测量~(222)Rn用的电离室

本文叙述了一种测定~(226)Ra的电离室。测量了与~(226)Ra处于久期平衡的~(222)Rn的放射性,就能测定样品中~(226)Ra的放射性。样品在烧瓶中大约保存一个月,以达到久期平衡。用氮气通过样品溶液,将氡转移入计数器。应用积分计数。高压特征为:其斜率每百伏小于0.1％。甄别器飘移1％,所产生的计数率变化0.2％。用此计数器可探测到0.01 dpm的放射性。     

低本底α金硅面垒探测器

本文叙述了低本底α金硅面垒探测器的制备与性能，其平均本底计数率每２４ｈ为２．５。     

被动累积~(222)Rn-~(222)Rn探测器

本文采用 2只扩散杯 ,一只选择渗透率较大的滤膜 ,使2 2 2 Rn和2 2 0 Rn能很容易的进入。另一只选择渗透率较小的滤膜 ,该滤膜只允许2 2 2 Rn进入 ,半衰期较短的2 2 0 Rn被阻挡在外面。通过不同滤膜扩散率的差异 ,改变探测器的空气交换率 ,从而达到同时测量2 2 2 Rn和2 2 0 Rn的目的     

金硅面垒半导体探测器

本文介绍金硅面垒探测器的制作工艺及性能。灵敏面积直径为6mm、8mm和13mm的探测器在20℃左右对α粒子的能量分辨率(FWHM)分别为11.7keV,12.2keV(~(241)Am)和14.8keV(~(244)Cm)。     

适合野外用的金硅面垒探测器

本文介绍了适合室内和野外应用的金硅面垒型β,γ,α射线探测器的辐射性能及其抗恶劣环境性能。该探测器对β射线(~(90)Sr+~(90)Y)与对γ射线(~(60)Co)探测效率之比可达150:1。因此,可在较强γ场中测量β射线。它还能在β,γ,α混合场中测α射线。     

金-硅面垒型探测器

一、引言近年来,我国在半导体硅(锗)探测器的制作和应用方面越来越普遍。这种器件之所以获得迅速进展,主要是用起来很方便。并且,在性能上与早期在核物理实验中所一直延用的探测器件相比,有其独到之处。如在一定能量范围内分辨率高,脉冲上升时间短和线性非常好,等等。目前国际上对这种器件的研究也很时兴。我们实验室主要制备硅面垒型探测器(磷扩散型器件过去也做过)。N型硅材料是由本所自己制备的。一般材料的电阻率在几百到几千欧姆·厘米之间,位错浓度约为10V厘米~2,载流子寿命约在几十到几百微秒之间,器件的面积一般约为40—80毫米~2,最大的有效面积可达200—300毫米~2。用这种器件测得的分辨率(对于Po~(210)α源)最好的约为0.47—0.57%。空间电荷层厚度可达600微米以上。     

环形金-硅面垒探测器

一、引言硅面垒探测器具有体积小、能量分辨率高、工作电压相对比较低等优点,所以在核物理实验和研究中得到了广泛的应用。但在一些特殊的应用和研究场合下,一般硅面垒探测     

用炭过滤器测量~(222)Rn通量的方法

本文介绍一种测定地表~(222)Rn(氡)射气率的新方法。将美国陆军改进的装有活性炭的气体防毒面具的过滤器封闭在地表几小时至几天(视预计的氡通量大小而定)。活性炭过滤器所吸附的氡量,通过记录与氡平衡的子体放出的伽玛辐射来测定,本文还详细叙述了活性炭过滤器的标定方法及其影响测定氡通量的参数。     

环形金硅面垒探测器的制备

本文叙述了环形金硅面垒探测器的制作工艺,给出了所制探测器的性能结果。Φ25(8)、Φ18(5)和Φ16(4)三种环形探测器在室温下对238Pu5,499MeVα粒子的能量分辨率分别为18.7、16和15.5keV(FWHM)。     

~(222)Rn/~(220)Rn及其子体测量系统的软件设计

本文基于~(222)Rn/~(220)Rn测量仪与~(222)Rn/~(220)Rn子体测量仪,利用VC++开发环境的MFC框架开发了一套上位机触摸屏软件系统。该软件系统具有实时监控和图形处理、历史数据查询和分析、参数设置和运行控制、报表打印和导出等功能,经长期测试,本软件能满足测量环境~(222)Rn/~(220)Rn及其子体的连续监测的需求。     

