水性石英晶体研磨液的工艺性能

本文介绍了两种国内最新研制成功的水性石英晶体研磨液的性能。ＥＨ－０５型可用普通自来水稀释３０倍使用。ＥＨ－２０型使用时加普通自来水一倍稀释，可悬浮Ｗ１４－Ｗ４０在粒径磨料，完全替代“ＰＣ”油。     

1．8GHz下功率密度为2．8W／mm的4H－SiC MES FET

１．８ＧＨｚ下功率密度为２．８Ｗ／ｍｍ的４Ｈ－ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ据《ＩＥＥＥＥ．Ｄ．Ｌ．》第１５卷第１０期报道，ＣｈａｒｌｅｓＥ．Ｗｅｉｔｚｅｌ等已研制成一种４Ｈ－ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ。采用４Ｈ－ＳｉＣ是由于它比６Ｈ－ＳｉＣ高出两倍的电子迁移率。器件的...     

电控双折射液晶显示的动力学模拟计算

对ＨＡＮ－ＥＣＢ显示和平行型ＥＣＢ显示进行了动力学模拟计算。结果表明ＨＡＮ－ＥＣＢ在电压作用下具有比平行型ＥＣＢ更快的响应速度，而在回落过程中具有与平行型ＥＣＢ大体相同的响应速度。     

HEMT与HBT集成放大器的设计

ＨＥＭＴ与ＨＢＴ集成放大器的设计ＨＥＭＴ以其高增益和低噪声著称，而ＨＢＴ则以高线性度和高效率见长，因此，把ＨＥＭＴ和ＨＢＴ集成在同一衬底上的性能引起了微波设计者的观注。ＴＲＷ高电子系统和技术部的Ｋ．－Ｗ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ等人报道了一种放大器；它是用...     

HEMT－HBT单片集成技术

简要介绍了ＨＥＭＴ－ＨＢＴ单片集成技术，并对目前用选择ＭＢＥ和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ综合工艺制作的ＨＥＭＴ、ＨＢＴ器件和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ，放大器性能进行了评述。     

HEMT—HBT单片集成技术

简要介绍了ＨＥＭＴ－ＨＢＴ单片集成技术，并对目前用选择ＭＢＥ和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ综合工艺制作的ＨＥＭＴ、ＨＢＴ器件和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ，放大器性能进行了评述。     

高温超导GdBa2Cu3O7—δ薄膜测辐射热型红外探测器研究

用高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜设计并研制了单元及２×２阵列型红外探测器。其中２×２阵列型器件的四个单元探测器的Ｔｃ值及Ｒ－Ｔ特性相差≤３％。使用５００Ｋ黑体及Ｈｅ－Ｎｅ激光作为辐照源。单元及阵列器件最好的结果为噪声等效功率ＮＥＰ（５００，１０，１）分别为３．６×１０－１２和４．１×１０－１２Ｗ／Ｈｚ１／２，归一化探测率分别为１．６×１０１０和１．２×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ；响应率分别为８．２×１０４和７．２×１０４Ｖ／Ｗ。     

AT切三次泛音HC—49／S石英谐振器

ＨＣ－４９／Ｓ长条片石英谐振器的设计制造难度大，本文对２７０００ｋＨｚ－６００００ｋＨｚＡＴ切三次泛音石英谐振器研制进行总结，并给出了性能测试结果。厚度切变振动石英谐振器常用切型分为ＡＴ切和ＢＴ切两种，其中ＡＴ切型晶体具有频率稳定性高，在宽温范围内频率特性好等优点而被大量使用。过去石英晶体厂家大量生产的是ＨＣ－４９／Ｕ晶体，随着市场需求的变化，已逐步向生产ＨＣ－４９／Ｓ石英晶体过渡。三次泛音的ＨＣ     

具有低温特性的宽频带P－HEMT MMIC LNA

具有低温特性的宽频带Ｐ－ＨＥＭＴ　ＭＭＩＣ　ＬＮＡ《ＩＥＥＥＴＭＴ＆Ｔ》１９９３年第６—７期报道了使用０．２μｍＴ型栅，ＩｎＧａＡｓＰ－ＨＥＭＴ工艺制作了两个８～１８ＧＨＺ宽带单级ＭＭＩＣ低噪声放大器。其中一个为平衡结构的Ｐ－ＨＥＭＴＭＭＩＣＬＮＡ，...     

