2800～4100埃连续可调紫外激光器

报导了Nd:YAG脉冲激光器基波(1.06微米)与它的四次谐波泵浦的参量放大器输出(0.42～0.7微米连续可调)在KDP晶体中进行和频,产生0.3～0.41微米连续可调的紫外激光.以及Nd:YAG脉冲激光器的二次谐波(0.53微米)泵浦的若丹明6G染料激光在ADP晶体中倍频,产生0.28～0.3微米连续可调的紫外激光的实验结果.     

CS2-O2火焰连续波CO激光器

从自由燃烧的低压Cs-O2火焰中的CO获得了受激发射。在5.216微米ν(8-7)Ρ(11)、5.297微米ν(9-8)Ρ(12)和5.421微米ν(11-10)Ρ(10)上现察到连续波激光振荡,总功率输出为1毫瓦数量级。     

钕玻璃1.36微米激光特性

根据钕玻璃中Nd~(3 )离子的能级结构,~4F_(3/2)→~4I(13/2)的跃迁在室温下可以发射波长在1.36微米附近的辐射。但跃迁几率仅为~4F_(3/2)—~4I(11/2)跃迁的1/5左右。我们采用对1.06微米为低反射率,对1.36微米为高反射率的介质膜作腔片,抑制1.06微米激光振荡,从而获得了1.36微米激光输出。所用的工作     

五磷酸(Nd,Y)在1.32微米的激光发射

本文报导五磷酸(Nd,Y)晶体在1.32微米波长的室温连续受激。用514毫微米的氩激光器作抽运源,在阈值其吸收的抽运功率是12毫瓦。在1.32微米的受激发射横截面是0.2×10~(-19)厘米~2,与在1.052微米的受激发射横截面1.43×10~(-19)厘米~2相似。     

向微米、亚微米进军——日本超大规模集成电路制造设备一瞥

<正> 从某种意义上说,集成电路制造设备就是物化了的集成电路制造技术。本文拟从设备的角度介绍日本超大规模集成电路(VLSI)制造技术的一些近况。目前,日本集成电路企业生产的64KRAM(线宽3～2微米)占世界产量的80％,不少企业又计划在一、两年内开始生产256KRAM(线宽1.5微米)、同时,正在研制中的VLSI的线宽已突破(小于)1微米而进入亚微米的阶段。因此,实现微米,亚微米级微细加工是日本集成电路制造技术面临的中心课题。电子束曝光是突破光波波长的局限,实现亚微米级图形加工的一个基本手段。但是,由于目前的电子束曝光机的加工速度慢,不适于     

四机部1411研究所1981年度鉴定的科研成果

项称附注材料HC一1型啼镐汞晶体(8~1州版来) (AF 50一80 JT)*IIG一2型蹄锅汞晶体(3一5微米) (AF 56一81 JT)正样鉴定号序1 刀正样鉴定 I器件川)G一1及HDG一2型啼镐汞光导单元探测器(3~5微来) (AF 52一81 JT)HFG一1型啼锅汞光伏单元(高频)探测器(8一14微米) (AF 48一81 JT)Gl又L一l型滤光片组(0.4一1.1微米) (AF 54一81 JT)GZL型1 .0645微米窄带滤光片 (AF 27一80 JT)Czr卜1型硅光学元件上镀双层增透膜(3一5微卡)Gz’r一2型锗光学元件上镀双层增透膜(3一5,、~14微米)GZT一3型硫化锌光学元件上镀单层增透膜(3一1 1 .5微米)…     

可见波长化学激光器

化学激光器中最常见的是氟化氢激光器(在2.7~3.0微米处发射)及氟化氘激光器(3.6~4.0微米处发射)。这些激光器输出内，但只有近1.3微米处发射的氧-碘化学激光器能在较短波长处取得成功。     

1.32微米闪灯激励的NdP_5O_(14)激光器及其发射截面

由自发与受激发射测量确定了1.32微米处NdP_5O_(14)的~4F_(3/2)→~4I_(13/2)发射截面。对闪灯激励的NdP_5O_(14)激光器在1.32与1.05微米两处的性能进行了计算。当输入1.6焦耳时,在1.32微米处获得多模输出能量为2.7毫焦。     

