“二次扩散—一次氧化—镀镍”工艺生产晶闸管管芯

“全扩散-镀镍”工艺具有节省黄金、技术简单与经济性较好的优点,国内曾报道过,本文介绍的是“二次扩散-一次氧化-镀镍”工艺,它比前者更简单,一般厂家都能采用。     

微小区环境下角度扩散特性的仿真结果

智能天线及其他空间滤波技术的研究与应用为无线信道的研究提出了新的课题－需要对无线信道的时空联合扩散特性进行全面地分析和研究.本文利用射线跟踪技术对典型微小区下信道的时域扩散和角度扩散特性进行了大量仿真.作者按照时域扩散的研究方法,利用角度扩散的一阶矩和二阶中心矩来说明问题.通过典型环境下的仿真,得到了存在直达信号和无直达信号两种接收条件下的角度扩散结果.     

结合USFFT Curvelet变换的各向异性扩散图像去噪模型

提出了一种结合USFFT Curvelet变换的各向异性扩散图像去噪模型.它有机结合了Curvelet变换和各向异性扩散(P-M扩散)两者的优点.通过P-范数方法选择合适的梯度阈值K,P-M扩散过程通过处理经过Curvelet变换得到的图像的不同尺度的Curvelet系数矩阵,实现了建立在对图像多尺度分析的基础上的新P-M扩散模型.实验表明,新模型的处理结果能有效避免传统P-M扩散出现的阶梯效应,同时更好地保留图像的纹理和细节.     

低压扩散机理及其对扩散方阻均匀性的影响研究

传统的太阳能电池扩散工艺采用常压扩散,随着高效晶硅电池的发展,扩散结深的不断变浅,常压扩散已难以满足晶体硅太阳能电池高效、低成本发展的技术要求。低压扩散通过在反应管内提供低压工艺环境,提升扩散制结的性能。对低压扩散机理进行了详细分析,从扩散分子自由程、掺杂原子分压比和气场均匀性等方面详细分析了低压扩散对高方阻均匀性的影响关系。采用新型低压扩散炉进行工艺实验测试,结果表明,低压扩散在可达到扩散方阻目标值110Ω时更好的均匀性,载片量较常压扩散大幅度提升,具有无可比拟的生产优势,是未来扩散技术的主要发展方向。     

氧作用下浸渍钡钨阴极中钙的强化表面扩散

由于探测技术上的困难,至今对铝酸钡钙扩散阴极表面钙的研究极少。本文利用低压氧锈导下Ca向阴极表面的强化扩散,并借助俄歇电子能谱仪探索了Ca的行为和作用。主要结果是:(1)相当部分Ca以金属态形式存在于钨孔隙中活性物质的近表层区;(2)钙向表面扩散的数量和速度与阴极温度、氧的暴露量成正比,它是一种界面反应驱动下的强化扩散,其激活能约为1.34eV;(3)氧作用下阴极表面氧化钙的增加是导致阴极发射衰减的重要原因,而恢复中毒的再激活机制之一,则是高温下表面钙的蒸发逸离过程。     

硼铝乳胶源扩散的质量控制途径

乳胶源扩散是近年来得到应用的新工艺,它具有扩散参数均匀的特点,其应用不断推广。本文对影响硼铝乳胶源扩散质量的各种因素进行了试验,在此基础上探讨质量控制的方法。     

光子扩散理论及其在生物医学炽的应用

本文介绍了目前生物医学光子学领域内引人注目的新技术－扩散光子密度波技术的理论基础,系统及国内外的最新进展,首先,概述了描述光子在混浊介质中传输的各种理论,不同理论间的相互关系及适用范围,随后,介绍了适用于大组织的扩散理论及其于扩散理论的时域和频域技术,重点介绍频域技术及相关的应用和系统,并进行了比较,总结了国内外在这一技术上取得的进展及其可能的应用前景。     

In离子掩模注入GaAs(001)衬底的均匀有序纳米团簇的形成和扩散

离子注入技术是一种重要的制备低维量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序纳米团簇.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及快速热退火,获得了均匀有序的纳米团簇,采用原子力显微镜研究了量子点随温度变化的形貌变化特征,观察到注入吸附原子在衬底的扩散随温度变化而加快,退火温度达到680℃时,沿[110]方向的扩散要比[110]方向扩散快,而且呈现各向异性.     

用SIMS等技术表征镓扩散质量

介绍用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＳＲＰ等技术检测Ｃａ扩散杂质分布及工艺中存在的问题，提供改进工艺的技术依据。     

In离子掩模注入GaAs(001)衬底的均匀有序纳米团簇的形成和扩散

离子注入技术是一种重要的制备低维量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序纳米团簇.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及快速热退火,获得了均匀有序的纳米团簇,采用原子力显微镜研究了量子点随温度变化的形貌变化特征,观察到注入吸附原子在衬底的扩散随温度变化而加快,退火温度达到680℃时,沿[110]方向的扩散要比[110]方向扩散快,而且呈现各向异性.     

