MCM-D多层金属布线互连退化模式和机理

介绍了MCM-D多层金属互连结构的工艺及材料特点，并就Cu薄膜布线导体的结构特点和元素扩散特性。说明了多层布线互连退化的模式和机理，以及防止互连退化的技术措施，实验分析表明，Au/Ni/Cu薄膜布线结构的互连退化原因是，Cu元素沿导带缺陷向表层扩散后，被氧化腐蚀，导致互连电阻增大，而Cu元素在温度应力作用下向PI扩散，导致PI绝缘电阻下降。     

VLSI芯片制备中的多层互连新技术

在简要介绍多层互连材料的基础上,论述了若干种IC芯片制备中的多层互连技术,包括"Cu线 低k双大马士革"多层互连结构、平坦化技术、CMP工艺、"Cu 双大马士革 低k"技术、插塞和金属通孔填充工艺等,并提出了一些多层互连工艺中的关键技术措施.     

多芯片组件用薄膜多层互连技术

本文首先指出研究多芯片组件用薄膜多层互连技术的必要性,然后对此类薄膜多层互连的材料、结构及工艺进行详细介绍,最后举例说明它在多芯片组件中的应用情况。     

名词释义——化学机械抛光（CMP）

CMP是利用抛光机、抛光液、抛光垫、抛光布在一定的工艺条件下实现材料表面高平坦化的一种技术。CMP技术来源于硅片抛光工艺 所用的设备和材料都与硅片抛光用的设备、材料等相似。利用这种技术可以使多层SiO2介质平面化和实现多层金属高密度互连，使多层电路结构能在一个近乎平坦的平面上进行制备，加速了低电阻率Cu取代Al作为互连线的步伐，降低了芯片的使用功耗。     

PTFE埋电阻多层印制板制造技术

随着电子产品技术的发展,无源器件集成技术与聚四氟乙烯(PTFE)材料在多层印制电路板制造中扮演着越为重要的角色。论文在无源器件集成技术之一的薄膜埋电阻技术的基础上对PTFE埋薄膜电阻多层印制板制造工艺过程进行了讨论。     

用于钴互连CMP抛光液的研究进展

当集成电路技术节点进入10 nm及以下，传统的铜(Cu)互连材料面临着阻容(RC)延迟高、电子散射强等问题，钴(Co)作为制程工艺中的新材料，以其更低的电阻率、更高的硬度和更低的平均电子自由程，成为了替代Cu作为互连材料的优选金属。化学机械抛光(CMP)是去除Co布线层多余材料，实现全局平坦化的唯一技术。而抛光液作为CMP工艺中最重要的耗材之一，其性能的好坏直接决定了晶圆的抛光效果和良品率。回顾了近年来钴互连金属材料的各种新型抛光液的国内外研究进展，讨论了不同化学添加剂对Co材料的去除速率、腐蚀抑制和表面质量的影响。同时总结了钴互连CMP抛光液面临的挑战及发展方向。     

适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究

多层金属有线互连技术是VLSI工艺中最重要和关键的技术之一．本文系统地研究了用效0．8μmCMOSVLSI的双层金属布线工艺技术，特别是对双层金属布线层间介质的平坦化、接触孔和通孔的低阻欧姆接触及可靠的金属互连等关键工艺进行了分析讨论．这套技术已成功地应用放“0．8μm双层金属布线CMOS计算机主板时钟产生器专用集成电路”的研制，并获得较好芯片成品率．     

Ⅲ Ⅴ族半导体外延新工艺

GaAS、Inp等Ⅲ-Ⅴ族化合物华寻体材料广泛地用于制备光电二极管、激光器、太阳电池、传感器、微波器件和集成电路等.在制备中外延工艺常常是不可少的.尤其在一些新型器件诸如HEMT器件、HBT(异质结双极晶体管)、量子阱激光器和超晶格器件的研制中更是如此.目前,除采用传统的VPE、LPE工艺进行Ⅲ-Ⅴ族半导体的薄膜生长外,更多地注意应用一些外延新工艺进行生长,以便获得新型器件研制所要求的超薄层和多层的组合材料.     

