MIM液晶显示技术

本文主要论述 MIM-LCD 的结构、工作特性、原理和制作工艺。     

MIM有源薄膜器件及阵列的基础研究

本文详细分析了MIM有源薄膜器件及阵列的工作原理、工艺过程和器件性能.根据一种液晶有源薄膜器件阵列设计模型,设计和研制出了MIM单管性能和实验用7×5象素MIM有源矩阵液晶显示板.此显示板具有显示一定图形的功能.     

MIM有源矩阵液晶显示

本文论述了MIM-LCD的显示原理及驱动方式,简述本研究中MIM的结构、材料及制作工艺,最后介绍了38mm及75mmMIM-LCD的实验结果。     

用于有源矩阵液晶显示的Ta-Ta2O5-Ta MIM薄膜二极管

本文介绍了一种用于有源矩阵液晶显示、具有对称结构的ＭＩＭ薄膜二极管,其中Ｔａ２Ｏ５膜采用溅射／阳极氧化两步法制成。实验结果表明,用此法制备的氧化钽膜作绝缘层的ＭＩＭ二极管,具有良好的开关特性,较大的通断比和较好的伏安特性对称性     

9英寸MIM—LCD

９英寸ＭＩＭ—ＬＣＤ（ＳＥＩＫＯＥＰＳＯＮ）远藤甲午１前言１９８４年ＳＥＩＫＯＥＰＳＯＮ公司在世界上率先推出把矩阵式象素放置在液晶面板上显示ＴＶ图象的产品，当时主要是作手表的显示。这种液晶面板是把液晶夹在配有许多晶体管的硅基板和玻璃基板之间，构成宾主...     

LB薄膜在MIM发光结中的应用

在MIM隧道结的氧化铝和金层中加一层LB薄膜后,发现结的稳定性和其它一些物理性质比以前的普通结有所改善,本文讨论了变色现象,I—V特性曲线,并且展示了一些扫描电镜照片,从这些照片中我们可以粗略估计粗糙度.     

SPP在薄膜MIM隧道结发光中的作用

本文用spp(surface-plasmon-polariton)的色散关系的量子力学表示式,讨论了薄膜MIM隧道结的起始发光电压(阈值电压);描述了几种系统MIM结的I-V特性曲线、发射光谱特性曲线,负阻效应及稀土元素的作用.     

液晶显示器技术及其曝光设备

介绍了LCD器件市场及发展现状、器件类型和生产线概况。根据LCD器件对曝光设备的工艺特点 ,重点介绍了几种用于LCD制造的曝光设备 ,结合LCD器件目前的发展趋势 ,讨论了曝光设备面临的新课题     

用于有源矩阵液晶显示的Ta—Ta2O5—TaMIM薄膜二级管

本文介绍了一种用于有源矩阵液晶显示，具有对称结构的ＭＩＭ薄膜二极管，其中Ｔａ２Ｏ５膜采用溅射／阳极氧化两步法制成。实验结果表明，用此法制备的氧化钽膜作绝缘层的ＭＩＭ二极管，具有良好的开关特性，较大的通断比和较好的伏安特性对称性。     

有源矩阵液晶显示的进展

在分析了无源矩阵驱动的局限性的基础上，叙述和比较了ＭＩＭ薄膜二极管和ａ－Ｓｉ薄膜晶体管有源矩阵液晶显示的结构、工作原理和特性，并讨论了它们的进展与发展方向。     

全耗尽CMOS／SIMOX器件研制

在表层硅厚度为１８０ｕｍ的ＳＩＭＯＸ材料上，用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为２．５μｍ的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平，使ＰＭＣＯＳ和ＮＭＯＳ的漏电分别达到３．Ｏ×１０－１１Ａ／μｍ和２．２×１０－１０Ａ／μｍ。５Ｖ时，例相器的平均延迟时间达６ｎｓ。     

介质加载对微波铁氧体器件性能的影响

本文应用耦合波理论对微波铁氧体器件的三种介质加载方式进行了计算,得出了一些定量的结果,这对我们深入理解微波铁氧体器件的介质加载机理具有一定的意义     

计算MOS器件应力的简单方法

本文根据SiO2薄膜的边缘力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的应力场。计算结果与K.Kobayashi(1990)进行的Raman谱测量结果吻合较好。     

