Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Mg_(1/2)W_(1/2))O_3-PbTiO_3三元系低温烧成多层陶瓷电容器瓷料的研究

本文选择Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Mg_(1/2)W_(1/2))O_3-PbTiO_3三元系低温烧成独石电容器瓷料为研究对象.实验结果表明,一次合成工艺优于分别合成工艺.采用适当的配方,可获得900℃左右烧成ε～8000,tgδ0.01～0.025,-25℃～+85℃下△C/C<±45%,且其它性能亦良好的独石瓷料.升温速度的加快将导致介电性能的下降.微观结构研究结果表明,颗粒尺寸的增加和高介电常数晶体的增多将有利于ε的提高.获得了890℃～920℃下一次烧成该瓷料用的全银电报.     

SrTiO3—CaTiO3—Bi2O3·nTiO2系统瓷料的研制

作者通过SrTiO_3—CaTiO_3—Bi_2O_3·nTiO_2系统瓷料的系列试验,研制出介电常数ε≥300的∪组和介电常数ε≥1000的2B 组陶瓷电容器材料,并对瓷料性能与组成的关系进行了讨论。     

(100-X)(Sr_1-y-zMgyPbz)TiO_3-XBi_2O_3·3TiO_2系高介高压介质陶瓷材料的研究

本文选择(100-X)(Sr_1-y-zMgyPbz)TiO_3-XBi_2O_3·3TiO_2作为高压陶瓷电容器瓷料的主系统。研究了x、y、z以及添加剂对介质介电性能的影响。并得了x、y、z的值。     

添加剂对PNN-PMW-PT低温烧结MLC瓷料性能的影响

探讨了MnCO2，PbO，NiO，Ni2O2作为添加剂对Pb(Ni1/2Nb2/3)O3-Pb(Mg1/2W1/2)O3-PbTiO3三元系独石电容器瓷料电性能的影响。经研究认为，适当添加上述化合物将在一定程度上改善瓷料的电性能和促进瓷料的致密化进程。实验得出该瓷料的烧结机理为颗牲重排基础上的溶解-沉积传质-微观结构研究结果表明，适量添加Ni2O3有利于促进晶粒的长大反高介晶体的增多。     

BaTiO_3——玻璃粉系瓷料低温烧结机理探讨

一、降低瓷料烧结温度的基本途径目前我国采用的铌镁铅(简称PMN)系瓷料,介电常数虽高,但成本高、对环境污染严重。我们所研制的低温烧结、Ag为电极的BaTiO_3基独石电容器瓷料,成本低、对环境污染小、性能较好而且可以大幅度降低能耗(初步估算,910℃烧成的瓷料,其     

掺杂Y3+,Dy3+的BaTi0.91Sn0.09O3陶瓷系统介电性能研究

研究了BaTiO3-BaSnO3系陶瓷电容器瓷料中掺杂稀土氧化物Y2O3和Dy2O3及不同掺杂方式对材料介电性能的影响.初步制得有高介电常数、低温度变化率的高压陶瓷电容器瓷料,应用X-射线衍射对样品进行微观结构分析,并探讨了改性作用的机理.     

低介高稳电容器瓷料

一、引言NPO料的主要特点是介电常数小、电容温度系数小,损耗低、绝缘电阻高,用NPO瓷料做出的热稳定独石电容器,可以广泛用于彩色电视机和其他电子通讯设备中、尤其在介电谐振器等微波设备中的应用日益广泛。随着电子工业的迅速发展,混合集成电路工艺和高密度组装技术的突飞猛进、对电路元器件和电容器应有更高的不同要求、目     

ZrO2—Al2O3系陶瓷复合材料力学性质

本文研究了ZrO_2-Al_2O_3系统陶瓷复合材料的力学性质,发现有两个最佳区域存在:在Al_2O_3基的陶瓷中,添加第二相ZrO_2颗粒可以使Al_2O_3瓷得到增韧和强化;在ZrO_2基的陶瓷中,添加少量Al_2O_3则可以通过Al_2O_3晶粒的裂纹弯曲和分叉增韧,强化ZrO_2的相变增韧,使ZrO_2瓷的强度和断裂韧性得到进一步的提高。适宜地控制YMSZ(Y_2O_3亚稳定ZrO_2)中Y_2O_3和TZP(四方相氧化锆多晶瓷)中的Al_2O_3量,可以获得高韧性和高强度的ZrO_2-Al_2O_3系陶瓷复合材料。     

