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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜 ,其晶粒尺寸为 1.1μm,比用传统单步晶化制备的薄膜晶粒尺寸大 ,表明该方法对扩大晶粒尺寸很有效。拉曼光谱分析表明 0 .30 J/ cm2晶化的薄膜结晶程度已很高  相似文献   

2.
多晶硅薄膜的两步激光晶化技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
曾祥斌  徐重阳  王长安 《压电与声光》2002,24(4):315-317,326
采用两步激光晶化技术获得了多晶硅薄膜,分析计算了激光晶化时薄膜中的温度分布及表面温度与激光功率密度的关系,利用计算结果并优化了激光晶化时的工艺参数,采用该技术制备了性能优良的顶栅多晶硅薄膜晶体管,测量了薄膜晶体管的转移特性与输入输出特性,从多晶硅薄膜的制备工艺上分析了提高薄膜晶体管性能的原因。  相似文献   

3.
激光晶化制备多晶硅薄膜技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
激光晶化是一种制作晶硅薄膜器件(如薄膜晶体管、太阳能电池)很有效的技术.展望了低温多晶硅薄膜的应用前景,详细介绍了近几年激光晶化制备多晶硅薄膜技术的研究成果,并就激光对非晶硅作用的原理作了简单讨论.  相似文献   

4.
采用新型的两步激光晶化技术在玻璃衬底上制备出性能良好的多晶硅薄膜 ,并制作了多晶硅薄膜晶体管 ,其迁移率为 10 3cm2 /V·s ,开关态电流比为 1× 10 7。采用椭偏光谱法分析了薄膜的结构 ,并提出多层膜模型模拟薄膜结构。测量结果与计算数据十分吻合。  相似文献   

5.
本文介绍一类新型的薄膜多晶硅材料及器件的制备方法-后续退火方法并对其研究现状进行评述。对制备过程中初始材料的沉积条件,后续退火条件、以及后氢化处理等诸多环节对薄膜多晶硅材料的性能的影响进行了讨论。最后介绍了用后续退火方法制备薄膜多晶硅太阳电池及多晶硅薄膜场效应管的研究结果。  相似文献   

6.
对准分子激光晶化制备TFT用多晶硅薄膜的研究进展进行了综述。介绍了晶化过程中的超级横向生长现象。主要结合各种基于光束调制和光刻技术的人工控制超级横向生长方法,讨论了获得大晶粒尺寸优质多晶硅薄膜的途径。  相似文献   

7.
用金属诱导-准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜   总被引:3,自引:2,他引:1  
提出了一种新的晶化方法——金属诱导-准分子激光晶化法(MI-ELA)。该方法在制备多晶硅(p-Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p-Si。通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p-Si的结晶性和表面形貌特征。研究发现,MI-ELA方法制备的p-Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高。这个结果源于用MIC方法形成的且与e-Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用。这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a-Si作为成核媒介。这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽。  相似文献   

8.
多晶硅薄膜在微电子和能源科学领域有着广泛的应用.本文介绍了利用铝诱导晶化非晶硅制备多晶硅薄膜的方法,叙述了铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的一般过程,着重讨论了铝诱导晶化非晶硅的机理和在制备过程中各种参数对多晶硅薄膜质量的影响.  相似文献   

9.
金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
利用金属诱导晶化(Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化,MIC的晶化温度降低到440℃。采用XRD、Raman、SEM和XPS等手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜的特性,分析了薄膜结构和组成,讨论了晶化过程的机理。  相似文献   

10.
多晶硅薄膜在微电子和能源科学领域有着广泛的应用。本文介绍了利用铝诱导晶化非晶硅制备多晶硅薄膜的方法,叙述了铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的一般过程,着重讨论了铝诱导晶化非晶硅的机理和在制备过程中各种参数对多晶硅薄膜质量的影响。  相似文献   

11.
Solar cells consist of n-Si wafer and p-Si polycrystalline thin film, which was solely fabricated by magnetron sputtering, and aluminium induced crystallization, are presented in this paper. Firstly, the material and electrical properties of the fabricated p-Si thin films including the crystallization ratio, grain size, morphology, carrier density and mobility were studied by Raman spectroscopy, X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy and Hall Effect measurement, respectively. The p-Si polycrystalline thin film formed under optimal process conditions had the crystallization ratio of ~ 99% and the grain size of ~ 64.6 nm, determined from the data of Raman spectroscopy and XRD. The hole concentration in the fabricated p-Si polycrystalline thin films was mainly in the order of 1017 cm−3 to 1019 cm−3, and their corresponding mobility values ranged from 15 cm2/V s to 65 cm2/V s. Then solar cells with the device structure of Al electrode/n-Si wafer/p-Si thin film/Al electrode were fabricated, and their electrical properties were measured both under dark and illumination conditions by the semiconductor performance tester and solar simulator. The measured J-V curves under dark condition confirmed the creation of a p-n junction with the ideality factor of 1.55, rectification ratio of 410 at ± 1 V, and the reverse saturation current of 246 nA/cm2. The efficiency of 2.19%, with an open circuit voltage of 448 mV and a short circuit current density of 11.2 mA/cm2, was achieved under AM1.5G standard illuminations.  相似文献   

