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闪速存储器是通用存储器件,它能实时地存储代码并更新数据,而没有写入/擦除周期方面的损失(EEPROM则存在这种损失)。至今,闪速存储器的同时读出/写入技术(SRW)能一边读出一个存储体内的代码,一边对另一个存储体执行写入/擦除功能。这种功能只适用于两个固定的存储体。用于Am29DL640闪速存储器中的Flex Bank结构,一边对一个存储体进行编程/擦除,一边     

闪速存储器介绍

闪速存储器介绍刘自平郭庆利闪速电擦除可编程存贮器（ＦＬＡＳＨＥＥＰＲＯＭ）简称闪速存贮器。是继电擦除可编程存贮器（ＥＥＰＲＯＭ）之后出现的新一代可在线编程，掉电后数据不丢失（非挥发性）存贮器。闪速存贮器通常在编程前要先擦除，擦除后的单元是“１”。若...     

闪速存贮器介绍

闪速存贮器介绍刘自平郭庆利闪速电擦除可编程存贮器（ＦＬＡＳＨＥＥＰＲＯＭ）简称闪速存贮器。是继电擦除可编程存贮器（ＥＥＰＲＯＭ）之后出现的新一代可在线编程，掉电后数据不丢失（非挥发性）存贮器。闪速存贮器通常在编程前要先擦除，擦除后的单元是“１”。若...     

具有块擦除功能的1Mb闪速存储器MX28F1000PQC

ＭＸ２８Ｆ１０００ＰＱＣ是１Ｍｂ闪速存储器。它不但具有小容量Ｆｌａｓｈ的优点，而且还具备在大容量Ｆｌａｓｈ产品才拥有的自动编程和扇区（块）擦除功能，本文介绍了该芯片的特点，命令描述，并给出与ＭＣＳ－５１接口的应用实例。     

微芯片与存储器

8位电池微控制器MltsublshiElectronicsAmerica公司最近将大量生产M37516型8位智能电池微控制器,具有32kB的闪存,能在开通下进行快速重编程。它还有一个SMBSS接0、10位A／D转换器和适合电池组的外设功能。M37516％用SV电源,片上的闪存能支持并行、串行和CPU编程模式,并能使用户通过软件命令控制编程功能和擦除功能。耗电34mw,但在“待机”模式下,仅经过正常工作电流的25％;而“停机”模式下,只流过40VA电流。M37516采用48引脚塑料LQFP封装,其尺寸为7X7XI·4mm。M37516适用于便携式设备（如笔记本电脑）等,样品售价每…     

便携可编程精密基准电压产生器

本文给出一个电池供电的可编程基准电压产生器,其输出电压范围0～4.0955V。用按钮可选择8000多个电压。图1为具体的硬件电路。在关断电源时,所选择的电压保存在非易失性存储器中。图中，MAX5130 13位串行D/A变换器产生基准电压。该器件具有一个内部基准和一个运放,故不需要外部元件发送精密电压。PIC16C84微控制器用于接受输入命令和控制输出电压,通过3条线发送数据到MAX5130。PIC16C84具有内置EEPROM,用于在没有电源时存储输出数据。4个按钮控制输出电压增加或减少。开关S2和S4使步长为0.5mV增量。开关S3和S5改变100个步长(50m…     

凌力尔特公司4通道LED驱动器驱动

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出用作4通道恒定电流LED驱动器的2MHz DC／DC转换器LT3476。该器件每个通道都能驱动多达8个串联的1A LED，从而使LT3476能够驱动多达32个1A LED，同时具有高达96％的效率。4个通道中的每一个都由独立的真正彩色PWM信号控制，从而对每个通道都能以高达1000：1的调光比独立调光。固定频率、电流模式架构确保在宽电源电压和输出电压范围内稳定工作。频率调节引脚使用户能够在200kHz至2MHz的范围内对频率编程，以优化效率，     