硼扩散技术研究

对硼扩散浓度和扩散深度的控制技术进行了研究。通过采用两步扩散步骤、预扩散采用双面扩散的方式、再分布采用密闭碳化硅管、控制扩散温度和扩散时间,有效地控制了扩散层浓度和结深。     

软着陆洁净闭管扩散炉研制

介绍了一种用于晶体硅光伏电池片工艺的软着陆洁净闭管扩散炉,着重介绍了设备结构组成及性能,并给出了工艺结果说明设备性能达到国内领先水平。     

光扩散膜在LED照明产业中的应用

LED因其节能、环保、寿命长等特点,已渐渐被广泛应用于照明产业。为了兼顾LED照明的光效率与光束整形均匀化问题,人们开发了光扩散膜技术。本文概述了LED照明产业国内外市场最新的发展动态,光扩散膜的原理与制作工艺,着重研究了光扩散膜的光匀化机理、不同微结构膜的光扩散效果和透过效率,分析了其在LED照明产业中的技术状况及应用趋势。指出,解决和掌握光扩散膜制作和产业化应用的核心技术,是推动我国LED照明市场快速发展的关键。     

InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制

采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As及晶格失配InP/In_(0.82)Ga_(0.18)AS两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究.SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大.SCM法是一种新颖快捷的半导体结深测试法,对于半导体器件工艺研究具有重要的指导意义.     

开管扩镓改善器件电参数性能的机理分析

叙述了SiO2/Si系开管扩镓工艺和镓掺杂原理,研究了镓掺杂与器件电参数的关系,并分析了改善器件性能的机理.实验证明,采用SiO2/Si系开管扩镓工艺,扩镓硅片表面状况、均匀性和重复性良好,镓杂质浓度分布理想,并能明显改善器件电参数性能,提高电参数一致性,增加成品率等,优于闭管扩镓、裸Si系开管扩镓和硼扩散.     

Mercury diffusion in Hg1−xCdxTe

A radiotracer technique has been used to measure both mercury self-diffusion and surface concentration values in bulk and liquid phase epitaxy, LPE, grown Hg_1−xCd_xTe. A high resolution sectioning technique has allowed profiling of thin epitaxial layers in submicron steps. Hg_1-xCd_xTe samples with composition values betweenx _Cd= 0.16 and 0.23 were isothermally annealed in carefully controlled and monitored diffusion con-ditions. Mercury reservoirs containing Hg²⁰³ were used to provide vapour diffusion sources during closed tube isothermal anneals in the temperature range 300° C to 400° C. Evidence has been found which may indicate the presence of two components in the radio-tracer profiles for both bulk and epitaxially grown material. In some cases it was possible to estimate two diffusion coefficients,D ₁andD ₂, from the near surface and deeply penetrating components, respectively. Our results forD ₁andD ₂are compared with other work. For bulk material annealed at 400° C under a saturated mercury pressureD ₁= 2.0 x 10^-12cm²s^-1 andD ₂= 1.1 x 10^-11cm²s⁻¹. Diffusion coefficients at 310° C under saturated mercury pressure, have been measured in bulk and epitaxial material. Close agreement was found between these results with an average value ofD ₁= 1.4 x 10⁻¹³cm²s⁻¹. We believe this to be the first time radiotracer results for epitaxial material have been presented. We have collated diffusion data, as a function of reciprocal temperature, from several workers and suggest there is evidence for a change in the activation energy for mercury diffusion around 350° C. This may be due to a change in the dominant diffusion mechanism.     

LOW TEMPERATURE OPEN TUBE Zn DIFFUSION IN InP/InGaAs(P)

To fabricate quasi-planar optoelectronic integrated circuits(OEICs),a new open tube Zndiffusion method has been developed.The characteristics of Zn diffusion in InP/InGaAs(P)heterostrueturematerials at comparatively low temperature have been studied,and it has been found for the first time that Zndiffusion rate is proportional to the square of phosphorus content of the InGaAsP materials.     

彩色PDP基于亮度控制的图像增强技术

开发了一种图像增强技术,通过对图像进行网格化处理,对每个图像网格的亮度进行控制,调整误差扩展算法中的扩散因子.为了确保放电稳定性,对于给定的子场编码,选择能够产生稳定放电的子场排列方式进行显示.考虑到图像亮度分布特性,可以使用多个误差扩散因子选择阈值,设置多组不同的扩散因子,并应用于不同的图像网格区域,进一步增强低灰度级图像的显示能力.     

基于多agent的企业集群内技术传播模型

采用基于多代理建模仿真的方法,应用Netlogo仿真软件,模拟新技术在企业集群这一复杂系统中的传播,观察企业集群对新科技的接受程度与技术传播速度之间的关系、人力资本投入比例和企业间交流方式对企业平均收益的影响.对仿真结果的分析表明,若决策者能对集群中的企业加以引导,促使企业以更加开放的态度对待创新科技,鼓励企业间更多以...     

锑化铟红外焦平面阵列制备技术

锑化铟作为制备中波红外探测器的主流材料,其光敏芯片规模经历了单元、多元、线列到面阵的发展过程。出于市场应用需求,光敏芯片的制备技术不断更新换代。按发展先后顺序介绍了锑化铟光敏芯片PN结的制备技术,具体包括热扩散技术、离子注入技术和外延技术。目前国内成熟的光敏芯片成结技术为热扩散技术。国外主流厂家在热扩散、离子注入、外延工艺方面都已研发成熟,并投入实际生产。着重介绍了三种工艺技术的优缺点及配套的焦平面阵列结构设计。