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相似文献
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1.
分析了压电材料中的损耗现象,并用复数表示有损压电振子的各种参数。文章从压电振子的阻抗(或导纳)方程出发,详细分析了纵效应振动及横效应振动模式振子的谐振(或反谐振)频率、频率偏移量与损耗大小、机电耦合系数大小的关系。  相似文献   

2.
3.
<正> 一、压电陶瓷的极化条件所有的压电陶瓷都必须经过施加直流电场进行极化,使其内部的电畴沿电场方向取向排列,才能具有压电效应。  相似文献   

4.
压电陶瓷圆片振子的多模耦合振动   总被引:4,自引:1,他引:4  
林书玉  张福成 《电子学报》1994,22(12):64-70
本文利用解析方法研究了压电陶瓷圆片振子的复合模式耦合振动,分析了振子的平面径向振动与厚度振动模式之间的相互关系,从理论上导出了决定振子复合模式振动的频率方程。本文的结果与现有理论计算方法的结果基本一致。实验表明,与一维传统理论的结果相比,本文结果与实测值更加接近。  相似文献   

5.
本文研究了压电陶瓷矩形振子的三维耦合振动,通过引入振子的等效弹性系数,用解析法导出了振子的共振频率方程,由频率方程计算了振子耦合振动的共振频率.理论分析表明,压电陶瓷细长棒的纵向振动,薄板的径向及厚度振动等都可由本文理论导出,与数值法相比,本文理论计算简单,物理意义明显.实验表明,振子共振频率的计算值与测量值基本符合.  相似文献   

6.
研究了压电陶瓷圆筒振子的耦合振动,分析了振子的轴向、径向伸缩振动及扭转振动之间的耦合关系.从理论上推导出了振子耦合振动的共振频率方程.由于分析中对振子的几何尺寸未加任何限制.因此所得结论适用于任何尺寸的陶瓷圆筒振子,其中包括厚壁圆筒及圆环.理论分析表明.本研究计算简单,物理意义明显,与一维理论的结果相比,文中得出的振子耦合振动的共振频率与实测值符合较好.  相似文献   

7.
林书玉 《压电与声光》1994,16(2):33-36,41
本文研究了切向极化压电陶瓷薄圆片的厚度剪切振动,即扭转振动。利用压电方程及运动方程,推出了振子的机电等效电路,得出了振子扭转振动的输入电阻抗,并推出了其共振及反共振频率方程。由于振子的扭转振动与其截面形状有关,因此,本文提出了振子的截面扭转系数的概念,并给出了实心及空心圆盘的截面扭转系数。本文理论对于扭转振动换能器设计理论的研究,以及压电陶瓷振子振动模式的系列研究具有一定的指导意义。  相似文献   

8.
高温银浆中超细银粉的形态对压电陶瓷振子电性能的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过对高温银浆中超细银粉的形态分布对压电陶瓷振子电性能影响的研究,得到了超细球形银粉和片状银粉的相对比例与振子的一些电性能参数的变化曲线,实验结果表明在制备银浆时,可采用在球形银粉中加入适量片状银粉的方法来提高振子的电性能。  相似文献   

9.
本文提出了测量压电陶瓷振子的等效电容或等效电阻确定低Q_M压电陶瓷材料的Q_M和K_1的方法。  相似文献   

10.
利用压电振子采集环境振动能量为低功耗电子产品供能是近年来研究的热点,而压电振子的振动发电能力与其几何形状有关。该文针对悬臂梁压电振子,利用ANSYS软件仿真分析了其自由端尺寸的改变对压电振子的输出电压及固有频率的影响。结果表明,在相同条件下,存在一定的自由端尺寸使压电振子采集环境中低频振动的能量最大。  相似文献   

11.
压电微致动器元件的制作及特性分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
目的是设计和制作一种新型压电微致动器,用于高密度硬盘磁头的精确定位。其中,压电元件由传统的或改进的溶胶-凝胶工艺制备并利用反应离子刻蚀成型,压电层厚度范围为0.6~3μm。采用X-射线衍射和原子力显微镜等对PZT薄膜的物相、表面形貌以及颗粒尺寸等进行分析。结果显示,随着PZT层厚度从0.6~3μm的不断增加,其内部颗粒尺寸也相应增大,粗糙度越低。此外,该微致动器的驱动机理通过多普勒干涉仪进行测量。结果表明,对于封装了3μm厚PZT元件的U型微致动器悬臂装置,在±20 V交变电压作用下,微致动位移达到1.146μm,谐振频率超过22 kHz。  相似文献   

