紫外线辐照能量对BaFCl：Eu^2＋光激励发光的影响

通过改变紫外线辐照能量，研究了ＢａＦＣｌ：Ｅｕ＾２＋的光激励发光性质，发现当紫外线能量大于或小于Ｅｕ＾２＋最低激发态能量两种情况下，光激励发光有明显的差异，还分析了产生差异的原因，并且给出了紫外线辐照能量与Ｆ／Ｃｌ比值的关系。     

应用细胞化学法与X—射线能谱仪对深低温停循环后脑神经细胞中Ca …

用草酸－焦锑酸钾细胞化学法显示深低温（１８℃）停循环（ＤＨＣＡ）在１２０ｍｉｎ后脑神经细胞内Ｃａ＾＋＋的分布及超微结的改变，同时利用Ｘ－射线能谱仪测量细胞内Ｃａ＾＋＋浓度以及停循环时应用１．６－二磷酸果糖（ＦＤＰ）保护液后细胞内Ｃａ＾＋＋浓度的变化，结果显示：（ＤＨＣＡ）１２０ｍｉｎ后脑神经细胞超微结构破坏严重，细胞内Ｃａ＾＋＋浓度明显增加，但在（ＤＨＣＡ）期间应用（ＦＤＰ）脑保护液后可以明业减轻     

PVC敏感膜组分比对K^＋—ISFET响应特性的影响

本文研究了以二苯并－３０－冠－１０作为敏感物质的ＰＶＣ膜Ｋ＾＋－ＩＳＦＥＴ传感器，以及改变膜中的敏感物质和增塑剂的组分比对Ｋ＾＋－ＩＳＦＥＴ响应特性的影响。同时，对Ｋ＾＋敏感膜的响应机理进行了讨论。实验结果与理论分析相符。     

BF2^＋注入硅栅PMOSFETγ辐照效应

本文系统地研究了ＢＦ２＾＋注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ２＾＋注入抗γ辐照加固的机理。结果表明，ＢＦ２＾＋注入是一种抗γ辐照加固的新方法。     

掺OH^—稳定的F^＋2型心的激光振荡

利用我所研制的掺质均匀、色心稳定性好的ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）：（Ｆ＾＋２）Ｈ和ＫＣｌ（Ｎａ＾＋，ＯＨ＾－）：（Ｆ＾＋２）ＡＨ色心晶体，我们实现了＞２５０ｍＷ的１．５７μｍ和＞４０ｍＷ的１．８８μｍ色心激光输出。本文报道其实验结果。     

电沉积La—Fe—Co合金工艺的研究

对用电沉积方法制备稀土－铁系金属合金功能性薄膜进行了初步探讨。通过对从二甲亚砜溶液中电沉积Ｌａ－Ｆｅ－Ｃｏ合金的研究发现，镀液中Ｌａ＾３＋的含量应远高于Ｆｅ＾２＋及Ｃｏ＾２＋的含量，才能有Ｌａ沉积出来，控制镀液组成可获得含Ｌａ量在３％左右的Ｌａ－Ｆｅ－Ｃｏ合金镀层，镀层外观为灰白色。工艺条件对镀层组成影响不大，电镀过程中，二甲亚砜也被还原使镀层含硫，镀液阴极电流效率仅为２０％￣３０％。     

硅光电二极管快中子和氧离子的辐照效应

研究了硅光电二极管经快中子（注入剂量为１０＾１１ｃｍ＾－２，能量２．４５ＭｅＶ）和Ｏ＾＋＋＋（注入剂量为１０＾１０ｃｍ＾－２，能量１２ＭｅＶ）辐照后光电参数的变化规律，并通过光谱光电流的变化，对辐照损伤的空间分布进行了分析。结果表明，两种辐照垃引起器件的光电流下降，暗电流增加，在本实验条件下，快中子造成的损伤轻微且均匀地分布在整个器件体内，而Ｏ＾＋＋＋，辐照损伤区集中在器件表面附近，其损伤国快中子     

NaCl（OH^—或O^—2）：F^＋2）H色心激光研究的进展

文中介绍了近几年来ＮａＣｌ（ＯＨ＾－２或Ｏ＾－２）：（Ｆ＾＋２）Ｈ色心激光研究的进展，简要说明了它的应用前景。     

小鼠精子附睾成熟过程中Ca^2＋及Ca^2＋—ATPase的研究

利用焦锑酸钾方法和电镜酶组织化学定位方法，研究了小鼠精子在附睾成熟过程中的Ｃａ＾２＋及Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ变化。结果发现：附睾头中的精子内元Ｃａ＾２＋或极低，而Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ活性极强，可能是由于Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ的作用将Ｃａ＾２＋从精子内排出了精子外；在附睾体中，精子Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ活性降低，而Ｃａ＾２＋浓度迅速上升，并且发现Ｃａ＾２＋来自于附睾管细胞；到了附睾尾部，精     

电子辐照CZ—Si单晶的深能级

常熳下用剂量为４×１０＾１５电子／ｃｍ＾２的１．８ＭｅＶ电子束对ＣＺ－Ｓｉ单晶制成的ｐ＾＋ｎ二极管进行了辐照，采用能级瞬态谱技术在该样品中观察到４个深能级，并对其形成原因进行了讨论。     