一种LTCC基板上薄膜多层布线技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM—C／D多芯片组件的关键技术,它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条精确等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。本文介绍了在LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线的工艺难题。     

平面电桥薄膜多层互连制造工艺研究

本文主要介绍了电桥的分类、设计及详细的薄膜多层互连制作工艺，并对运用薄膜多层互连工艺制作的电桥的性能进行了测试，最后对制作过程中出现的问题进行了探讨。     

半导体器件

介绍了微波器件 MPT(微电子组装)技术的发展过程和芯片互连技术、多层基板技术、三维垂直互连技术和管壳及散热技术等主要关键技术。     

低介电常数纳米多孔氧化硅薄膜的研究进展

纳米二氧化硅(NPS)薄膜是新型微波大功率器件和超大规模集成电路(ULSI)互连系统的最佳候选绝缘介质之一,有着广泛的应用前景。介绍了NPS薄膜的制备工艺,综述了NPS薄膜的国内外研究进展及其检测方法,并探讨了NPS薄膜材料的弱点以及今后应进一步研究的若干问题。     

在线X射线反射率监测系统

X射线技术在薄膜分析中具有重要作用。小角度X射线反射率检测是不透明材料、金属薄膜和多层结构的唯一非破坏性分析方法。但是,一般的薄膜分析X射线系统均为非在线测量,即只能在薄膜淀积工艺完成之后才进行测量。 目前已有一种新型的在线X射线反射率监测系统问     

微波器件MPT的发展与关键技术

介绍了微波器件ＭＰＴ（微电子组装）技术的发展过程和芯片互连技术,多层基板技术,三维垂直互连技术和管壳及散热技术等主要关键技术。     

《红外技术》第28卷（2006年）总目录索引

题目作者期次页码▲材料与器件▲有机半导体探测器材料的研究展望姬荣斌,唐利斌,张筱丹1 2一种新型溶胶-凝胶方法制备ZnO薄膜的椭圆偏振光谱研究唐利斌,郑云,吴刚,等1 7激光束诱导电流谱技术表征红外器件几何结构陈贵宾,全知觉,陆卫1 12锆钛系远红外谷物干燥复合材料的研究李红涛,刘建学1 16非制冷焦平面探测器牺牲层制备工艺研究何雯瑾,杨培志,太云见,等1 19InSb红外焦平面器件γ辐照损伤初步研究朱建妹,靳涛,刘普霖,等2 98微光夜视设备强光防护阈值的试验方法探讨洪鸣,易明,项震,等2 101混成焦平面阵列芯片倒装互连技术研究张国栋,恭启…     

化合物半导体材料碲镉汞表面平坦化方法研究

研究了一种去除碲镉汞液相外延(LPE)薄膜材料表面波纹的方法。器件结果显示,利用该方法可以有效去除碲镉汞薄膜材料表面的波纹,获得较好的平坦化表面,提高了大面积红外焦平面器件芯片工艺和互连效果。     

基于LTCC基板的薄膜微带线制作技术

本文对厚、薄膜多层互连基板的发展进行了简单的分析，对基于LTCC基板的薄膜50Ω微带线的设计、制造、测试进行了介绍。结果表明LTCC基板表面实施薄膜工艺与厚膜工艺相比有利于获得更好的微波一致性。     

毫米波缝隙天线的三维非硅微加工制造技术

讨论了面向毫米波缝隙天线集成制造应用的三维非硅微加工技术方案,重点解决多种材料兼容、多层复杂微结构集成和大悬空高度等独特难题。针对天线器件中金属和介质材料的结合,提出了加法工艺、减法工艺以及一种通用型图形化微加工工艺,其中通用型图形化工艺为各种非硅薄膜材料在MEMS体系中的灵活运用创造了条件;为了实现多层复杂微结构的加工,提出工艺整合和工艺兼容性设计,针对天线器件中的悬空结构对牺牲层工艺进行了研究;最后以一种单向宽带毫米波平面缝隙天线为例,阐述其具体工艺流程,验证了上述工艺的可行性。     

LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。文章介绍了LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线中介质膜"龟裂",通孔接触电阻大、断路,对导带的保护以及电镀前的基片处理等工艺难题。     

《半导体国际》互连技术研讨会2008

主题步入深亚微米的互连技术半导体产业发展至今,大部分时间内Al互连技术都扮演了极为重要的角色,铝材料和SiO2一直作为制造集成电路中的微连线或配线：0.13微米以下的设计标准中,采用铝微连线制造的器件开始在可靠性方面出现问题,铜互连工艺应运而生。基于双大马士革的Cu工艺,高／低K介质材料等已成为业界热门话题,进一步改善互连性能的需求,推动今后互连技术的发展。