中温烧结BaO－PbO－Bi_2O_3－Nd_2O_3－TiO_2系统陶瓷的组

研究了ＢａＯ－ＰｂＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－Ｎｄ＿２Ｏ＿３－ＴｉＯ＿２五元系统各成分对系统介电性能的影响。调整各组分及玻璃的含量，获得中温（１１４０℃）烧结的热稳定独石电容器瓷料（ＮＰＯＭＬＣ），其介电系数ε＝９０±５，损耗ｔｇδ≤３×１０￣（－４），绝缘电阻率ρ＿ｖ≥１０￣（１２）Ω·ｃｍ，介电系数的温度系数α＿ε＝０±１５×１０￣（－６）／℃。     

电子陶瓷市场前景广阔

据原电子工业部提供的预测报告报道,我国电子陶瓷材料市场前景广阔,预计今年陶瓷电容器的产量将达到１７０～１８０亿只,所需各种介质瓷料将近６．８万吨,热敏电阻器用瓷料４００多吨,生产所需的主要化工原料:碳酸钡４８００多吨、二氧化钛２４００多吨（其中金红石型二氧化钛４８０吨）、碳酸锶近２１００吨。据报道,目前我国陶瓷电器用电子陶瓷材料国产化程度不同。一般陶瓷电容器,如低压圆片电容器、高功率电容器等用的瓷料基本上实现了国产化;特种品种,如中高压电容器、交流电容器、片式多层陶瓷电容器用瓷料国产化率偏低,前两种国产化…     

氧化铝多孔支撑体的制备工艺

叙述了用挤出成型法制备无机膜支撑体的工艺,研究了原料粒径、成孔剂用量和烧结温度对所制得多孔氧化铝支撑体性能的影响。研究结果表明,用粒径小于10μm的-αA l2O3粉体,以7%碳粉为成孔剂,烧结温度为1300℃,可以成功制得孔径分布较窄、平均孔径为2.1μm、孔隙率为48.9%的多通道无机膜支撑体。     

溶胶-凝胶燃烧法制备Nd:Y_2O_3激光陶瓷纳米粉体

以Y_2O_3 和Nd_2O_3为原料,采用溶胶-凝胶燃烧法制备出Nd:Y_2O_3激光陶瓷纳米粉体.XRD测试结果表明粉体的最佳煅烧温度为1000 ℃,并且晶化完全.原子力显微镜观察结果表明粉体的粒度约为200 nm,分布均匀.差热-热重分析表明,柠檬酸在447 ℃分解放热, 而晶型转变温度为590 ℃,荧光光谱测试表明粉体最强的荧光发射峰位于9421.646 cm~(-1)(即波长1061.4 nm处) ,是 Nd~(3+4)F_(3/2)-~4I_(11/2)谱相导致的荧光发射.     

Al2O3/BN复相陶瓷的R曲线特性

采用压痕-强度法测定了Al2O3／BN复相陶瓷的阻力曲线。结果表明;该复相陶瓷具有良好的耐接触损伤性能,呈现出上升的阻力曲线效应,显示出增强的抗裂纹扩展能力。而对应的Al2O3单相陶瓷的阻力曲线为一水平直线。分析认为：超细弥散的h—BN与基体之间模量及热膨胀失配会在h—BN的弱结合层间产生微开裂,有助于抑制主裂纹的失稳扩展,这是Al2O3／BN复相陶瓷具有优良耐损伤性能和上升型R曲线效应的主要原因。     