小鼠精子获能及顶体反应过程中Ca^2＋及Ca^2＋—ATPase的研究

利用焦锑酸钾电镜定位Ｃａ＾２＋的技术，及铅捕获法定位细胞Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ的技术，研究小鼠了获能及顶体反应过程中Ｃａ＾２＋及Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ的变化，结果表明，获能前精子顶体囊外缘有Ｃａ＾２＋分布，顶体膨胀时，Ｃａ＾２＋消失，开始顶体反应时，顶体外膜，顶体囊泡及顶体后区有Ｃａ＾２＋分布，顶体反应后，仅顶体后区有Ｃａ＾２＋分布精子尾部线粒体及轴丝始终有Ｃａ＾２＋分布。     

MOS器件^90Sr—^90Y源电离辐射效应研究

介绍了利用＾９０Ｓｒ－＾９０Ｙ源辐照装置对ＭＯＳＦＥＴ进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了ＭＯＳＦＥＴ的辐照敏感参数随辐照剂量的变化规律,并对实验结果进行了分析讨论。     

多媒体Visual C^＋＋示教系统的开发

文章介绍了Ｖｉｓｕａｌ Ｃ＾＋＋的特点和利用ＶＣ＾＋＋开发应用程序的方法,提出了ＶＣ＾＋＋示教系统应的的功能,讨论了ＭＦＣ库编程、界面设计、多媒体制作、动画揪放等技术,以程序例子说明编程经验和体会,并给出了功能的实现细节。     

Xe矩阵晶体中准Xe^＋2Cl^—分子跃迁辐射能量计算

本文计算了Ｘｅ掺杂了Ｃｌ矩阵晶体中经激光辐照形成的离子准ｅ＾＋２Ｃｌ＾＿体系的能量。由于极化和固态Ｘｅ原子的色散相互作用其能量与气体中的不同。计算表明Ｘｅ＾＝２Ｃｌ＾－准分子电子态跃迁对应于实测到的辐射。     

低温下单晶Ni2CdCl6·12H2O中Ni^2＋离子偏振吸收谱及精细结构的理…

本文考察了ｄ＾８电子组态中所有自旋三重态和自旋单重态项，并计及自旋－轨道耦合项Ｈｓｏ的影响，用不可约张量法导出了ｄ＾８电子组态在三角对称晶场下包括＾３Ｆ、＾３Ｐ、＾１Ｇ、＾１Ｄ、＾１Ｓ的哈密顿矩阵。从理论上研究了低温下Ｎｉ２ＣｄＣｌ６·１２Ｈ２Ｏ中Ｎｉ＾２＋离子的偏振吸收谱和精细分裂谱，理论结果与实验相符合。     

小鼠精子发生过程中的Ca^2＋及Ca^2＋ATPase定位

利用电镜细胞化学方法，定位观察精子发生过程中的Ｃａ＾２＋及Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ变化，发现精原细胞的核内外均有弥散性的Ｃａ＾２＋分布，精母细胞，圆型精子细胞Ｃａ＾２＋主要分布在核膜，线粒体，胞质小囊，内质网，及细胞质膜上；变态期精子Ｃａ＾２＋则分布于精子顶体内膜与核膜之间。Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ在精子发生过程中则出现两次，一次是在精母细胞期，另一次是在变态期精子。     

四极SIMS对AlxGa1—xAs中Si的定量分析

本讨论了用ＭＩＱ－１５６四极ＳＩＭＳ仪器对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｓｉ进行定量分析的实验方法，考察了测量结果的重复性及ｘ变化时ＳｉＲＳＦ的变化规律，在ＩＭＳ－４ｆＳＩＭＳ仪器上进行了对比测试，用Ｃｓ＾＋源对＾２９Ｓｉ的原子检测了限达到了４×１０＾１５ｃｍ＾－３。     

红宝石激光晶体零场分裂及其光谱精细结构研究

推导了ｄ＾３（Ｃ＾＊３ｖ）组态离子的中间场能量矩阵，建立了红宝石（Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３）晶体基态＾４Ａ２零场分裂（ＺＦＳ）参量Ｄ及＾２Ｅ态分裂△Ｅ（＾２Ｅ）与晶体结构之间的定量关系；假设晶格畸变的基础上，统一地计算了Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３晶体的ＺＦＳ参量Ｄ、Ｚｅｅｍａｎｇ因子、精细光谱及＾２Ｅ态的分裂△Ｅ（＾２Ｅ），计算结果与实验观测十分吻合，定量的研究结果表明：当Ｃｒ＾３＋离子掺入Ａｌ２Ｏ３晶     

丙酮和丙醛分子的我光子电离碎片化机理

用多光子电离－飞行时间质谱法在激光波长为５３２ｎｍ处获得了丙醛和丙酮分子的ＭＰＩＦ－ＴＯＦ质谱，实验测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系，并用这些实验结果对丙酮和丙醛分子的ＭＰＩＦ机理作了分析。这对Ｈ、Ｃ和ＣＨ＾＋等小质量碎片离子的可能形成过程作了讨论。     

GaAs低能Si^＋及SiF^＋离子注入研究

本文对３０ｋｅｖ Ｓｉ＾＋和分子离子ＳｉＦ＾＋注入半绝缘ＧａＡｓ的行为进行了研究对比。注入Ｓｉ＾２＋样品的Ｓｉ原子纵向分布与相同条件下用ＳＩＣＴ模拟程序理论计算出的分布相一致。经灯光９００℃１０″ＲＴＡ，电激活率可达６０％，电化学Ｃ－Ｖ测得的载流子纵向分布与注入态ＳＩＭＳ结果相同，可以获得近０．２μｍ的ＧａＡｓ有源层。而注入分子离子ＳｉＦ＾＋样品，虽注入层较浅，但灯光退火后，电激活率很低。因此，用