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氮化钽薄膜的制备及其血液相容性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文利用磁控反应溅射技术制备氮化钽薄膜,对磁控反应溅射制备氮化钽薄膜的工艺参数(包括氮分压比、加热温度、溅射压力、溅射电流)用正交设计进行优化。研究表明,影响氮化钽薄膜结合力的主要因素为溅射压力和加热温度,氮分压比、溅射电流为次要因素;氮分压对氮化钽薄膜的硬度影响较大。动态凝血及血小板粘附实验研究表明,氮化钽薄膜的血液相容性性能优于热解碳(LTIC)。 相似文献
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制备参数对类金刚石(DLC)薄膜的性能和结构有显著影响。利用中频脉冲非平衡磁控溅射新技术制备了DLC薄膜,采用Raman光谱、X射线光电子能谱仪、纳米压痕仪、光谱型椭偏仪研究了溅射电压对DLC薄膜微观结构、力学性能和光学性能的影响。结果表明:当溅射电压由550 V增加到750 V时,DLC薄膜中sp3杂化碳含量随溅射电压的增加而增加,当溅射电压超过750 V时,薄膜中sp3杂化碳含量随溅射电压的增加而减少;DLC薄膜的纳米硬度、折射率均随溅射电压的增加先增加而后减小,溅射电压为750 V时制备薄膜的纳米硬度及折射率最大。 相似文献
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具有优异热敏性能的氧化钒薄膜材料是红外测辐射热计的首选热敏电阻材料,合适的薄膜电阻及高温度电阻系数的氧化钒薄膜的制备是实现高探测率红外测辐射热计的保证.利用新型对靶反应磁控溅射工艺制备了具有纳米颗粒的氧化钒薄膜材料,确定了最佳工艺参数.对其组成、结构和性能进行了分析,原子力显微镜AFM形貌分析表明薄膜具有均匀致密的表面,X射线光电子能谱分析XPS确定了其组成成分主要为V2O5,VO2和少量的V2O3.在常用作微测辐射热计结构层材料的氮化硅基底上,该薄膜材料在室温附近具有合适的薄膜电阻(大约为每方14kΩ)以及高的温度电阻系数(-3.17%/℃),有望适用于非致冷红外测辐射热计探测器. 相似文献
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采用直流反应磁控溅射法, 在平整光滑的普通玻璃基片表面沉积了厚度分别为80nm、440nm和1μm的氧化钒薄膜. 采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜的表面形貌、结构和结晶化的分析表明, 厚度影响着薄膜的颗粒大小和结晶状态, 随着薄膜厚度的增加, 薄膜的颗粒增大, 晶化增强; 薄膜具有明显的垂直于衬底表面的“柱”状择优生长特征. 对薄膜的方阻和方阻随温度的变化进行了相关分析, 证实了厚度对氧化钒薄膜的电学性能存在明显的影响, 随着薄膜厚度的增加, 薄膜的方阻减小, 方阻温度系数升高, 薄膜的方阻随温度变化的回线滞宽逐渐增大, 薄膜的金属-半导体相变逐渐趋于明显. 相似文献
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溅射沉积技术的发展及其现状 总被引:12,自引:4,他引:12
论述了溅射沉积薄膜技术的发展历程及其目前的研究应用状况.二极溅射应用于薄膜制备,揭开了溅射沉积技术的序幕,磁控溅射促使溅射沉积技术进入实质的工业化应用,并通过控制磁控靶磁场的分布方式和增加磁控靶数量,进一步发展为非平衡磁控溅射、多靶闭合式非平衡磁控溅射等,拓宽了应用范围.射频、脉冲电源尤其是脉冲电源在溅射技术中的使用极大地延伸了溅射沉积技术的应用范围. 相似文献
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对于在加热基片上直接晶化的溅射薄膜,就溅射参数作了系统的实验研究,如基片温度、溅射气体压、力、沉积速率及靶与基体间距等。在直接晶化的薄膜中,主相为2-17相,还有几种其他的结晶相,视温度和成份而变。 相似文献
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Magnetron sputtering - Milestones of 30 years 总被引:2,自引:0,他引:2
Since the introduction of the planar magnetron by J.S. Chapin in 1974 magnetron sputtering has become the most important technology for the deposition of thin films. Today it has conquered all industrial branches needing high-quality coatings for realization of new or improvement of existing products. The magnetron cathode combines the advantages of economic deposition even on large areas and the ability to coat very temperature sensitive plastic substrates. Main problems like poor target material utilization of the planar magnetron or process instabilities during deposition of highly insulating films have been solved by many innovations during the past 30 years. Novel films with even better quality seem to be possible with “High Power Impulse Magnetron Sputtering (HiPIMS)”. New attempts to increase sputter yield and thus film growth rate are “Sputter Yield Amplification (SYA)” or sputtering from hot targets. This paper gives a brief review on important milestones of the past three decades and outlines some ongoing developments. 相似文献
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Optical emission spectroscopy and Langmuir probe have been used to study the power dependence of medium frequency, 100 kHz, pulsed magnetron sputtering discharge. Copper target was sputtered in the argon atmosphere. The examined power ranged from 0.5 to 4.5 kW which gave an average power density on target surface from 25 to 115 W/cm2. Optical spectroscopy did not reveal any significant changes of copper ion contribution to the sputtering process. The electron temperature and plasma potential changed a little with applied power. The electron density depended linearly on the sputtering power. 相似文献
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