灵巧炸药点火器

非导电基片上有半导体桥(SCB)和半导体开关。与电连接的开关一旦被触发将导致SCB发火。     

半导体桥（SCB）雷管

本发明介绍的是用半导体桥点火器起爆高密度猛炸药材料的低能雷管，半导体桥点火器由与半导体桥连接的一对导电区组成，半导体桥作用时或者直接与爆炸材料接触，电流通过半导体桥时使爆炸材料起爆。与导电区连接的头部导线和头部的电引线与电流通过SCB的方向同轴，即与SCB的长度同轴。     

超导材料研究的进展与竞争

<正> 现代科学技术有许多是研究极端物理现象的,即所谓带“超”字的科学技术,如超低温、超高温、超真空、超高压、超导电等等。当前举世瞩目的是超导电技术。依导电性,可将物体分为超导体—导体—半导体—绝缘体。应用最早的是导体;本世纪六十年代大规模开发应用半导体;现在,开发的领域已转入两个极端——超导体和     

读者之声

山东龙口读者曲岩来信: 请介绍激光器及其军用系统: 激光器是60年代诞生的一种光波振荡器。激光振荡是工作物质受激而发射光的过程。激光器由激光工作物质、光学谐振腔和激发装置组成。激光器的分类方法有许多,但按工作物质可分成气体激光器、固体激光器、半导体激光器等。     

日本制成高温氮化硼半导体器件

日本科学技术厅无机材料研究所利用生长大的单晶体立方氮化硼(c-BN)的最新技术成果,成功地制造了世界上第一个能在650℃温度下稳定工作的p-n结型二极管。硅半导体目前广泛用作电子器件材料,但在200℃以上时失效。因此试图研究一种可用于极高温度环境,如外层空间和核反应堆的新型高温半导体材料。在这方面,刚度和可熔性等于金刚石的材料是值得考虑的,     

拜科努尔发射场的SS-6运载火箭发射设施

自1957年10月4日苏联开始它的宇宙时代以来,其空间武器库的支柱就是 A-级运载器,这是世界上第一枚洲际导弹 SS-6的变型。虽然 SS-6作为苏联的主要洲际导弹很快被替换下来,但作为动力巨大的液体燃料火箭,到1980年元旦已经成功地完成了767次轨道任务。SS-6族不仅是世界上最老的和最有活力的运载器,而且作为卫星运载器,其重要性还在继续增加。1979年,SS-6成功的轨道发射比历史上任何一年都多(见图1)。在这一年,从拜科     

无偏二极管的实验与分析

无任何偏置电流、电压就具有单向导电作用的二极管称无偏二极管。由于导体、半导体中导电电子的热运动，当将该管两端用导线相连时，则有一持续的直流电流流过该导线且能带动负载。现能达到的指标是：１００ｍＶ，０．１μＡ。电压已达顶峰，电流还有很大的提高潜力，有广泛的应用前景。本文介绍了无偏二极管的制作方法、性能测量结果、工作原理和能量分析。二极管的能量来自于巧用循环。     

先进的军用微电子技术

微电子技术是全球电子工业的基础,世界上10家最大的电子公司都有自己的半导体公司。1990年日本公司占世界半导体市场的49.5％,美国占36.5％,欧洲仅占10％。到2000年,美国半导体业预计价值约4600亿美元(与1991年的1500亿美元相比),全球总     

红外传感器的最近展望

一、半导体红外传感器的发展概述半导体红外传感器如表1所示,可分为三代,即单元件,一维阵列,二维阵列。然而美国等国则把一维阵列以前的统称为第一代,二维阵列传感器称为第二代。现今一维阵列(包括一维)以前的红外传感器已达到实用水平。二维阵列传感器是目前研制的中心课题。根据材料、工作原理对半导体红外传感器的分类情况如表2所示。表2中的光导型传感器使用HgCdTe材料,光伏型传感器使用HgCdTe和InSb等材料,MIS(金属-绝缘体-半导体)型传感器使用HgCdTe和InSb等材料。非本征型一     

不同调制比的Al/MoO_3含能半导体桥电爆特性研究

调制比是薄膜制备中体现材料化学计量比的重要参数,直接影响含能复合薄膜的反应性能。为了研究Al/MoO_3含能复合薄膜在半导体桥上复合的最佳调制比,采用磁控溅射工艺分别制备了3种调制比的Al/MoO_3含能复合薄膜和Al/MoO_3含能半导体桥。研究了薄膜的形貌、热反应性能与Al/MoO_3含能半导体桥在不同充电电压下的电爆过程。结果表明适当调整调制比可以减小临界激发能量,缩短临界激发时间,提高含能半导体桥的燃烧时间。