HgMnTe磁性半导体研究概述

HgMnTe是一种典型的Mn基Ⅱ-Ⅵ族窄禁带磁性半导体材料,已成功应用在红外发光和光电探测领域.同时由于磁性元素Mn的引入,HgMnTe材料中存在两类重要的磁交换作用:d-d交换和sp-d交换,导致HgMnTe具有诸如自旋玻璃转变、(巨)负磁阻、磁场诱导绝缘体-金属相变、巨Faraday旋转效应、光致磁化效应和磁极化子...     

宽带II-VI族磁性半导体的铁磁特性研究

自旋电子学是凝聚磁学与微电子学的桥梁,从而将磁器件与微电子器件联系起来,而半导体自旋电子学是在自旋电子学基础上发展起来的一门新兴学科。近年来,由于磁性半导体的铁磁特性及磁光特性的研究迅速发展,使半导体自旋电子学的研究成为自旋电子学领域的一个重要分支,它着重于以磁性半导体为基本材料的新型电子器件的研究。本文主要介绍宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体铁磁特性的研究进展及一些初步的研究工作。     

半导体与多种异质结构的磁性与调控

我国半导体材料的快速发展,带动了在制造电子构件中的广泛应用,尤其是稀磁半导体,低温性能是最大突出优势,而且可以实现逻辑以及存储的双功能的实现。随着稀磁半导体材料的发展,在室温条件下,面临目前的需求就对居里温度提出了更高要求。对此其磁性以及调控的过程中,有很多需要注意的地方以及使用技术,因为注入异构的不同,就会有不同的特征。基于此,本文就对铁磁性加以描述,就基本的材料制备技术做了分析,重点分析了异构相关性质以及调控,以供参考。     

Co-ZnO非匀质磁性半导体的磁光克尔效应研究

研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱,发现通过调制样品成分和退火处理,可以大幅度调制极向克尔谱.退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强,克尔角最大值达到0.72°,这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1-xCoxO磁性半导体的纳米复合体系.     

宽带Ⅱ-Ⅵ族磁性半导体的铁磁特性研究

自旋电子学是凝聚磁学与微电子学的桥梁,从而将磁器件与微电子器件联系起来,而半导体自旋电子学是在自旋电子学基础上发展起来的一门新兴学科.近年来,由于磁性半导体的铁磁特性及磁光特性的研究迅速发展,使半导体自旋电子学的研究成为自旋电子学领域的一个重要分支,它着重于以磁性半导体为基本材料的新型电子器件的研究.本文主要介绍宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体铁磁特性的研究进展及一些初步的研究工作.     

半导体自旋电子学的研究与应用进展

自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科.自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点.本文介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、自旋注入、自旋探测以及自旋输运等.本文综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用.     

美用原子移栽手段获得磁性半导体材料

美国明导国际公司（Mentor Graphics）发布了在用户指定总线布线概要后可自动在板卡上设计总线布线的EDA工具（日文发布资料）。该EDA工具是在日本民用设备厂商的建议和协作下开发完成的。     

稀磁半导体(Ga1-xFex)As的磁性及稳定性

运用第一性原理下的LMTO-ASA方法研究稀磁半导体(Ga1-xFe x )As( x ＝1,1/2,1/4和1/8)的电子结构、磁性及其稳定性.计算了Fe掺杂浓度的变化对(Ga1-xFe x )As的磁性及稳定性的影响.     

表面层半导体陶瓷电容器材料的研制

在(Ba_(1-x)Nd_(2x/3)□_(x/3))TiO_3系固溶体中(其中Nd也可以是Pr、Dy、Sm、Gd中的一种)添加Mn的氧化物,可制得表面层半导体陶瓷。该陶瓷经适当选择组成,并在合理的条件下加以处理,可制得单位面积容量为0.1～0.27μF/cm~2,击穿电压达500V左右的半导体陶瓷电容器。     

日益丰富的半导体材料

半导体材料应用广泛 ,是信息技术和产品发展的“粮食” ,对信息产业的发展速度起着举足轻重的作用。经过几十年的探索 ,半导体材料已从单元素发展到两元或多元化合物 ,从常用的几个品种发展到性能各异的几十个品种 ,而且半导体材料研发方面的深度和广度也在不断加强 ,新材料、新技术正在不断涌现 ,未来的发展空间极大。1　传统半导体材料　应用前景依然广阔半导体材料是指电阻率介于典型的金属和典型的绝缘体之间 (10 - 2 ～ 10 7Ω·ｃｍ) ,导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。在电子器件中 ,常用的半导体材料有 :元素半导体 ,如硅 (Ｓｉ…     

稀磁半导体(Ga_(1-x)Fe_x)As的磁性及稳定性

运用第一性原理下的LMTO-ASA方法研究稀磁半导体(Ga1-xFex)As(x=1,1/2,1/4和1/8)的电子结构、磁性及其稳定性.计算了Fe掺杂浓度的变化对(Ga1-xFex)As的磁性及稳定性的影响.     

我国(Ga,Mn)As磁性半导体研究取得进展

7月9日,《物理评论快报》(Phys.Rev.Lett.111,027203 2013)报道了中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究组及合作者在(Ga,Mn)As/Co2FeAl双层膜铁磁界面耦合和磁邻近效应方面取得的最新研究成果。(Ga,Mn)As兼具铁磁体和半导体的性质,过去十多年里受到了高度关     

半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe压力光致发光研究

采用金刚石对顶砧压机,在77K和不同压力下测量了半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.25,0.40,0.60)的光致发光光谱.分别在x=0.25和x=0.40的Cd_(1-x)Mn_xTe和Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中观察到两种不同性质的复合发光。根据发光峰的能量位置及其随压力的变化可以判定在Cd_(0.75)Mn_(0.25)Te和Cd_(0.6)Mn_(0.4)Te中的发光峰对应于带间复合发光,而Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中的发光峰对应于Mn离子3d↓能级到杂化价带的复合发光.     

MnxGe1-x薄膜结构磁性和输运特性的研究

用磁控溅射法制备了Mnx Ge1-x(x=0.05、0.07、0.11、0.15、0.19、0.23、0.26、0.29)系列薄膜样品.X射线衍射(XRD) 表明所有样品为Ge立方体结构,没有发现第二相存在.晶格常数随Mn摩尔浓度增加而增加,符合Vegard定律.磁力显微镜(MFM)测量表明没有明显的磁畴结构出现,原子力显微镜(AFM)测量表明样品表面颗粒均匀并且呈圆柱状生长.X射线光电谱测量表明Mn原子并不是处于单一的正二价态.电子输运特性测量表明室温电阻率随Mn摩尔浓度增加而增加,Mn原子处于深的受主态,电阻率随温度增加而减小,样品仍表现为典型的半导体特性.物理性质测量仪测量表明样品的铁磁性是固有的长程有序的,通过s、p-d载流子的交换耦合来实现.     

有源层厚度对氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的影响

使用磁控溅射法制备了IGZO-TFT,研究有源层厚度对其电学性能的影响。实验结果表明,器件的阈值电压和开关比会随着有源层厚度的增大而减小,而器件的亚阈值摆幅和饱和迁移率则会随有源层厚度的增大而增大。此外,还研究了有源层厚度对器件偏压稳定性的影响。有源层厚度越大的器件,其阈值电压漂移也会越大。这主要与半导体层中所增加的缺陷态密度有关。