12.
针对传统固体继电器存在的接通时间长、抗干扰能力差、触发灵敏度等问题,采用PZT压电陶瓷材料,研制出片式结构的压电陶瓷耦合器,并以它为隔离器件又研制出压电陶瓷耦合固体继电器。这种继种器的抗干扰能力、接通时间、触发灵敏度、绝缘电阻、交越失真等主要性能指标与传统的固体继电器相比有显著提高,显示出了很好的应用前景。  相似文献   

13.
压电陶瓷材料对超声马达性能的影响   总被引:3,自引:2,他引:1  
王树昕  董蜀湘 《压电与声光》2000,22(1):23-26,29
考察了3种不同性能的压电陶瓷材料,即偏硬性的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN-PZT)、软件的铌镁-铌镍-锆钛酸铅(PMN-PNN-PZT)和性能介于二者之间的经MnO2添加改性的PMN-PNN-PZT对压电马达性能的影响。利用这3种压电陶瓷材料作为一种摇头式压电超声马达的定子换能器,分别考察了它们对转速、力矩输出、效率和定子换能器的频带宽度等性能的影响。作为对比,也考察了研制的压电马达和日本同类压  相似文献   

14.
以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04(Ni1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)z Zrm Tin O3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm=45,居里温度TC=180.9℃。  相似文献   

15.
合成工艺对五元系压电陶瓷性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
固相法合成0.03PZN-0.03PSN-0.04PMS-0.09PZT五元系压电陶瓷,锆钛比为变量。研究了一、二次合成工艺对压电性能的影响。当采用一次合成工艺时,系统准同型相界在Zr/Ti为0.445/0.455~0.44/0.46附近;采用二次合成工艺后,系统的准同型相界向富Zr的方向发生了移动。采用二次合成工艺比一次合成工艺效果好,在烧结温度为1 260℃,Zr/Ti=0.435/0.465时,性能最好,其介电损耗tanδ=0.30%;rTε3=1 143;d33=303 pC/N;Qm=1 233;kp=55.1%;TC=309℃。二次合成使d33、kp、rTε3及矫顽场强Ec和剩余极化强度Pr都要比一次合成的试样的高。  相似文献   

16.
高能球磨法制备纳米钛酸钡的晶化过程   总被引:11,自引:0,他引:11  
利用高能球磨法,无后续煅烧,以二氧化钛和过氧化钡为原料,在室温下4h制备出单相纳米钛酸钠粉。利用XRD图谱结合Sherre公式研究了球磨过程中纳米钛酸钡的晶化过程。结果表明,所制备的钛酸钡结晶情况良好,为立方钙钛矿结构,在球磨过程中钛酸钡晶粒呈现出先逐渭长大然后逐渐减小的趋势,经透射电镜观察,球磨8h所得钛酸钡晶粒尺寸为18-22nm。  相似文献   

17.
压电陶瓷点火器的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文系统地阐述了压电陶瓷点火器的结构.工作情况以及点火效率.这可能对陶瓷点火器的生产有所裨益.  相似文献   

18.
PZT压电陶瓷极化工艺研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
毛剑波  易茂祥 《压电与声光》2006,28(6):736-737,740
介绍了6.5 MHz锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷滤波器极化工艺的流程和基本原理,对极化电场、极化温度和极化时间等工艺参数进行了实验研究,并针对实验结果进行了理论分析,确定最佳的极化条件:极化电场强度为2.2 kV/mm、极化温度为130℃,极化时间为15 min。文章还对极化工艺中出现的其他一些问题进行了分析和探讨,从而有效地提高了压电陶瓷的压电性能指标。  相似文献   

19.
ZnO掺杂对PSN-PZT陶瓷烧结温度及压电性能的影响(英文)   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了降低PZT压电陶瓷的烧结温度,研究了ZnO掺杂对Ba、Fe改性的PSN-PZT陶瓷的烧结温度和压电特性的影响。通过XRD和SEM测试手段,分析了微观结构和材料性能的关系。XRD结果显示所有样品均呈现四方钙钛矿结构。在w(ZnO)<0.1%时陶瓷压电性能随ZnO的增加而提高;当w(ZnO)=0.1%时,陶瓷样品同样展现出了优良的压电性能。这些结果证明了适量的ZnO掺杂可以降低陶瓷的烧结温度并提高压电性能。  相似文献   

20.
压电陶瓷纤维(MPFs)是一种新型的智能材料。该文简述了其几何形状、制备工艺,从理论上分析了其应变传感原理。实验研究了MPFs的准静态、动态应变传感特性。研究结果表明,MPFs传感器灵敏度很高,静态响应的线性度很好,动态响应则有非线性和迟滞现象。最后探讨了MPFs的几何尺寸对传感性能的影响,分析了迟滞现象产生的原因。  相似文献   

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