分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格

提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅ ＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅ ＭＢＥ生长的影响，并用分子束外延方法在１６０～１８０℃下生长了ＨｇＳｅ单晶薄膜。     

MBE生长InSb外延层特性及红外探测器研究

本文报道了采用含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步ＭＢＥ生长技术，在ＧａＡｓ（１００）衬底上异质外延生长的ＩｎＳｂ外延层材料特性及初步的器件性能。５μｍ厚的ｎ型本征ＩｎＳｂ外延层７７Ｋ时的电子浓度和迁移率分别为：ｎ～２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３），μ～５．１２×１０￣４ｃｍ￣２Ｖ￣９－１）ｓ￣（－１），高质量ＩｎＳｂ外延层的Ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）＜１５０″。ＩｎＳｂ表面的相衬显微形貌，ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ界面的ＴＥＭ形貌相和ＩｎＳｂ外延层的红外透射谱等测试结果都肯定了ＭＢＥＩｎＳｂ外延层的质量。研究结果已基本达到目前国外同类研究水平。用ＭＢＥ生长的ｎ型ＩｎＳｂ外延层薄膜首次制作了中波（３～５μｍ）多元光导线列器件，终测表明，器件的光导响应率较高Ｒ（Ｖ）～７８００Ｖ／Ｗ，均匀性很好ΔＲ（Ｖ）／Ｒ（Ｖ）＜７％，ＭＢＥＩｎＳｂ外延薄膜展示了良好的红外探测器应用前景。     

电场对铁电液晶分子排列的影响

本文通过在铁电液晶相变过程中施加交变电场的方法，研究了电场对铁电液晶分子排列的作用。实验表明在液晶相变点附近施加低频交变电场，能够使铁电液晶分子形成均匀排列，从而提高了铁电液晶器件的记忆效应与对比度，最后我们给出了合理的理论解释。     

原子和分子结构对电子阻止本领Se(E)的Z振荡的影响

本文在Firsov理论基础上,引入Slater波函数等概念,解释了原子结构对Se(E)的Z振荡的影响。它不仅能解释常规能量范围内(101000keV)的轻元素靶和重元素靶的Z振荡行为,而且能解释更高的能量范围内(10100MeV)Z振荡行为。本文引用了分子轨道法理论来处理分子靶问题,导出了分子结构对Se(E)的Z振荡影响的方程式,使能处理相当宽的能量范围内的分子靶的Se(E)的Z振荡问题。应用本文方法所得结果与Z1C和Li+Z2靶的Z1(或Z2)振荡的实验结果进行了比较,同时还与在较高能量范围的S+Na和F+Ag系统的实验结果作了比较,都得到了满意的结果,说明本文提出的方法是令人满意的。     

双轴分子构成液晶薄层的分子场理论

本文以分子场理论研究双轴分子构成的液晶薄层。双轴分子通过色散力作用，使分子质心固定在简单立方晶格的格点上。在液晶薄层的一侧是基板，它对界面层上的分子提供吸引作用，另一侧为自由表面。给出了各分子层上序参数随温度变化的情况。     

HgTe／CdTe超晶格的分子束外延生长和电容－电压谱研究

在ｐ－型ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格材料上制作金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构．报道了ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格的分子束外延生长、器件制作和测量结果．研究表明，比较宽的ＣｄＴｅ势垒阻碍了少子（电子）到界面的迁移，在７７Ｋ强反型区域的低频电容不能达到绝缘层电容，类似于普通ＭＩＳ器件的高频Ｃ—Ｖ曲线．     

无摩擦基板上液晶薄层的分子场理论

采用分子场近似，通过Ｌｅｂｗｏｈｌ－Ｌａｓｈｅｒ模型研究无摩擦基板上的液晶薄层，给出了出现向列相对液晶薄层中的子分子取向状态的向列相－各向同性相转变，讨论了基板诱导的取向序（包括双轴序）以及介面区中的双轴一单轴相变。