厚灵敏层金硅面垒探测器

本文介绍了最大耗尽厚度达5mm,最大有效面积为80—153mm~2的厚灵敏层金硅面垒探测器研制工艺,主要用途和测试结果。     

金-硅面垒型半导体探测器

本文扼要地叙述了金-硅面垒探测器的制备工艺过程,并对此探测器的各种性能,包括伏安特性、势垒电容、噪声、对Po~(210)源α粒子的响应讯号、能量分辨率、温度效应和γ辐照效应等方面作了比较系统的测量。对结果进行了讨论。同时利用测得的结果探讨了一些探测器本身的半导体性能,如平均电离能ε_0和材料的寿命τ等。最后介绍了用表面复盖有硼膜和铀层的这种探测器记录中子的情况。     

金硅面垒半导体探测器温度特性测量与补偿

金硅面垒半导体探测器多用于α粒子的探测,由它组成的α、β谱仪对环境温度的变化比较敏感,表现为α谱峰位的漂移,为了了解温度对金硅面垒半导体探测器的影响,对其进行了测试研究,以便提高系统的测量精度.     

锂漂移金硅面垒型探测器

本文详细地描述了锂漂移金硅面垒型探测器的制造工艺。这种探测器同时兼备了锂漂移型和面垒型探测器的优点。文中给出了探测器的主要性能,并对实验中的一些现象进行了讨论。探测器有效面积的直径为2—20毫米,灵敏区宽度高达4.5毫米。在窒温下,对于5.3兆电子伏的α粒子的能量分辨率为1—2%,对于Cs~(137)转换电子的能量分辨率为3.7%。探测器结构牢固,能应用于真空条伴。     

室内~(222)Rn/~(220)Rn子体平衡因子的初步测量

为了测量222Rn/220Rn子体水平及其与222Rn/220Rn浓度之间的平衡关系,采用连续测氡仪和氡钍子体连续监测仪,选择包头地区几种典型居室和工作场所,对其空气中222Rn/220Rn及其子体浓度进行测量。结果显示,工作场所和居室中222Rn平衡因子均值分别为0.35和0.43,工作场所和居室距墙壁20cm处220Rn平衡因子均为0.030;室内220Rn平衡当量浓度昼夜变化与222Rn类似,即白天低、晚上高;222Rn/220Rn浓度瞬时测量值与累积结果存在较大差异,平均比例分别为2.1和1.7。     

金-硅面垒型探测器的制备

一、引言金-硅面垒型探测器具有下列的特点:能量分辨率高;脉冲上升时间短;耗尽层宽度可调节,因而能甄别不同的射线;脉冲高度与能量之间的线性响应好;对γ射线、中子本底不灵敏,适于在γ射线、中子本底较高的情况下测量带电粒子;工艺简单,成本较低等等。因此,自1949年麦凯(K.G.McKay)首先利用半导体探测器探测射线以来,它在核辐射探测领域中得到了很大的发展。关于金-硅面垒型探测器的制作工艺、探测原理、性能和应用已有报导。     

金硅面垒8Be探测器的研制

介绍了金硅面垒^8Be探测器的制造工艺和测试结果。有效面积157～570mm^2,厚度为280μm．工作电压100～150V时,其漏电流0．04～0．12μA。对于8．78MeVα粒手的能量分辨率为0．54％～0．80％．用该探测器通过对^8Be带电粒子的角关联测量确定高激发能级的宇称及自旋。     

金硅面垒探测器的修复与保养

介绍了金硅面垒探测器因放射性的污染或粉尘、油渍等污物的沾附．致使其性能变坏而无法正常使用时．通过清洗和一定的处置使其性能恢复的方法。同时．还叙述了金硅面垒探测器的维护保养方法和使用注意事项。     

金-硅面垒型探测器的试制

一、引言金-硅面垒型探测器是目前最为成熟、运用最为广泛的一类半导体射线探测元件。在低能核物理领域中,它所具有的极高的能量分辨率、极短的脉冲上升时间等优点,已经用于α粒子、β粒子、质子及其它各种重带电粒子的探测,dE/dX,E的测量,以及各种谱仪。利用中子与某些物质的作用可以测量中子,尤其是由于它的体积小,可以精确地测出中子通量的空间分布。这是以往大型中子探测器所办不到的。在保健物理及其它同位素应用中,配合晶体管线路可     

锂漂移金硅面垒探测器长期稳定性

测试了北京综合仪器厂生产的锂漂移金硅面垒探测器的反向漏电流、零偏压电容、噪声甄别阈和对~(6O)Coγ射线计数率。给出了室温、高温下长期存放和长期工作的实验结果。指出了这种探测器在一定条件下作为γ照射量率探测元件的可能性,以及长期稳定性改善的方法。