共沉淀法制备三元系铋基焦绿石型陶瓷粉体

采用改进的Mergen A．方案，用氧化锌、三氧化二铋、三氧化二锑为原料，氨水、草酸铵和碳酸铵分别为沉淀剂，盐酸为溶剂，用共沉淀法成功制备了亚微米级颗粒、高活性的铋基Bi1.5ZnSb1.5O7（BZS）焦绿石型介电陶瓷粉体。探讨了用不同的沉淀剂、在不同的烧结温度所得产物的形态。结果表明氨水做沉淀剂在570℃就可生成纯的焦绿石结构。与Mergen A方法相比成本大大降低，可以使瓷片组织的均匀性提高，电性能得到改善，电压梯度下降。     

YSZ/MgAl_2O_4复合粉末的合成及其材料的烧成活化能

采用共沉淀法在1100℃制备了70%(体积分数,下同)氧化钇稳定氧化锆[xY2O3+(1-x)ZrO2,x=0.02,0.03,0.04,in mole,yttria stabilized zirconia,YSZ]-30%镁铝尖晶石(MgAl2O4)复合粉体,2种原始粉料的配料各为70%和30%,并在1200～1500℃常压烧成制备了陶瓷材料。结果表明:在制得的所有粉末中,未发现单斜相ZrO2;2YSZ(0.02Y2O3+0.98ZrO2,摩尔分数,下同)/MgAl2O4和3YSZ/MgAl2O4这2种粉体中的ZrO2为四方相多晶氧化锆;而4YSZ/MgAl2O4粉末中的ZrO2相为全稳定立方氧化锆。对于1500℃烧结制备的陶瓷材料,2YSZ/MgAl2O4块体中的ZrO2相为部分稳定氧化锆;而3YSZ/MgAl2O4和4YSZ/MgAl2O4块体中的ZrO2相为全稳定氧化锆。(2～4)YSZ/MgAl2O4复相陶瓷的活化能为(623±80)kJ/mol。     

晶界层电容器晶界重新绝缘化研究

试验了不同涂复材料对晶界层电容器晶界重新绝缘的作用,探讨了它们使晶界重新绝缘的机理和特点。不同的涂复材料在晶界重新绝缘过程中的作用不同,对晶界层电容器的性能有较大的影响。实验表明:涂复金属氧化物有利于提高材料的耐压性能。涂复PbO-Bi_2O_3-B_2O_3可改善材料的温度特性。涂复CuO可改善材料的频率特性。涂复PbO-Bi_2O_3-B_2O_3-CuO可使材料呈现良好的综合性能。     

金属粘结补强复合陶瓷刀具材料的研究

通过组成与显微结构的设计研究了活化金属粘结的Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）－Ａｌ２Ｏ３与Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＣ两类多种组成（牌号）的复合陶瓷刀具材料。这些陶恣由于组成与显微结构的不同，其切削加工的应用范围亦有所不同，但均具有高的强度与韧性，优良的红硬性和良好的化学稳定性，可满足多种加工对象的要求，在其各自的加工范围内，均能发挥出十分优异的切削性能。     

La2O3—AxOy系相图的概括和预测

本文是应用化学键理论概括和预测相图系列研究之一。作者对Dietzel概括相图中的相关规则作了改进,改进的相关性能够解释许多例外;研究讨论了和La_2O_3-A_xO_y系有关的超导陶瓷问题并与最近美国电话电报公司Bell实验室对超导体临界温度的研究作了对比讨论。     

普碳钢用陶瓷基高温防护涂层制备及其性能表征

采用机械混合法制备了一种针对碳钢的新型Al2O3-MgO-TiO2-CaO体系陶瓷基高温防护涂料,1300℃下可在Q235B钢表面形成致密保护层,提高钢抗氧化烧损性能.结果表明,在涂料粒度48～75μm、涂层厚度0.5mm的条件下,涂层防护性能优良.涂层的防护温度范围为900～1300℃,1300℃时比原样可降低氧化烧损59.36%,防护寿命长于8h.涂层的应用将氧化层由经典的Fe2O3/Fe3O4/FeO三层结构转变为一层尖晶石结构,同时减薄了氧化层厚度,显著降低了Fe元素的高温扩散速率.