薄膜多层布线的工艺优化

本文对薄膜多层布线技术中介质界面及介质通孔进行研究，分析讨论了介质表面状 及通孔的填充对薄膜多层布线的影响。     

埋置型薄膜多层布线技术研究

埋置型薄膜多层布线基板与其它多层布线基板相比有更高的集成度。本文讨论了埋置型薄膜多层布线基板制造工艺中的技术问题及解决措施。并成功地在埋置双层混合电路中进行了应用。     

埋置型多层布线技术中的光刻工艺研究

埋置型薄膜多层布线与其它多层布线技术相比有更高的集成度。本文讨论了埋置型薄膜多层布线基板的制备在光刻工艺中的技术问题及解决措施。并成功地在埋置型双层混合电路中进行了应用。     

薄膜多层混合电路的计算机辅助布图设计

根据薄膜多层混合电路的特点，以控制信号发生器为例，讨论了薄膜多层混合电路的计算机辅助布图设计。在２６ｍｍ×３６ｍｍ的陶瓷基片上，完成了薄膜四层布线的布图设计，布通率达到１００％，寄生电感和寄生电容分别为５２．５μＨ和２．３２５ｆＦ。     

多层布线技术

以布线材料，布线工艺，布线平坦化技术以及影响布线质量的因素等几个方面详细讨论了多层布线技术，并讨论了当前多层布线技术面临的问题。     

用聚酰亚胺作隔离介质的薄膜多层布线工艺

本文介绍了用聚酰亚胺作隔离介质的薄膜电路多层布线的设计和制造工艺。这种多层布线用于薄膜电路的生产,使我厂薄膜电路在相同条件下,缩小了体积,提高了产品可靠性,使薄膜电路在生产上有了新的突破,为片状元件的组装技术打下了基础。对薄膜多层布线的设想和发展趋势作了一定的论述和展望。同时对于所使用的介质材料提出了更高的要求。     

薄膜多层布线分层输出软件的应用

结合薄膜多层布线的工艺特点对ＰＲＯＴＥＬ软件进行二次开发编制ＬＡＹＥＲＳ软件处理ＰＲＯＴＥＬ的版，图文件，得到薄膜多层布线工艺所需的各信号层和介质隔离层的版图辩论拼分别输出。     

一种LTCC基板上薄膜多层布线技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM—C／D多芯片组件的关键技术,它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条精确等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。本文介绍了在LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线的工艺难题。     

MCM-D多层金属布线互连退化模式和机理

介绍了MCM-D多层金属互连结构的工艺及材料特点，并就Cu薄膜布线导体的结构特点和元素扩散特性。说明了多层布线互连退化的模式和机理，以及防止互连退化的技术措施，实验分析表明，Au/Ni/Cu薄膜布线结构的互连退化原因是，Cu元素沿导带缺陷向表层扩散后，被氧化腐蚀，导致互连电阻增大，而Cu元素在温度应力作用下向PI扩散，导致PI绝缘电阻下降。     

LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。文章介绍了LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线中介质膜"龟裂",通孔接触电阻大、断路,对导带的保护以及电镀前的基片处理等工艺难题。     

MCM—D介质膜及通孔工艺技术

MCM—D中薄膜介质层主要是用于多层布线的层间绝缘及埋置电容器介质层。介质膜的制备及刻蚀工艺是（MCM—D）薄膜多层布线工艺的基础和关键技术。聚酰亚胺具有高热稳定性、低介电系数、良好的平坦性及可加工性，是用的最多的薄膜介质材料。本文通过对聚酰亚胺的选择、旋涂、固化工艺控制解决了聚酰亚胺介质膜的制备及稳定性难题。通过精确控制腐蚀时间来实现通孔的湿法刻蚀。     

混合多层布线用AIN共烧多层基板技术研究

大功率混合多层基板（AIN混合多层布线基板）是采用在AIN共烧多层陶瓷基板上制作薄膜多层布线而形成的。其优良的散热性，高的信号传输速度，以及良好的高频特性，完全能够在微波功率器件和高速数字电路中使用。然而AIN混合多层布线基板的应用，离不开高性能的AIN共烧多层基板。本文仅对AIN共烧多层基板制作过程中需要解决的几个关键技术方面进行了研究，取得了一定的成果。     

硅基多层布线集成组装技术

本文叙述了多芯片组件和多层布线集成组装技术的研究和进展，介绍了硅基多层布线集成组装技术的特点和设计考虑，扼要地叙述了硅基多层布线的制造工艺，并讨论了工艺中所出现的问题。     

薄膜多层混合电路图设计软件的开发和应用

本文根据薄膜多层混合电路的特点，对印制板电路布图设计软件ＰＲＯＴＥＬ进行二次开发，研制出适于薄膜多层混合电路布图设计的软件ＰＲＯＴＥＬ－ＳＵＮ，应用软件对控制信号发生器实施薄膜四层布线的布图设计，布通率达到１００％。     

混合多层互连技术的研究

本文主要通过多层陶瓷与薄膜多层界面状况，通孔的形状及通孔填充条件，对混合多层布线中的互连技术进行探讨，论述了实验中遇到的问题及相应的解决方法。     

薄膜MCM－D中多层布线技术

介绍薄膜MCM-D多层布线设计中建模、EDA仿真及版图设计所遵循的规则及其多层布线工艺技术中应着重考虑的问题。     

薄膜混合集成电路关键电阻的确定方法

利用电路的计算机仿真技术对薄膜混合集成电路进行数／模仿真，确定其关键电阻，以便于薄膜多层布线版图设计时对元器件进行合理布局。并对电路的功能微调提供指导。     

非光敏BCB工艺技术研究

非光敏BCB介质具有介电常数小、吸水率低、热稳定性好、力学性能优良、固化温度低,以及表面平坦化特性好等优点,作为重要的介质材料,已经应用于薄膜多芯片组件(MCM)基板布线中.文章研究了薄膜多层布线工艺中非光敏BCB介质的涂覆、固化工艺,以及等离子刻蚀工艺;提出了优化的涂覆和固化工艺参数,使用适当的刻蚀掩膜以及优化后的刻蚀工艺参数,进行图形刻蚀,获得了厚度为4 μm、表面粗糙度小于150 nm的表面平整的非光敏BCB介质膜,并在薄膜MCM多层布线基板中得到较好运用.     

基于LTCC基板BCB/Cu薄膜混合多层互连技术研究

针对微系统小型化集成对高性能成膜基板需求,研究了基于LTCC基板的BCB/Cu薄膜多层互连关键技术及过程控制要求。提出一种高可靠"T"型界面互连方式的薄膜磁控溅射Cr/Cu/Cr和Cr/Pd/Au复合膜层结构及其制备方法。研究了LTCC基板收缩率偏差、LTCC-薄膜界面缺陷及粗糙度、BCB介质膜固化应力、介质膜金属化的应力等因素对厚薄膜混合基板质量的影响。制备的12层厚薄膜混合基板(10层LTCC基板,2层薄膜布线) 60片,100%全部通过GJB2438 C.2.7成膜基片评价考核要求,相比LTCC基板,布线密度提高4倍,尺寸缩小40%。     

薄膜多层布线工艺分析

薄膜多层布线工艺，采用聚酰亚胺作介质，克服成膜后的“龟裂”、减少通孔的接触电阻和防止“断台”问题，是解决好介质质量的关键。