一款用于Flash型FPGA的阶梯式配置方法

为了提高Flash型FPGA中的Flash开关单元在擦除、编程后驱动能力的一致性,设计一种阶梯式的对Flash cell进行擦除和编程的方法.通过该方法依次对Flash开关单元执行若干次配置操作,执行完一次配置操作后通过Flash电流读出电路回读Flash开关单元的电流,并基于回读的电流调整下一次配置操作的参数,直至完成配置操作;该阶梯式控制的编程和擦除算法,及时调整编程和擦除时的操作电压和时间参数,可以实现对Flash开关单元在擦除和编程后阈值电压分布的精确控制,保证了驱动的一致性,为Flash型FPGA提供了高精度的延迟参数.并且采用阶梯式的配置方法很好的控制了Flash cell过擦除和过编程现象的发生,使电流读取电路能够对Flash cell的电流进行准确的读取.实测结果表明使用该阶梯式的配置方法可以将擦除、编程后的Flash cell阈值电压控制在预设范围之内.     

利用可变负载测试电压源

图1所示电路可用作测试电压源的可变的电流吸收器负载。我们可以用数字命令在一个大范围内设定被测试器件的负载电流,而与被测器件的输出电压无关。本电路包括一个AD558数模转换器(DAC)IC_1,它在A点提供一个基准电压。几乎任何类型的DAC都能在本电路中很好地进行工作。AD558是一个具有内部基准电压的单     

集成电路与IP芯核

数据总线字长可配置的闪速存储器意法半导体的M58LW128A和M58LW128B是128Mb的闪速存储器,分为128个容量为1Mb的区块。M58LW128A的数据总线字长为16位,而M58LW128B的数据总线字长可以配置为16位或者32位。该器件使用单电源供电。编程、擦除及读出的电源电压V_DD为2.7V至3.6V,输     

基于80C196KC ＆ PSD4235G2在线编程的实现

可编程外围器件PSD应用于MCU系统后，单片机可以执行一个存储器的代码，同时擦除和编程另一个存储器，因而可以通过上位机远程更新用户软件，实现在线编程(In Application Programming)。同时，简化了MCU外围电路的设计，增加了系统的可靠性和稳定性。     

碳化硅助力实现PFC技术的变革

<正>碳化硅（SiC）功率器件已经被广泛应用于服务器电源、储能系统和光伏逆变器等领域。近些年来,汽车行业向电力驱动的转变推动了碳化硅（SiC）应用的增长,也使设计工程师更加关注该技术的优势,并拓宽其应用领域。选择器件技术无论应用领域如何,每个电源设计都是以回答一些相同的基本问题着手进行的：输入电压、输出电压和输出电流分别是多少？接下来,设计人员要考虑他们力图在最终产品中实现的性能标准。目前,电源设计人员可以利用多种器件来满足这些标准,包括氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和各种基于硅（Si）的技术,     

自动选择工作模式的宽范围稳压器

图1所示电路可在外部DAC（未示出）控制下为EEPROM提供编程电压。您可以用一个电位器来代替该DAC，以建立从12V电源上工作并能提供OV～32V可变输出电压的通用电源。如图1所示，凌特科技公司（Linear Technology）的LT1072HV型可变升压开关稳压器IC1，驱动一个由运放IC2、升压级Q3及发射极跟随器达灵顿晶体管Q2组成的A类放大器。电阻器R9和R10将放大器的正相环路增益设定为1＋（R9／R10）。     

新型GAL原理和应用

GAL(generic array logic)是美国晶格半导体公司(Semiconductor)最新推出的可电擦写、可重复编程、可加密的一种可编程逻辑器件(PLD)。这是第二代PAL,亦是目前最理想的可多次编程的逻辑电路。它不象PAL是一次性编程,品种多,也不像EPROM,需要用紫外线照射擦除。GAL电路能反复编程,采用的是电擦除技术,可随时进行修改,其内部有一个特殊结构控制字,使它芯片类型少,功能全。目前普遍采用的芯片只有两种:GAL16V8(20引脚)和GAL20V8(24引脚),这两种GAL能仿真所有的PAL,并能按设计者自己的需要构成各种功能的逻辑电路,在研制开发新的电路系统时,极为方便。     

