm后,PL信号的峰位将向高能方向移动,这是由于外延薄膜纵向组份不均匀引起的 相似文献
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采用金相显微镜观察到了Hg1-xCdxTe晶体中的层错。层错面是{111}面,层错蚀坑呈条状,在(111)面上观察到的层错条状蚀坑只有三个方向,而且这三个方向互为120°。理论分析表明,在(110)面上观察层错时,层错条状蚀坑有四个方向,其夹角为547°或70.5°;在(100)面上观察层错时,层错条状蚀坑有三个方向,其夹角为0°或90°。层错边界的不全位错是弗兰克位错。 相似文献
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首次研究了一种水平移动加热器法(THM)从未充满的溶区中生长圆柱形晶体。转动安瓿使晶体的整个截面不断地与溶液接触,强迫对流使溶液得到有效的搅拌。这种方法已被用于从富碲溶区中生长Hg_(1-x)Cd_xTe单晶。其结构完整性和冶金学均匀性都与垂直生长的THM材料相当。 相似文献
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在200~300K范围内测量了n-HgCdTe的电学参数,并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式,所得结果与红外光谱测量数据符合.利用HgCdTe光导器件的电阻-温度特性确定组分,不需要电阻的精确值,是一种判断器件均匀性和性能的有效方法 相似文献
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报道了用液相外延技术生长Hg1-xCdxTe薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法.结果表明Hg气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响.由X射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份,由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布. 相似文献
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从理论上完成对MOCVD工艺生长的HgCdTe/CdTe/GaAs材料的透过率、吸收边和相干行为的计算.结果表明光的干涉条纹与外延层HgCdTe和缓冲层CdTe的总厚度相关,其透过率不能直接反映材料的内在质量.计算结果还表明,外延材料组份的均匀性对红外光谱的吸收边有很大的影响.运用理论计算对实验中测得的光谱曲线进行了分析,发现MOCVD工艺存在着一种部分过饱和态的生长机制,并发现负禁带HgTe薄膜也具有一定的透光特性. 相似文献
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加速旋转坩涡技术已用于Hg_(1-x)Cd_xTe的THM生长,以在较高速率下生长单晶。扩大界面前的对流搅拌区获得的这种较高的生长速率,可用于解释简单的组分过冷理论的某些结果。研究了几种不同的、可满足简单流体力学和几何学判据的加速坩蜗旋转技术(ACRT)周期。在冶金学均匀性及结构完整性这两方面对生长的晶体作了研究,结果表明,把生长速率从1.5mm/d提高到8.5mm/d时,其性能并无衰变。 相似文献
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根据Hg1-xCdxTe本征吸收系数的经验公式及Hougen模型,建立了一种用室温红外透射谱研究Hg1-xCdxTe外延薄膜组份均匀性的方法,用这种方法检测了LPE、MBE、MOCVD薄膜的组份分布,并与二次离子质谱(SIMS)测量结果进行了比较 相似文献
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用电流控制液相外延(CCLPE)方法首次在(100)InP衬底上成功地生长出In1-xGaxAsyP1-y(0.30<x<0.47,0.70<y<0.96)外延层,并对外延层特性进行了详细研究,提出在InP衬底上生长电外延层的机理,推导出生长动力学的理论模型,该模型与上述实验结果十分吻合。 相似文献
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采用有限元模拟软件对液封直拉(LEC)法生长锑化镓晶体过程进行计算机建模。模拟分析了晶体旋转、坩埚旋转及隔热屏等因素对GaSb固-液界面形貌的影响。结果表明,晶体旋转与坩埚旋转分别具有促使凸向熔体的固-液界面曲率减小及增大的作用,且同等转速条件下,坩埚旋转对固-液界面形貌影响更大。此外,减小放肩角度、去除炉体上部的隔热屏等措施,均具有使凸向熔体的固-液界面曲率降低的作用。而使用液封剂使凸向熔体的固-液界面曲率增大。坩埚在加热器中存在某一位置,使熔体内部轴向梯度最大。炉膛内氩气流速最剧烈部位为保温罩与拉晶杆间的区域,Ar气对流导致上炉膛温度提高,并降低熔体表面温度约8℃。 相似文献
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本文对MOCVD生长Hg1-xCdxTe进行了热力学分析.所用的起始原材料为Hg、DM-Cd和R2Te.计算结果一方面表明CdTe优先并入倾向使得在通常的DAG工艺中x值非常不易控制.另一方面表明即使在Hg存在的情况下,也可以沉积几乎纯的CdTe,这对实现IMP工艺非常有利,计算结果还表明II/VI比对HgCdTe的组分控制起着关键性的作用.在DAG工艺中,较低的II/VI比可以改善对x值的控制能力,LMP-DAG工艺是降低II/VI比的较好途径.本文还计算了生长温度和反应室压力对固相组分的影响以及LMP 相似文献