PMOS栅氧化过程中杂质分凝的计算机模拟

以 Ｐ Ｍ Ｏ Ｓ结构为研究对象,对其绝缘栅栅氧化的动态过程进行了计算机模拟,进而提出了可以抑制杂质分凝效应的栅氧化新模式该成果对 Ｐ沟道 Ｍ Ｏ Ｓ器件的工艺设计具有普遍意义     

外延双极晶体管基区表面电流的模型及应用

少数载流子在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面的复合对双极器件的影响很大，文中通过对采用ＳｉＯ２膜和ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４双层膜一次钝化的电容和栅控外延ＮＰＮ晶体管表面电特性的研究，发现ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４一次钝化膜能减小基区表面电流，文中建立了外延双极晶体管基区表面电流随栅区（或基区表面电势）变化的理论模型，该模型成功地解释了栅控外延双极晶体管的基区表面电流随栅压变化的实验曲线，从而为器件的计算机模拟提供了更加精     

改善栅控晶闸管关断特性的一种新结构

提出了一种ＭＯＳ栅晶闸管的新的关闭栅结构——耗尽型ＭＯＳ关闭栅,有效地改善了多元胞器件元胞关断的非均匀性．     

MOS器件中热载流子效应有关电场的计算方法

采用线性近似的方法，对ＭＯＳ器件中的沟道水平加速电场及栅氧化层中的垂直电场进行了研究，给出了一种较精确的简便计算方法．在该电场模型的基础上，建立了整个热载流子效应的模型框架．     

LY732－PMOSFET电场效应过程的计算机模拟

本文分析及研究了对绝缘栅ＬＹ７３２－ＰＭＯＳ－ＦＥＴ结构所进行的工艺及器件模拟的数据，重点在栅源偏压（ＶＣＳ）与ＭＯＳ结构界面电荷分布的定量关系上得到了与实验一致的结果，定量地描述了在常规偏压条件下硅衬底表面电荷的分布及行为，从而揭示了Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ电场效应的微观过程．     

LY732—PMOSFET电场效应过程的计算机模拟

本文分析及研究了对绝缘栅ＬＹ７３２－ＰＭＯＳ－ＦＥＴ结构所进行的工艺及器件模拟的数据，重点在栅源偏压与ＭＯＳ结构界面电荷分布的定量关系上得到了与实验一致的结果，定量地描述了在常规偏压条件下硅衬底表面电荷的分布及行为，从而揭示了Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ电场效应的微观过程。     

液相催化氧化脱除烟气中SO_2和NO_x机理讨论

对液相催化氧化ＳＯ２和ＮＯｘ进行了较为系统的理论讨论,综述了液相催化氧化吸收ＳＯ２和ＮＯｘ以及过渡金属离子的催化作用,探讨了液相溶液中ＳＯ２和ＮＯｘ同时存在时可能发生的反应,为今后研究ＳＯ２和ＮＯｘ的湿式脱除提供参考。     

Si3N4—Al2O3—ZrO2系陶瓷表面氧化层组成的EPMA分析

利用ＥＰＭＡ和ＸＲＤ的分析方法，研究了Ｓｉ３Ｎ４－Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２系陶瓷材料表面氧化层组成。结果表明，Ｓｉ３Ｎ４－Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２系陶瓷材料表面氧化层是由方石英相、ＺｒＳｉＯ４相和含有Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯ等的ＳｉＯ２玻璃相所组成，其中ＳｉＯ２玻璃相中Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯ等的含量，随着氧化时间的增加而逐渐增加。     

油脂OSI值的研究

研究了油脂ＯＳＩ值与脂肪酸组成的关系及抗氧剂与金属钝化剂对油脂ＯＳＩ值的影响，指出我国高级烹调油ＯＳＩ值大多偏低的主要原因是油脂中含有较高的催化氧化的金属离子，提出了解决ＯＳＩ值偏低的方法，还研究了菜子高级烹调油ＯＳＩ值与温度的关系。     

Mn-Fe协同催化氧化脱除烟气中SO_2的研究

对过渡金属离离子催化氧化脱除烟气中ＳＯ２进行了研究。实验发现Ｍｎ（ＩＩ）对ＳＯ２的氧化有很强的催化作用,而且在吸收液中有Ｆｅ（Ⅲ）参加时有明显协同催化作用。Ｆｅ（Ⅲ）能将Ｍｎ（ＩＩ）氧化成为Ｍｎ（Ⅲ）,从而将ＳＯ_３~（２－）加速氧化成为ＳＯ_３~－,以引发催化周期。通过实验得出当吸收液中Ｍｎ２＋离子浓度为０．０１ｍｏｌ／Ｌ,Ｆｅ２＋离子浓度为５×１０~（－３）ｍｏｌ／Ｌ时,脱硫效率可达到９９％。     