用于DDR电源及终端的高效率、双通道、±3A同步降压型稳压器符合DDR/DDR2/DDR3标准

凌力尔特公司推出一款高效率、双通道、单片式、同步降压型开关稳压器LTC3618,该器件能够为DDR/DDR2/DDR3及未来需要供应和吸收电流的标准存储器应用产生电源电压和总线终端电压。第一个降压型稳压器的输出提供了一个高准确度的VDDQ电源,该电源能输送±3 A输出。一个内部电阻分压器负责将VTT DDR终端电源和VTTR基准电压设定为等于施加至VDDQIN输入端之电压的一半,并在VTT和VTTR上分别提供了±3 A(供应/吸收)和±10 mA的输出电流能力。VTT输出可在低至0.5 V的电压条件下运作,以支持所有DDR标准。     

数字电源管理的好处

新一代IC需要更低电源电压．单个器件往往用多个电压．而这些电压必须以正确的时序加到器件上。到IC的这些非常低的电压必须板上产生、必须使压降最小和保持稳压。大多数板上电源系统用模块DC-DC转换器做为构建单元。高性能的DC-DC转换器模块适用于宽范围电源，即可做为隔离砖式转换器．也可做为非隔离负载点（POL）转换器。     

新型嵌入式BeNOR结构Flash存贮器

提出了一种能根据嵌入式应用系统容量的不同而灵活选择字节擦除和块擦除两种不同擦除模式的BeNOR阵列结构,该结构采用沟道热电子注入进行"写"操作,采用分离电压法负栅压源极F-N隧道效应进行擦除.对分离电压法负栅压源极F-N隧道效应擦除的研究表明,采用源极电压为5V,栅极电压为-10V的擦除条件,不仅能很好地控制擦除后的阈值电压,而且当字线宽度小于等于64时,源极电压导致的串扰效应能得到很好的抑制.研究表明该结构具有编程速度高、读取速度高、可靠性高及系统应用灵活的特点,非常适宜于在1M位以下的嵌入式系统中应用.     

新型嵌入式BeNOR结构Flash存贮器

提出了一种能根据嵌入式应用系统容量的不同而灵活选择字节擦除和块擦除两种不同擦除模式的BeNOR阵列结构,该结构采用沟道热电子注入进行"写"操作,采用分离电压法负栅压源极F-N隧道效应进行擦除.对分离电压法负栅压源极F-N隧道效应擦除的研究表明,采用源极电压为5V,栅极电压为-10V的擦除条件,不仅能很好地控制擦除后的阈值电压,而且当字线宽度小于等于64时,源极电压导致的串扰效应能得到很好的抑制.研究表明该结构具有编程速度高、读取速度高、可靠性高及系统应用灵活的特点,非常适宜于在1M位以下的嵌入式系统中应用.     

ADI公司推出多通道DDS器件

美国模拟器件公司（ADI），日前发布多通道直接数字频率合成器（DDS）器件，从而为系统工程师在多种应用中面临的两种普遍存在的设计问题提供了解决方案。ADI公司新的DDS允许对多迭4个内部同步输出通道独立编程。其中4通道AD9959和2通道AD9958能够对多通道信号之间的不平衡提供有效的校正控制．从而能使系统工程师用相当少的时间和精力去处理这个通常很复杂的系统设计部分。     

X1203实时时钟芯片的原理与应用

１概述Ｘ１２０３集成电路是一个带时钟／日历和两个闹钟（报警）的实时时钟芯片。它内含双端口时钟和报警器寄存器 ,这使其即使在读、写操作期间也能精确工作。该时钟／日历芯片提供了可通过一组寄存器进行控制和读出的功能。时钟使用低成本的３２．７６８ｋＨｚ晶振输入 ,能以秒、分、时、日、星期、月和年为单位跟踪时间。Ｘ１２０３具有闰年校正功能 ,并能对小于３１天的月份自动进行调整。Ｘ１２０３提供了一个ＶＢＡＣＫ 备用电源输入引脚 ,利用该引脚能使器件用不可充电的电池作备用电源。其电压为２．５～６Ｖ。Ｘ１２０３芯片具有…