MRQ－MCBWB──一种改善DQDB协议公平性的新方法

ＭＲＱ－ＭＣＢＷＢ──一种改善ＤＱＤＢ协议公平性的新方法温燕红，王耀中（上海交通大学图像所，上海２０００３０）分布式排队双总线（ＤＱＤＢ）协议已被ＩＥＥＥ８０２委员会采纳作为ＩＥＥＥ８０２．６城域网媒质接入控制协议的标准，其主要特点是媒质接入控制机制...     

用MMIC构成的W波段振荡源组件

用ＭＭＩＣ构成的Ｗ波段振荡源组件据《１９９４ＥＥＥＥＭＴＴ－ｓＤｉｇｅｓｔ》报道，Ｈ．Ｗａｎｇ等用三块ＭＭＩＣ芯片研制成一种Ｗ波段（７５～１１０ＧＨＺ）的振荡源组件。第一块ＭＭＩＣ芯片为异质结双极晶体管（ＨＢＴ）压控振荡器（ＶＣＯ），频率为２３．５Ｇ...     

电源电压1．5V下，饱和输出功率为30．0dBm的HEMT

电源电压１．５Ｖ下，饱和输出功率为３０．０ｄＢｍ的ＨＥＭＴ据《日经》１９９５年第９－１１期报道，日本ＮＥＣ新开发的ＨＥＭＴ，在电源电压＋１．５Ｖ下，工作频率９５０ＭＨｚ时的饱和输出功率达３０．０ｄＢｍ（约１Ｗ）。可用于移动电话的功放。该器件的结构是，...     

基于Web的SDH接入网网管系统

文章介绍了基于Ｗｅｂ的ＳＤＨ接入网网管系统ＷＥＢＮＭＳ的体系结构、形式及功能,与传统的ＳＤＨ接入网网管系统相比,ＷＥＢＮＭＳ有更生动、友好的界面,更好的开放性,同时,更易于使用和维护。     

一种5V6位80MS／sBiCMOS闪烁ADC

一种５Ｖ６位８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳ闪烁ＡＤＣ＝Ａ５Ｖ，６－ｂ，８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳｆｔａｓｈＡＤＣ［刊，英］／Ｒｅｙｂａｎｉ，Ｈ．…∥ＩＥＥＥＪＳｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９４．２９（８）．８７３～８７８开发出一种５Ｖ单电源６...     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

Hole Mobility in Poly (N-vinylcarbazole) Thin Film Based on Silicium

ＨｏｌｅＭｏｂｉｌｉｔｙｉｎＰｏｌｙ（Ｎ－ｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）ＴｈｉｎＦｉｌｍＢａｓｅｄｏｎＳｉｌｉｃｉｕｍ①②ＣＨＥＮＢａｉｊｕｎ，ＷＡＮＧＸｉａｏｗｅｉ③，ＬＩＵＳｈｉｙｏｎｇ（ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂ．ｏｎＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＯｐｔｏｅ...     

DBASEⅢ与PASCAL语言的数据交换

由于ＰＡＳＣＡＬ接收的数据文件是以空格作为隔符，而在ＤＢＡＳＥⅢ下用ＤＥＬＩＭＩＴＥＤ ＷＩＴＨ ＢＬＡＮＫ复制数据文件时将字符型字段的后面空格全部删除，所以，编程时要注意这一点。     

SiC器件—物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ－ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ＾－１二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓ     

选择性质子轰击DC—PBH激光器

在普通双沟平面掩埋异质结（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器的基础上，采用质子轰击的技术，制作了一种新型的选择性质子轰击ＤＣ－ＰＨＢ激光器。这种新型的激光器结构与以前普通的ＤＣ－ＰＢＨ结构相比阈值电流降低，输出功率及量子效率得到提高，尤其是它的调制特性得到明显改善，这种结构激光器的调制带宽由原来的２．０ＧＨｚ提高到６．０ＧＨｚ。     

SC—6SA晶体调频机的技术改造

本文简要叙述了ＳＣ－６ＳＡ晶体调频机的技术改造过程。通过技术改造使该调频机具备了使用铝材料进行晶体调频的能力，并且改造后的调频机的各项技术指标达到了原机器的设计要求。