光刻掩模位相移动法动向

1 前言 半导体元件的微细化、高性能化,可借助于光刻技术飞跃地提高其分辨率而实现。迄今为止,光刻的能力仍依赖曝光装置的高性能化、抗蚀剂的高性能化、以及腐蚀过程的改进而得到提高。但是,最近除了以上途径之外,出现了利用光掩模提高分辨率的位相移动法,引起了各方面的关注。     

光学光刻的现状及未来

简要概述了光学光刻的现状、目前典型光刻机的技术水平、以及即将推出的新一代光刻机，并总结光学光刻的发展趋势。     

光学光刻技术现状及发展趋势

综述了光学光刻目前的主流技术— 2 48nm曝光技术现状 ,介绍了折射式透镜和反射折射式透镜结构及性能。结合 1 93nm技术的开发 ,比较了 2种结构的优势。最后给出了光刻设备的市场概况并讨论了光学光刻技术的发展趋势。     

光学光刻现状及设备市场

概述了当前光学光刻技术现状及今后发展目标 ,并结合设备市场介绍了ASML、Canon、Nikon 3大设备制造商概况。     

国外光刻技术现状及发展趋势

<正> 前言光刻技术是微细加工的核心。到目前为止人们提出并采用有如下几种方式:接触式光刻;1:1反射投影光刻;直接在硅片上分步重复光刻(DSW);电子束光刻;软X射线复印;离子束光刻。     

液晶显示的现状及发展动向

1.前言自从 Heilmeler 等人提出液晶显示技术以来,最少也有20几年的历史了。最初只使用有机物并把液晶作为显示装置的关键部分,但当时很多技术工作者对其发展前景持怀疑态度。然而液晶发展的历史告诉人们,一种新技术的发展必须把握住时机,要经过长期的发展才能日趋完善。     

光存储技术发展现状及动向

光通信技术、光盘技术与遥感技术广泛地投入使用,证明了电子技术与光子技术结合的必要性。光子同电子一样,都是信息的重要载体,近年来,光子存储技术的迅速发展揭示出光子与电子共兴共荣的时代正在来临。一、各种光存储技术及发展趋势1.感光存储技术这项技术现在已达到顶峰状态,适宜于各种光线状态的感光胶片应有尽有。新一代的数码影像传感技术和机读载体技术已完全脱离了目前的感光材料,银盐技术受到了冲击,但由于感光胶片像质分辨率高,相片成本低,感光摄影的普及程度高,感光胶片不会就此退出历史舞台,它仍是21世纪初的主要影像存储材料。红外线感应器就是感光存储技术的成功应用,它是红外夜     

国内外片状元器件现状及动向

片状元器件是指适用于表面组装的元器件,简称SMC,也有人把片状元件简称SMC,片状器件简称SMD。片状元器件是与表面组装技术(SMT)同时发展起来的高技术产品,满足电子整机朝短、小、轻、薄、多功能、高可靠、低成本方向发展的需要。 1 国内片状元器件现状 目前国内研制、生产片状元器件的单位有50余家,1984年至1990年从国外引进32条片状     

光刻

２００２０３０１８１曝光装置用G２０K型KrF准分子激光器＝露光装置用KrFエキシマレ－ザ“G２０K”犤日犦／中尾清春∥光アライアンス．—２０００，１１（１）．－３７～３８２００２０３０１８２新的真空紫外光源＝新しい真空紫外光源犤日犦／佐佐木亘∥光アライアンス．—２０００，１２（７）．－３６～３９２００２０３０１８３下一代器件和１５７nm的曝光方法＝次次世代のデバイスと１５７nmの露光方法犤日犦／子腾氏∥光技术コンタクト．—２０００，３８（６）．－３６～３７２００２０３０１８４剖析半导体制造用的光刻装置＝…     

光刻与微纳制造技术的研究现状及展望

首先介绍了微纳制造的关键工艺技术——光刻技术。回顾了光刻技术的发展历程,介绍了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。阐述了国内外对光刻技术的研究现状,并讨论了光刻与微纳制造技术面临的挑战及其需要解决的关键性技术问题。然后重点介绍了浸没光刻、极紫外光刻、电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、纳米压印光刻等技术的概念、发展过程和特点,并对不同光刻技术的优缺点和生产适用条件进行了比较。最后结合国内外生产商、工程师和研究学者的研究成果,对光刻技术的未来发展做出展望。     

演播中心设备的发展现状及动向

本文从摄录像机的变革、节目制作技术的变革、电视体制的变革等几方面小结了八十年代演播中心的发展状况,并提出一些看法,供大家讨论。     

AC型PDP的技术现状及动向

等离子体显示器以其宽阔的视角，优良的显示质量，简单的生产工艺以及易于实现大型化的特点而成为ＨＤＴＶ，多媒体等较为理想的平板显示器件。本文主要介绍了彩色ＰＤＰ的开寻历程，工作原理和动向。     

国内外可变电容器的现状及发展动向

本文对国内外可变电容器的生产及技术现状做了概述，着重介绍了国外片式微调与世界先进水平的差距，指出了可变电容器的发展方向。     

集成电路存储器研制现状及应用动向

本文简要地回顾集成电路存储器的发展历程.从一九七○年英特尔公司研制1K位DRAM开始,每隔三年左右容量便增大3倍,迄今的十六年间,容量已增大4000倍.文章着重指出了集成电路存储器今后的发展方向:(1)大容量化,(2)低功耗化,(3)高速化,(4)高功能化,(5)专用化,(6)封装小型化.     

我国ODS替代品现状及发展动向

由于ＣＦＣｓ和哈龙已被国际社会列为逐步淘汰最终禁止使用的产品，所以ＯＤＳ替代品这一新兴的环保产业应运而生，具有广阔的发展前景。本对国际神经目前ＯＤＳ替代品的现状及发展动向作了详尽的描述。介绍了我国目前ＯＤＳ替代品生产及技术情况，预测了今后的发展方向，并预计我国ＯＤＳ替代品产业将进入一个高速发展时期。