12.
多晶硅薄膜比非晶硅薄膜具有更高的电子迁移率,在器件中表现出更优良的性能,脉冲激光结晶非晶硅薄膜制备多晶硅薄膜的方法具有热积存小、对衬底影响小、成本低等优点。使用532 nm固体纳秒激光器进行了非晶硅薄膜激光结晶实验,为了解决直接使用高斯光束结晶时因光斑能量分布带来的结晶效果不均匀,首先基于光束整型系统将圆形的高斯光束整型成为线性平顶光束,而后研究单脉冲能量密度、脉冲个数、非晶硅薄膜厚度对结晶效果的影响。结果表明,线性平顶光束用于非晶硅薄膜结晶具有更好的均匀性,对于100 nm非晶硅薄膜,随着能量密度的增加,晶粒逐渐变大,直到表面出现热损伤,最大晶粒尺寸约为1 μm×500 nm。随着脉冲个数的增加,表面粗糙度有减小的趋势,观察到的最小粗糙度约为2.38 nm。对于20 nm超薄非晶硅薄膜,只有当能量密度位于134 mJ/cm2和167 mJ/cm2之间、脉冲个数大于或等于八个时才能观察到明显的结晶效果。  相似文献   

13.
为研究波长对连续激光晶化非晶硅(a-Si) 薄膜过程的影响,利用连续Ar+-Kr+激光对a-Si薄膜晶 化,在5ms固定照射时间下,改变激光波长,采用拉曼光谱测试技术和场发射扫描电子显微 镜(SEM)研究在不同 激光功率密度下薄膜晶化后的特性。结果表明,a-Si薄膜的晶化阈值随着波长的 增大而增大,当波长为 458nm时薄膜晶化阈值为13.2kW/cm2,波长 为647nm时,晶化阈值为19.2kW/cm2;在激光功率密度范 围为0~27.1kW/cm2内,薄膜的最大晶化率受波长的影响相对较小 ,但总体也随着波长的增大而呈增大 趋势,当波长为647nm时,在激光功率密度26.5kW/cm2处,晶化率达到最大值75.85%。  相似文献   

14.
采用三倍频后的Nd:YAG固体脉冲激光系统(波长为355 nm)选区诱导晶化非晶硅薄膜,以制备多晶硅薄膜。分别测试了激光晶化前后薄膜的表面形貌和拉曼光谱。在文中分析了400 nm厚薄膜在激光扫描前后的表面形貌变化。拉曼光谱显示薄膜的晶化程度随着激光能量的增加而提高。最优的激光晶化能量密度与薄膜的厚度相关。对于300 nm和400 nm厚的非晶硅薄膜,有效晶化非晶硅的能量密度分别在440-634 mJ/cm2,777-993 mJ/cm2之间。在激光能量密度分别为634 mJ/cm2,975 mJ/cm2和1571 mJ/cm2时,300 nm、400 nm和500 nm厚薄膜达到最好的晶化效果。  相似文献   

15.
Selected area laser-crystallized polycrystalline silicon(p-Si) thin films were prepared by the third harmonics (355 nm wavelength) generated by a solid-state pulsed Nd:YAG laser.Surface morphologies of 400 nm thick films after laser irradiation were analyzed.Raman spectra show that film crystallinity is improved with increase of laser energy.The optimum laser energy density is sensitive to the film thickness.The laser energy density for efficiently crystallizing amorphous silicon films is between 440-634 mJ/cm2 for 300 nm thick films and between 777-993 mJ/cm~2 for 400 nm thick films.The optimized laser energy density is 634,975 and 1571 mJ/cm~2 for 300,400 and 500 nm thick films,respectively.  相似文献   

16.
多晶硅薄膜晶体管自热效应模型   总被引:1,自引:1,他引:0  
邓婉玲  郑学仁 《半导体学报》2009,30(7):074002-4
  相似文献   

17.
18.
脉冲激光扫描淀积类金刚石薄膜   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
采用能量密度为1.178×109W/cm2的XeCl准分子激光直接辐照高纯度的石墨靶,并同时采用辅助放电,在1×10-5Torr的真空环境中,于温度为80℃的Si(100)的基片上淀积出类金刚石薄膜,Raman光谱显示在1330cm-1处出现较强的散射峰值;对薄膜红外光谱进行测试,其光谱在2900cm-1处有吸收峰,表明所淀积的类金刚石薄膜含有C-H键,其H元素与C元素的比为45%.薄膜的电阻率为1.89×106Ω/cm,通过光吸收测得的该薄膜的能隙为1.55eV.  相似文献   

19.
为了制备纳米硅薄膜,采用脉冲激光沉积系统,保持靶材和衬底间距不变,在不同激光能量条件下,得到一系列纳米Si薄膜。利用喇曼散射光谱和X射线衍射谱对晶粒尺寸进行了计算和分析,取得了几组数据。结果表明,改变脉冲激光能量时,纳米Si晶粒平均尺寸均随能量的增强先增大后减小;在单脉冲能量为300mJ时制备的纳米Si晶粒平均尺寸最大,为8.58nm。这一结果对纳米硅薄膜制备的研究有积极意义。  相似文献   

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