新型陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、ＡＰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ）、ＡＷ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）和Ｊｘ－１（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ⅰ具有较高的抗弯强度（σ＿（ｂｂ））和断裂韧性Ｋ＿（Ｉｃ）；研究结果表明，在ＪＸ－２－Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。     

钨在SF_6／O_2射频等离子中的反应离子刻蚀动力学研究

钨在ＳＦ＿６／Ｏ＿２射频等离子中的反应离子刻蚀动力学研究＝ＡｋｉｎｅｔｉｃｓｔｕｄｙｏｆｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆｔｕｎｇｓｔｅｎｉｎＳＦ＿６／Ｏ＿２ＲＦｐｌａｓｍａｓ［刊，英］／Ｐｅｉｇｎｏｍ，Ｍ．Ｃ．…／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ...     

采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀SiO_2的干法光刻

采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀ＳｉＯ＿２的干法光刻ＤｒｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｕｓｉｎｇｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆＳｉＯ＿２［刊，英］／Ｃｈｏｑｕｅｔｔｅ，Ｋ．Ｄ．…　∥Ａｐｐ...     

新型复相陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ的界面结构及其对材料性能的影响

本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料Ｊｘ－２－Ⅰ的界面结构，结果表明，在Ｊｘ－２－Ⅰ中Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构；发现在ＳｉＣｗ、ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３上有孪晶产生；分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ⅰ材料的整体性能。     

新型陶瓷刀具材料JX－2－I界面结构的实验研究

利用ＴＥＭ和电子衍射图谱分析，研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面微观结构。ＴＥＭ分析表明，ＪＸ－２－Ｉ刀具材料的界面结合状态较好，Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ界面上形成了具有较高强度的“钢筋混凝土”结构，在Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ界面上没有剧烈的化学反应发生；通过ＴＥＭ和电子衍射图分析，发现在Ａｌ＿２Ｏ＿３的晶粒边界上有尖晶石（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）生成，这有利于控制Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒的长大，提高复合材料的强度。     

反应离子刻蚀引起的多晶硅过腐蚀中SiO_2和SiO_2－Si界面的损伤

反应离子刻蚀引起的多晶硅过腐蚀中ＳｉＯ＿２和ＳｉＯ＿２－Ｓｉ界面的损伤＝ＲｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｉｎｄｕｃｅｄｄａｍａｇｅｔｏＳｉＯ＿２ａｎｄＳｉＯ＿２－ＳｉｉｎｔｅｒｆａｃｅｉｎｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｏｖｅｒｅｔｃｈ［刊，英...     

用低压化学汽相淀积制备TiO_2薄膜

用低压化学汽相淀积制备ＴｉＯ＿２薄膜＝ＴｈｉｎＴｉＯ＿２ｆｉｌｍｓｐｒｅｐａｒｅｄｂｙｌｏｗｐｒｅｓｓｕｒｅｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［刊，英］／Ｒａｕｓｃｈ，Ｎ．…Ｊ．Ｅｌｅｃ－ｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．－１９９３，１４０（１）．...     

A Study on The Optical Properties of InAs Microcrystallites Embedded in SiO_2 Glass Matrix

ＡＳｔｕｄｙｏｎＴｈｅＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＩｎＡｓＭｉｃｒｏｃｒｙｓｔａｌｉｔｅｓＥｍｂｅｄｄｅｄｉｎＳｉＯ２ＧｌａｓＭａｔｒｉｘＪ．Ｚ．ＳｈｉＬ．Ｄ．Ｚｈａｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ，Ａｃａｄｅ...     

反应离子刻蚀引起的SiO_2电特性辐射损伤评估

反应离子刻蚀引起的ＳｉＯ＿２电特性辐射损伤评估＝Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎｏｆｒａｄｉａｔｉｏｎｄａｍａｇｅｏｎｅｌｅｃ－ｔｒｉｃａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＳｉＯ＿２ｄｕｅｔｏｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇ［刊，英］／Ｔｓｕａｋａｍｏｔｏ...     

p型和n型硅中SF_6等离子刻蚀引起的电子缺陷

ｐ型和ｎ型硅中ＳＦ＿６等离子刻蚀引起的电子缺陷＝Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｆｅｃｔｓｉｎｄｕｃｅｄｉｎｐ－ａｎｄｎ－ｔｙｐｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙＳＦ＿６ｐｌａｓｍａｅｔｃｈｉｎｇ［刊，英］／Ｂｅｌｋａ－ｃｅｍ，Ａ．…∥Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．...     

