Al2O3纳米线薄膜的制备及其生成机理研究

研究了一种简单新颖的制备Al2O3纳米线薄膜的电化学方法。以阳极氧化法在高纯铝片表面制备多孔阳极氧化铝的工艺为基础,在草酸电解液中通过一次阳极氧化过程,将阳极氧化铝孔壁溶解形成Al2O3纳米线,均匀覆盖在阳极氧化铝有序孔道的上方,得到一种特殊结构的纳米线薄膜。使用扫描电镜、高分辨透射电镜和X-射线能谱仪对纳米线的形貌、结构及成分进行了表征分析。并结合扫描电镜对不同反应时间长度的产物形貌来观察纳米线的生成过程。探讨了Al2O3纳米线薄膜的生成机理。     

氧化铝模板中Ag纳米线阵列的选择性生长

利用Ag离子与Br离子之间的化学沉积作用在孔隙中充满明胶的阳极氧化铝（AAO）模板中制备了AgBr/AAO纳米介孔复合材料.材料选择性曝光后,利用原位显影液对其进行化学显影,在AAO模板中选择性得到Ag纳米线阵列.实验结果表明：Ag纳米线是连续的、致密的,且具有多晶结构,充满了曝光部分的模板孔隙.本文还对影响Ag纳米线选择性生长的因素进行了简单讨论.     

铝基体超疏水表面的制备

先用二次阳极氧化法在纯铝表面制备出多孔阳极氧化铝(AAO)膜,再通过交流电沉积法在膜孔内沉积铜纳米线,制备出载铜AAO膜。然后用氢氧化钠溶液腐蚀除去部分AAO模板,裸露出的铜纳米线在其表面构造出柱状纳米粗糙结构,最后经过月桂酸乙醇溶液浸泡(低表面能修饰)。烘干后该表面与水滴的接触角为153.8°,滚动角小于1°,表现出超疏水性。     

铜金属纳米线的制备及其图案化

采用电化学沉积法在孔径为200nm的阳极氧化铝膜AAO模板中成功制备了Cu金属纳米线阵列、结合紫外线光刻法组装了图案化铜纳米线阵列.电化学沉积法可通过控制沉积时间来获得具有不同长径比的铜纳米线阵列;图案化的纳米线排列规整,高度有序;且纳米线组成的形状与掩膜相同.     

氧化镍纳米线的制备及光电性能研究

通过电沉积法在阳极氧化铝(AAO)模板内制备了镍纳米线,然后在800℃下氧化8h得到NiO纳米线。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对NiO纳米线的组成、结构和形貌进行了表征,并测试了NiO/AAO阵列体系的光电压。测试结果表明:NiO纳米线为面心立方结构,平均晶粒尺寸为50nm,纳米线直径约90nm,与模板孔径相当;长度约为25μm,并受镍纳米线沉积时间的影响;在紫外灯(365nm)照射下,40V比60VNiO/AAO阵列体系的光电压大。     

活性镍纳米电极的制备及其电化学性能

针对海水防污技术研究了两种镍电极在海水中的析氢性能.采用交流电在阳极氧化铝(AAO)模板上沉积镍纳米线与化学镀结合的方法制备了镍纳米电极,用机械抛光的方法制备了镍本体电极.用SEM表征了AAO模板与镍纳米线阵列,用XRD表征了两种电极的结构.循环伏安、极化曲线和交流阻抗的测试表明纳米电极具有较大的活性面积,更好的析氢催化活性和更小的析氢反应电阻.尤其在电流密度为100mA/cm2时,纳米电极的极化电位比镍本体电极正移约357mV,表现出更好的析氢性能.     

模板浸润法制备非极性聚合物纳米管和纳米线

以孔径为200 nm的多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用聚合物溶液或熔体浸润模板的物理方法,以非极性通用聚合物为原料,首次制备了非极性聚合物纳米管、纳米线及其阵列结构。对纳米管和纳米线的形貌和结构进行了表征,结果表明对非极性聚合物而言,温度是影响一维纳米结构的主要因素,在较低温度下只能制得纳米线;较高温度下才能得到纳米管。还指出AAO膜纳米孔的高表面效应与熔体的作用能是形成聚合物一维纳米结构的主要驱动力。     

AAO模板的制备及其应用

以多孔阳极氧化铝膜为模板制备纳米结构材料具有独特的优越性,得到了广泛的关注。本文介绍了在草酸溶液中制备的AAO模板的工艺过程,并用扫描电子显微镜（SEM）对阳极氧化铝膜的形貌和结构进行了表征,最后介绍了AAO组装体系的应用。     

氧化亚铜纳米线的制备及其光电性能

摘要：通过电沉积法在阳极氧化铝模板中制备了Cu2O纳米线,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Cu2O纳米线的组成和形貌进行了表征,并测试了Cu2O/AAO阵列体系的光电压、交流阻抗性能。测试结果表明,制备的Cu2O纳米线的直径约120nm,长约2μm;Cu2O/AAO阵列体系在紫外灯(365nm)照射下,光电压约25mV, 阻抗值大大减小。     

模板法组装Ag纳米线阵列及其微结构

以多孔阳极氧化铝(AAO)作为模板,利用直流电沉积法,在AAO模板孔洞中成功组装了Ag纳米线阵列。扫描电子显微镜(SEM)分析表明,Ag纳米线的长度分布十分均匀,其长度随着沉积时间的延长而线性增长,生长速度约为5μm/h。透射电子显微镜(TEM)表明,Ag纳米线粗细均匀,直径约为200 nm。选区电子衍射(SAED)分析表明,所得Ag纳米线具有多晶结构。