双丝埋弧焊工艺及焊接接头性能研究

采用双丝争单丝埋弧焊方法进行焊接试验,比较了双筮和单丝埋孤焊务件下焊丝金属的熔敷率,从焊接接头断面、接头金相组织以及接头力学性能等方面进行了分析.结果表明,采用双丝埋弧焊工艺使焊接效率提高,焊缝熔深增加、熔宽增大,热影响区金属的成分偏析现象减弱,接头性能满足技术要求,但焊缝区有时会产生魏氏组织,使焊缝区金属的冲击韧度降低.     

双丝-单丝自动埋弧焊接头性能比较

采用双丝和单丝自动埋弧焊焊接工艺进行焊接,观察了焊接接头截面形状和金属显微组织,并对其进行了冲击及拉伸试验.结果表明,采用双丝自动埋弧焊工艺焊接的接头质量好、焊缝成形美观、接头性能满足技术要求、热影响金属的成分偏析现象减弱,但焊缝金属容易产生魏氏组织,使焊缝金属的冲击性能降低.     

双丝和单丝自动埋弧焊接头性能研究

在相同的焊接线能量条件下,对16Mn钢分别进行单丝直流及交流埋弧焊和双丝埋弧焊.对三种埋弧焊焊接所获得的焊接接头进行了力学性能测试,并对断口形貌和组织进行了分析.研究结果表明,双丝埋弧焊获得的接头焊缝区金属的韧性降低,焊缝区和熔合区附近出现了魏氏组织,熔合区附近断口呈韧窝状,焊缝中心断口呈现解理断口.采用双丝和单丝埋弧焊所获得的焊接接头金属硬度值变化不显著.     

双丝埋弧焊接头性能研究

在16Mn钢板上进行双丝自动埋弧焊工艺试验,得到了不同焊接速度下的焊件.对不同工艺参数下得到的焊接接头试样进行了拉伸试验、硬度测试以及金属显微组织观察,并计算了双丝自动埋弧焊时的熔敷率.结果表明:采用双丝埋弧焊得到的焊缝外形美观;金属熔敷率与焊接速度成反比;随着焊接速度的降低焊接线能量相应的增大,较长的高温停留时间会促...     

单电三丝埋弧焊工艺试验研究

通过对单电三丝埋弧焊工艺性影响因素进行分析,以及其与单丝、双丝埋弧焊焊缝金属各项理化性能的对比和使用焊接性试验,发现单电三丝埋弧焊焊缝金属的各项理化性能指标均满足ASME BPVC.Ⅷ.2规范的要求,在总热输入不变时,冷丝的添加可降低传送至母材的热量,改善焊接接头的组织和性能,提高焊接熔敷效率,可在加氢反应器支撑凸台及裙座大三角等焊接部位推广应用。     

16Mn钢埋弧焊接头组织及其性能研究

采用交流和直流反接焊接工艺，在相同焊接速度下对16Mn钢进行自动埋弧焊接试验。研究了交流和直流反接两种型式下焊丝金属熔敷率、焊接接头金属组织以及接头的力学性能。结果表明：交流和直流反接两种型式下焊接获得的焊接接头均具有良好的力学性能；与直流反接焊接比较，交流焊接时焊丝金属熔敷率较高；交流焊接焊缝区金属中形成了魏氏组织，致使焊缝金属冲击韧度值降低：交流和直流反接两种型式下焊接获得的焊缝和热影响区金属冲击韧度值均高于母材的冲击韧度值。     

7A52铝合金单双丝焊工艺对比分析

采用ER5356焊丝对7A52铝合金厚板进行单、双丝气体保护焊工艺对比。对单双丝焊焊接接头的变形、显微组织、焊缝硬度和拉伸性能进行了试验分析。结果表明,双丝焊焊接接头变形小;双丝焊焊缝与单丝焊焊缝相比,组织更为细小致密,热影响区较窄;焊缝区硬度高于单丝焊焊缝;焊缝抗拉强度比单丝焊焊缝提高了7．7％。由能谱分析得知采用双丝焊工艺可抑制锌的挥发。     

桥梁钢Q370q双丝埋弧焊研究

以新型桥梁钢Q370q为研究对象,采用埋弧焊丝H10Mn2、CJQ-4分别进行双丝埋弧焊接试验,同时采用埋弧焊丝H10Mn2进行单丝埋弧焊接试验,通过对焊丝H10Mn2的双丝、单丝埋孤焊焊接接头以及焊丝H10Mn2、CJQ-4的双丝埋弧焊接接头进行对比研究,对每种接头在化学成分、微观组织、力学性能等方面的差异进行了理论...     

电磁搅拌技术在双丝埋弧焊中的应用

0前言在大型钢结构的生产制造中,埋弧焊是一种重要手段。双丝埋弧焊是多丝焊接工艺的一种重要方式,以其高效、节能、优质的特点得到广泛应用。由于双丝埋弧焊热输入量较高,使得焊缝及近焊缝区晶粒粗大,造成焊缝及热影响区的断裂韧性下降,焊后需要进行热处理,这在一定程度上限制了双丝自动埋弧焊的应用。电磁搅拌技术可以改变焊接熔池液态金属结晶过     

W11焊丝熔敷金属道间粗晶区的热模拟试验

采用热模拟试验机模拟W11焊丝熔敷金属在单、双丝埋弧焊四种线能量下的粗晶区组织。通过冲击试验、断口分析、金相观察、硬度试验和滑动磨损试验对模拟粗晶区的组织和性能进行了研究。研究显示:随着线能量的增加,W11焊丝熔敷金属模拟粗晶区的冲击功增大,双丝埋弧焊粗晶区的韧性比单丝的好。随着线能量的增大,模拟粗晶区的晶粒增大,析出物增多,残奥减少。当线能量为50 k J/cm时,组织形貌有明显改变。粗晶区模拟试样的硬度和耐磨性能随着线能量的增大先降低后升高,双丝埋弧焊粗晶区的硬度和耐滑动磨损性能优于单丝埋弧焊。因此在双丝埋弧焊的大线能量下,W11焊丝粗晶区的性能得到较大改善。