NH_3－氮化N_2O~－生长氧化物的MOS特性

ＮＨ＿３－氮化Ｎ＿２Ｏ￣－生长氧化物的ＭＯＳ特性＝ＭＯＳｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＮＨ＿３ｎｉｔｒｉｄｅｄＮ＿２Ｏ￣－ｇｒｏｗｎｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｙｏｏｎ，Ｇ，Ｗ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３，１...     

只有两个外部元件的BiCMOS话音电路

只有两个外部元件的ＢｉＣＭＯＳ话音电路＝ＡＢｉＣＭＯＳｓｐｅｅｃｈｃｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈｏｎｌｙｔｗｏｅｘｔｅｒ－ｎａｌｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ［刊，英］／Ｃａｓｔｅｌｌｏ，Ｒ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｌｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．１９９３．２８（７）．...     

Ce_xSi_（1－x）应变层的电和光带隙

Ｃｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）应变层的电和光带隙＝ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄｏｐｔｉｃａｌｂａｎｄｇａｐｓｏｆＣｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）ｓｔｒａｉｎｅｄｌａｙｅｒｓ［刊，英］／Ｊａｉｎ，Ｓ．Ｃ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ．Ｄｅｖ．－１９９３，４０（１２）...     

磁增强或者常规反作用离子刻蚀曝光SiO_2／p－Si结构中硅衬底的电特性

磁增强或者常规反作用离子刻蚀曝光ＳｉＯ＿２／ｐ－Ｓｉ结构中硅衬底的电特性＝Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｈａｒ－ａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｉｎｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙｅｎ－ｈａｎｃｅｄｏｒｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌｒｆａｃｔｉｖｅ...     

一种5V6位80MS／sBiCMOS闪烁ADC

一种５Ｖ６位８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳ闪烁ＡＤＣ＝Ａ５Ｖ，６－ｂ，８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳｆｔａｓｈＡＤＣ［刊，英］／Ｒｅｙｂａｎｉ，Ｈ．…∥ＩＥＥＥＪＳｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９４．２９（８）．８７３～８７８开发出一种５Ｖ单电源６...     

适于嵌入应用的一种25MS／s8位CMOSA／D转换器

适于嵌入应用的一种２５ＭＳ／ｓ８位ＣＭＯＳＡ／Ｄ转换器＝Ａ２５ＭＳ／ｓ８－ｂｉｔＣＭＯＳ．Ａ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｃｒｆｏｒｅｍｂｅｄｄｅｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｐｅｌ－ｇｒｏｍ，ＭＪＭ…∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．...     

Si／Ge_xSi_（1－x）结构中的高分辨率反应离子刻蚀及损伤

Ｓｉ／Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）结构中的高分辨率反应离子刻蚀及损伤＝Ｈｉｇｈ－ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇａｎｄｄａｍａｇｅｅｆｆｅｃｔｓｉｎｔｈｅＳｉ／Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）ｓｙｓｔｅｍ［刊，英］／Ｃｈｅ－ｕｎｇ．Ｒ．…...     

Research on the Passivation Function of Si＿3N＿4 Film to YBCO Superconducting Film

ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎｔｈｅＰａｓｓｉｖａｔｉｏｎＦｕｎｃｔｉｏｎｏｆＳｉ＿３Ｎ＿４ＦｉｌｍｔｏＹＢＣＯＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＦｉｌｍＺｈａｎｇＹｕｔｉａｎ；ＪｉｎＢｏＡＮＤＱｉａｎＰｉｎｇｋａｉ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄＳｃｉｅ...     

新型陶瓷刀具材料JX—2—I组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ２Ｏ３），ＡＰ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ），ＡＷ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）和ＪＸ－１（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ｉ具有较高的抗弯强度（σｂｂ）和断裂韧性ＫＩＣ，研究结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的主要增韧机理是界面解离，裂纹偏转和晶须拔     

A／D与D／A转换器技术

Ａ／Ｄ与Ｄ／Ａ转换器技术ＷＤ９４５１１１０位１００Ｍ采样／秒流水线子区ＢｉＣ－ＭＯＳＡＤＣ＝Ａ１０－ｂ１００－Ｍｓａｍｐｌｅ／ｓｐｉｐｅｌｉｎｅｄ　ｓｕｂ－ｒａｎｇｉｎｇＢｉＣＭＯＳＡＤＣ［刊，英］／Ｓｏｎｅ，Ｋ．…／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－Ｓｔａ...