钽酸锂热电探测器

美国ELTEC公司制成了406和408两种型号、价格低性能高的钽酸锂热电探测器。 406型探测器和放大器一起装在TO-5晶体管外壳里,用锗窗,带有电压放大器,可以把高阻抗信号转换成低阻抗信号。灵敏面:φ2毫米; 标准锗窗型:带宽为2～15微米,电压灵敏度:275伏/瓦,NEP(10.6微米、10赫、1赫带宽):8×10~(-10)瓦/赫~(1/2),D(10.6微米、10赫、1赫带宽):2.2×10~8厘米赫~(1/2)/瓦镀增透膜锗窗(10.6微米)型:带宽为2～15微米,电压灵敏度:425伏/瓦,NEP     

几种激光防护镜

目前,报导得较多的是关于红宝石(λ=0.69微米)和钕玻璃(λ=1.06微米)激光对眼晴辐射作用时的阈值及最大容许能量密度的实验和计算数据。这些数据彼此有些差别。对于经常操作激光并长时间受λ=0.69微米激光辐照的实验人员来说,可参考     

色心激光在2~4微米之间的连续调谐

本文报导了从2.38到3.99微米可调谐的ΚΙ(F+2)Α心的有效激光作用。同时存在于ΚΙ中的F+2和(F+2)Α心的复合激光范围是1.98~3.85微米。用脉冲Er:YLF激光器1.73微米线同时泵浦这两个心。     

1.3微米微型Nd~(3+)激光器

迄今为止已报告的高增益微型激光器NdP_5O_(14),NdAl_3(BO_3)_4,和NiNdP_4O_(12),激光运转波长是1.06微米,泵浦阈值为数百毫瓦数量级,但在玻璃纤维里,在1.3微米时发现吸收和散射最小。本文报告有关NdP_5O_(14)对应于低能级~4F_(3/2)到最低能级~3I_(13/2)跃迁的波长为1.323微米的激光器性能     

一维ZnO纳米/微米棒的制备及光学性能研究

采用溶胶-凝胶法,以六水硝酸锌和乙二醇单甲醚为主要原料,在SiO2玻璃衬底上旋涂一层致密的ZnO籽晶,用水热法,通过对ZnO籽晶层面朝下和朝上分别制备了ZnO纳米棒和微米棒。研究了不同生长液浓度对ZnO纳米/微米棒的形貌和光学性能的影响。结果表明,ZnO纳米棒直径约在Φ(60~90)nm之间,长度约为1 600nm,微米棒直径约Φ(1~4)μm,长度约8~14μm;随着生长液浓度的增加,ZnO纳米棒越致密,而ZnO微米梭生长成ZnO微米棒;ZnO纳米/微米棒的光致发光(PL)光谱强度随着生长液浓度的增加逐渐增强     

功率器件注入效率的限制因素

本文用精确的双极晶体管一维模型叙述了禁带变窄、SRH(肖克莱-里德-霍尔)复合、俄歇复合、载流子-载流子散射和载流子-晶格散射等机构。利用这种晶体管作为一种工具,来研究决定发射极结深为1～8微米的器件的发射极效率的上述这些现象中的每一个现象的相对重要性。结果表明,禁带变窄对2微米或更浅的浅发射极器件是主要的影响因素,SRH 复合对发射极结深大于4微米的器件是主要的影响因素。所给出的计算也表明,对具有1～8微米发射极结深的器件来说,发射极表面浓度和高注入对电流增益有影响。结果表明,对1微米的发射极结深的器件,最佳表面浓度为5×10~(19)厘米~(-3),而对发射极结深大于4微米的器件,直到10~(21)厘米~(-3)还没有达到最佳值。     

供红外应用的高级碲镉汞光电二极管

本文讨论美国霍尼威尔公司新发展的四种碲镉汞光电二极管:1.2.06微米碲镉汞雪崩光电二极管;2.10.6微米碲镉汞光电二极管;3.R_0A乘积为0.7欧-厘米~2的高D~＊碲镉汞光电二极管(10.6微米);4.半导体致冷10.6微米光混频器。2.06微米雪崩光电二极管是为Q开关的掺钬氟化锂钇(Ho:YLF)激光器发展的。这种器件的雪崩增益为9～36。10.6微米光电二极管的平均量子效率为30％。制备了单元为250微米×250微米的五元线列,其单     

