开断电流幅值变化对充过零后的残余电流和间隙恢复的影响

对于横向磁场触头的真空开关管，它的弧后电流波形是在短路电流开断后，施加１５ｋＶ／μｓ（ＲＲＲＶ）左右的瞬态恢复电压（ＴＲＶ）来进行测量的。在电流过零后时，使电流斜率ｄｉ／ｄｔ保持恒定，工频（ＰＦ）电流ＩＰＦ幅值需在额定短路电流的０．５到２倍之间变化。工频电流ＩＰＦ对间隙记忆的的重要影响明显反映在弧后电流在２到８μｓ的持续期间。根据现有的物理模型，作者给出了实验结果。实验表明记忆效应影响间隙恢复时间     

真空发电机保护断路器在负荷下降时的电压上升和重燃特性

文中重点介绍了当真空断路器用做发电机保护断路器在负荷下降时产生的多次重燃和电压上升。多次重燃和电压上升的概率与燃弧时间或正比,而且较小。在分闸操作后,由于其开断高频电流的能力,在真空开断装置中可观察到多次重燃和电压上升。当真空断路器用做发电机保护断路器研究多次重燃和电压上升时,变压器侧的电容与负荷下降的幅值起着至关重要失和用,需要特别指出的情况是,当保护电容器与断路器系统侧相连时要多加注意。尽管该     

在第一操作阶段真空灭弧室的重燃几率

本文所阐述的问题是在电流老炼的前一百次期间真空灭弧室重燃几率的变化,此次研究采用的是触头材料为ＣｕＣｒ５０,触头开距为１３ｍｍ的真空灭弧室。     

CuCr触头中Cr含量对真空断路器开断能力的影响

我们研究季ＣｕＣｒ触头中Ｃｒ的含量在１２．５％￣７５％（重量比）范围内变化时，ＣｕＣｒ触头对电流开断后的电流开断能力、电弧形态、阳极熔融时间和触头侵蚀的影响。研究结果表明：当Ｃｒ含量在上述范围内变化时，其含量越低，电流开断能力就越好。也证明了Ｃｒ含量减少时，电流开断后电弧的集聚时间和阳极熔融时间变短，而ＣｕＣｒ触头的 侵蚀却增大。根据这点，我们便会预想到灭弧室所用ＣｕＣｒ触头的Ｃｒ含量应有一最佳值     

真空开关多次重燃的模拟

本文介绍了真空开关合闸时电极触头弹跳所引起的多次重燃现象的模拟研究。用“Ｍａｙｅｒ”型电弧方程式模拟多次重燃的电流和电压，模拟结果与实验结果相吻合。     

对普通触头材料和低浪涌触头材料的真空电弧不稳定性能的实验研究

小电流真空电弧中大量存在着比正常弧压着１０倍的短时（小于５００ｎｅ）峰值弧压（“不稳定性”ＡｇＷＣ（低浪涌）和ＣｕＣｒ（普通）触头材料的真空工关管中出现许多不稳定的参数在变流电路中进行了统计分析，发现中等上升速率（ＣｕＣｒ为２．８ｋＶ／μｓ，ＡｇＷＣ为０．６３ｋＶ／μｓ）和高幅值（ＣｕＣｒ为１３４Ｖ，ＡｇＷＣ为５４Ｖ）上有明显的差异。这些参数很可能反映了象恢复和截流水平这样重要的开断特性。它表明截     

真空灭弧室各种触头材料在开合负载条件下的性能

在过去几年里,真空开关原理在中压系统中得到了广泛的认可。当控制大电路电流的真空断路器几乎都采用ＣｕＣｒ２５（重量％）至ＣｕＣｒ５０作为触头材料时,用于开合较低负载电流（如接触器）的真空灭弧室所选用的触头材料还未确定,这种材料也必须满足多次开合操作下的低烧蚀、低截流值、产生高频瞬态电压的可能性以及灭弧能力好等要求。人们不仅经常采用以难溶成份为基本组分的材料,如ＷＣｕ、ＭｏＣｕ、ＷＣＡｇ等,而且似乎也在使用ＣｕＣｒ材料。本文的目的是研究这些材料在负载及超负载条件下的开断性能。实验是在合成试验电路中利用一个真空试验室进行的。试验室的触头处于有效值达７ｋＡ的燃弧电流,峰值为２３ｋＶ的瞬态恢复电压的作用下。利用扫描电子显微镜,我们比较了各种触头材料的开断能力和燃弧后的触头表面状况。     

开合操作对真空开关管绝缘强度的影响

本文阐述了开合操作对真空开关管绝缘强度的影响，给出了详细的实验步骤以及实验结果的数据处理。和前后的击穿电压和发射电流用实验的方法来确定，实验步骤包括“无电流关合／无电流开断”，“无电流关合／额定电流的开断”和“无电流关合／额定短路电流的开断”并研究它们对击穿电压和发射电流的影响，在这些实验中触头间隙是变化的。我们施加的电压波形如下：直流电压、闪烁脉冲电压和５０ＨＺ的交流电压。用从市场上买来的三咎不     

用小触头间隙开断大电流的试验

为了研究触头间隙对大电流开断性能的影响，我们在两种商用的真空灭弧室上进行了一系列试验。我们把这两种灭弧室分别称作Ａ型和Ｂ型。在综合试验台上，对Ａ型灭弧室在１２ｋＶ、３１．５ｋＶ下试验，对Ｂ型在１２ｋＶ、１３．１ｋＡ下试验，所有值均为有效值。每种类型灭弧室都用三只试管，在触头间隙为１ｍｍ至８ｍｍ之间进行试验。另外，由于短路试验的同一种触头装在可拆式真空灭弧室里，以便用高速摄像机拍照。结果表明，触头间     