Y_2O_3-SiO_2 添加剂对 AlN/SiC_W 复合材料性能的影响

利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ和ＨＲＥＭ等测试技术系统地研究了Ｙ２Ｏ３－ＳｉＯ２添加剂对ＡｌＮ／ＳｉＣＷ复合材料力学性能及高温抗氧化性能的影响。结果表明：Ｙ２Ｏ３－ＳｉＯ２添加剂可有效地改善材料的力学性能,材料的氧化过程也是其热处理增强过程。添加剂组成接近其低共熔点时,材料随氧化时间的延长而得到增强增韧,且增幅最大,其最佳掺量为１０ｗｔ％。氧化处理改变了粒界玻璃相的相组成,玻璃相与ＡｌＮ颗粒发生作用,生成ＡｌＮ多形体２ＨδＳｉａｌｏｎ相,形成对材料有益的空间交错的结构。     

Y2O3—SiO2添加剂对AlN／SiCW复合材料性能的影响

利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ和ＨＲＥＭ等测试技术系统地研究了Ｙ２Ｏ３－ＳｉＯ２添加剂对ＡｌＮ／ＳｉＣＷ复合材料力学性能及高温抗氧化性能的影响。结果表明：Ｙ２Ｏ３－ＳｉＯ２添加剂可有效地改善材料的力学性能,材料的氧化过程其热处理增强过程中剂组成接近其低共熔点时,材料随氧化时间的延长面临是到增强增韧,且增了大,其最佳掺量为１０ｗｔ％。氧化处理改变了粒界玻璃相的相组成,玻璃相与ＡｌＮ颗粒发生作用,生成Ａ     

S_（107）型钒催化剂上低温段SO_2氧化动力学的研究

Ｓ＿（１０７）钒催化剂是一种低温型的催化剂，目前尚缺乏在低温段（３６０～４５０℃）的ＳＯ２氧化动力学方程式，本文通过实验研究，得出了Ｓ１０７型钒催化剂上低温段ＳＯ２氧化动力学方程式，可供设计和生产使用。     

激光重熔对氧化铝涂层的组织结构及性能的影响

用ＲＳ—１７００ＳＭ型轴流式ＣＯ２激光器对Ａｌ２Ｏ３涂层进行了重熔，降低了原始涂层中的孔隙，消除了涂层的层状结构，得到了致密均匀的涂层，使重熔层的显微硬度明显提高．高温氧化试验表明：激光表面重熔提高了Ａｌ２Ｏ３涂层的抗高温氧化性     

SO4^2—电化学传感器的研制与应用

以金属铅为基体电极，用电化学氧化手段修饰铅电极表面，制备了铅基ＰｂＳＯ４化学修饰的电极。实验表明，该修饰电极在选定条件下，对ＳＯ４＾２－离子有近似能斯特响应，是一种的ＳＯ４＾２－电化学传感器，并将该电极用于水泥试样中ＳＯ３的测定。     

饮品中超氧化物歧化酶的活性测定及影响因素

利用邻苯三酚３２５ｎｍ自氧化法研究了ＳＯＤ在不同饮品中活性的变化,结果表明：ＳＯＤ活性受饮品的色泽、成分、酸碱度、乙醇含量等多种因素的影响,在无色的、近中性饮品中ＳＯＤ活性较稳定。     

利用数理统计方法研究碳／碳复合材料抗氧化性能影响因素

本文引入正交设计，方差分析，正交回归等数理统计方法，首次得出４种添加剂ＺｒＯ２，Ｂ４Ｃ，ＳｉＣ，ＳｉＯ２含量与氧化烧蚀率的数学关系式，得出了添加剂对其抗氧化处的影响规律，并首次分析了４种添加剂对氧化烧蚀率的影响显著性程度．     

热生长超薄栅氧化层的空穴击穿机理与碰撞电离模型

分析了超薄栅氧化层击穿的碰撞电离模型,并对空穴击穿机理进行了详细描述,为超栅氧化层的击穿机理的深入研究及超薄栅氧化层击穿模型的建立奠定了基础。     

叶栅内部粘性流场的数值模拟

提出了一种求解叶栅内部粘性流场的新方法,并用该方法求解了任意曲线坐标系下的时间相关Ｎａｖｉｅｒ－Ｓｔｏｋｅｓ方程,该方法采用有限体积离散,对无粘通量采用Ｃｈａｋｒａｖａｒｔｈｙ－Ｏｓｈｅｒ的三阶精度ＴＶＤ格式,对粘性通量采用中心差分格式;并且在边界处理上采用直接将边界条件施加于物理边界上的方法,使得边界条件更加符合真实情况,对叶栅内部粘性流场的计算表明,该方法能够反映叶栅内部的流动情况。     

含铬、硅、铝磁钴合金的预处理

论述了使用常用化工原料ＮａＮＯ３、Ｎａ２ＣＯ３进行氧化焙烧法除去磁钴合金料中的Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ,半直接用Ｈ２ＳＯ４分解,从而得到与萃取除杂联接的工艺。