长波滤光片(一)——15微米窄带滤光片

1.1引言根据美国空军No.AF61(052)-833号合同,里丁(Reading)大学和格·巴公司(Gr-ubb Parsons)研制红外多层膜干涉滤光片要达到如下目的: (1)确定适用作0.8～100微米区多层膜干涉滤光片材料的光学性质; (2)用上述适当材料设计、试制和制造滤光片; (3)设计和制造75、85和95微米多层膜滤光片各二片,滤光片的半宽≤10微米,透过率≥50％。     

低阈值1.5微米波长InGaAsP/InP隐埋双异质结结构激光器

<正> 最近日本 NTT 武藏野通研所制出目前最低阈值的1.5微米波长 InGaAsP/InP 隐埋双异质结结构激光器。首先使用低温液相外延防回熔技术在 InP(100)衬底上生长掺锡的4.5微米厚的 InP 层,继之生长0.2微米厚的未掺杂的 InGaAsP 有源层(生长温度为602℃),再生长掺锌的3微米厚的 InP 层,最后生长掺锌的1微米厚的 InGaAsP 帽层(禁带宽度 E_g=0.95电子伏);淀积 SiO_2,沿<110>方向用射频溅射光刻技术刻出二氧化硅条,台面刻蚀直到 n 型 InP 层;二次液相外延掺锌 p 型 InP 层(2.5微米厚)和 n 型 InP     

红外探测器阵列和环境温度下工作的光电导探测器

由于过去几年开展了3～5.5微米和8～14微米大气窗红外探测器的研制工作,使液氮到室温的红外探测器性能有了较大的提高,其主要进展如下:(1)于77°K工作的8～14微米碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)探测器达到了背景限制性能;(2)制备了这些探测器的多元阵列;(3)制成了在77°K工作的3～5.5微米的InSb大面积多元阵列;(4)在环境温度和-80℃之间的3～5.5微米窗口Hg_(1-x)Cd_xTe达到了较高的探测度。对温度和空间分辨率有最高要求的情况下,就必须使用液氮温度下工作的InSb和Hg_(1-x)Cd_xTe多元阵列。本文第一部分概述光电导探测元件阵列的工艺过程,介绍它们的封装问题,并提供这些元件阵列目前可达到的性能水平。     

用激光合金化在n型GaAs上制作欧姆接触

我们采用了脉冲Q开关红宝石激光以(λ=0.6943微米)、脉冲Q开关石榴石激光(λ=1.06微米)和倍频的脉冲石榴石激光(λ=0.53微米)产生n型GaAs表面的欧姆接触;测量了n型GaAs上AuGaNi合金的比接触电阻.实验表明用激光合金化形成了均匀的欧姆接触,这种接触具有比通常的体加热合金化更优越的电学性质和表面状况.     

用液相外延制备1.11～1.67微米(100)GaInAsP/InP注入激光器

用液相外延工艺,在1.11～1.67微米的波长范围,制造了(100)GaInAsP/InP DH 激光器。用两相溶液法,在相同的温度条件下(热处理温度 T_s=670℃,生长温度 T_g-631℃)和相同的冷却速率(0.81°C/分钟)下,在1.2～1.65微米的波长范围,获得了低归一化阈值的 DH 激光器。还给出了激射波长与生长温度的依赖关系。三层结构的普通激光器,在1.2～1.52微米的波长范围,其归一化阈值电流密度 J_(th)/d 为4～5千安/厘米~2/微米,而抗回熔层的四层结构的波长较长的激光器,在1.45～1.65微米波长范围,其归一化阈值电流密度为5～6千安/厘米~2/微米。在约250～270K 拐点以上的温度范围,这些激光二极管的激射阈值随温度而更快地增加。在1.3微米波长下,激射波长与温度的依赖关系约为4埃/度,而在1.55微米波长,约为5埃/度。在1.3微米,谱线宽约为1000埃,在1.55微米,谱线宽约1400埃。在λ=1.51微米,获得了较长波长激光器室温连续工作,其阈值为200～350毫安。