用不同成分,不同加工工艺制成的铜铬对接触头的绝缘性能和熔焊特点

目前，铜铬作为一种触头材料已被接受并在真空开关中普遍应用。尽管它有许多众所周知的优点，但是，与铜铋相比，在断路器进行大电流闭合操作时，它却具有易熔焊的缺点。因此闭合操作后出现的无电流熔焊分离会影响触头间隙内的介质性能。本文就无电流开断后触头之间熔焊以及电场增强系数β和击穿电压进行了试验研究，并将它们作为诊断手段来研究不同铜铬成分、不同加工工艺对安装在标准真空灭弧室中的触头性能的影响。     

集聚型大电流真空电弧弧根的研究

用快速成像的ＣＣＤ摄像机可以研究集聚型大电流真空电弧下的阳极和阴极弧根。该研究在杯状触头上进行，采用振幅为２０－１００ＫＡ，半波宽度为１１．５ｍｓ的正弦电流。触 头分离时，电弧被拉开，并受电弧电流与横齿形触 头产生的横向磁场之间的朗兹力作用而加速。     

CuW触头真空开关管的电容器开断能力

我们用触头材料为ＣｕＷ和ＣｕＣｒ的２４ＫＶ真空开关管进行了井联电容器开断试验。结果表明：ＣｕＷ触头的重击穿概率比ＣｕＣｒ触头的低。除大电流开断能力外，对地并联电容器的开断，ＣｕＷ也是一种优选触头材料。ＣｕＷ触头３４ＫＶ－２５ＫＡ真空开关管重击穿概率的计算结果为１０＾－３，而实际上为零。     

真空接触器用WCAg和WCCu触头材料性能的比较

近来，WCAg已成为真空接触器中优选的触头材料之一，它可以用来开断几安培至几千安培的负荷电流，可以满足真空接触器低烧蚀、低截流值、熄弧能力强等要求。当前的工作是尽量减少这一材料中银的百分含量或完全替换它。本文中讨论了Ag和WC含量以及用Cu取代Ag对开断性能的影响。文中对不同触头材料的开断能力、截流值、烧蚀率以及燃弧后的触头表面状态进行了比较。在一合成试验回路中，用一可拆式真空灭弧室进行实验。开断能力试验中，触头应承受7kArms的电弧电流和23kV的峰值瞬态恢复电压。在谐振频率为6800Hz，涌流阻抗为1066欧姆。试验电流为45Arms的试验回路中测量出截流值。     

直流和交流电压下真空灭弧室的重燃

直流和交流电压进行一次转换时，重燃的平均次数ｍ与真空灭弧室触头之间的电场强度Ｅ的关系已做了研究，第一种情况，Ｅ〉Ｅｍｉｎ时，观察到ｍ随Ｅ的增加而单调增加，第二各情况，ｍ（Ｅ）的函数曲线特点是出现“直线段”。在直线段区域里，Ｅ值明显变化时，ｍ值实际上保持不变，ｍ（Ｅ）的函数曲线形状取决于飞向阴极触头的尺寸大小为０．１ｍｍ和更大微粒的表面电荷密度＝Ｑ／Ｓ的分布。     

InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的电流增益及最高收集极电压

分析ＩｎＡｓ／ＩｎＰ（０．７）Ｓｂ（０．３）热电子晶体管的电流增益β及最高收集极电压Ｖ（ＣＭ）。计算结果表明，β超过２０，Ｖ（ＣＭ）接近１．５Ｖ。     

真空断路器的大电流开断

在以Ｃｕ、ＣｕＣｒ（５０／５０）和ＡｇＷＣ为触头材料的真空开关管中进行了大量的开断实验，开断电流范围从２．５ＫＡ至３２ＫＡ。     

使用AgWc和CuCr触头材料的真空灭弧室在高频电流过零时的重燃型式

在一种特殊的中压线路中，可对使用两种触头材料；ＡｇＷｃ和ＣｕＣｒ的真空灭弧室在高频真空电弧电流过零后的重燃原理进行实验研究。该线路采用“综合试验”原理。     

宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的功率处理能力大于２０ｄＢｍ。此开关具有极低的直流功率耗散。     

真空灭弧室高频特性的数学模拟和与电力系统测得的瞬态特性的比较

电流过零时真空开关的间隙工度太短了（即电流过零之前触头分开是的），这时，高频瞬态特性像已知的多次重燃或有效的电流截止一样在一定网络的条件下是可能发生变化的。为了评估这些瞬态变化概率，在测量的数据基础上研究了真空断路器的数学模型，可以模拟相或三相网络中的高频特性。为验证断路器模型的效率，使用一台真空断路器和在无负载的条件下完成了现代１１ｋＶ干式变压器的综合开断测量。在测得的数字模拟结果之间进行了比较     

双极纵磁场的真空开合触头的特性

纵磁场触头可提高真空断路器的开断能力，局部纵磁场的结构原理依设计而有所不同。对于单极纵磁场的方向在整个触头区域的内是相同的。对于双极结构来说其纵磁场方向在磁场内有一个极性改变。为了表示双极给磁场触头系统的特征并试验其开断性能，进行了调查。双极磁场对电弧发展和热应力的影响通过高速摄像从５０ＨＺ高频电流激发的描述，此外，通过有限元素程序对某个三维纵磁场进行了模拟。从５０ＨＺ高频电流激发发的时变纵磁场的