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相似文献
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1.
超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
叙述了超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计方法,提出了利用普通微带混合集成电路.工艺设计超宽带低噪声放大器的方法和关键技术,并且用带封装的BJT和FET实现了两个超宽带低噪声放大器。实验结果和设计结果吻合较好。一个利用2SC3358,放大器为三级,频带为30kHZ~1600MHZ,增益G=20±1dB,噪声系数NF≤3.5dB;另一个利用ATF10235(6),放大器为二级,频带为500kHZ~6000MHZ,增益G=20±2dB,噪声系数NF≤2dB。  相似文献   

2.
HP公司的ATF-36077是一种超低噪声砷化镓PHEMT器件,它适用于KU波段的卫星直播系统,C波段电视系统和电视接收系统的低噪声放大器,本文着重介绍它的基本性能和由它组成的3.7-4.2GHz的频段高增益超低噪声放大器。  相似文献   

3.
介绍了2 ̄18GHz GaAs微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作,给出了主要研究结果:在2 ̄18GHz频率范围内,管壳封装的两级级联放大器的增益G=13.5 ̄18.3dB,噪声系数Fn=4.2 ̄6.2dB,输入电压驻波比VSWRin〈2.0,输出电压驻波比VSWRout〈2.5。  相似文献   

4.
设计、研制了一种工作在L波段的GaAs单片低噪声放大器。该放大器在HP-8510B网络分析仪和HP-8970B自动噪声仪上的测试结果为:1.1~1.5GHZ频段,NF≤2.0dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤0.5dB;在1.5~2.0GHZ频段NF≤2.5dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤±0.5dB。  相似文献   

5.
概述了InGaAs/GaAs异质结构材料用于制作微波器件的优越性,叙述了材料的MBE生长、输运特性和掺杂分布,以及用于制作Ku波段低噪声高增益HFET的结果:栅长0.5μm,12GHz下噪声系数0.93dB,相关增益9dB。  相似文献   

6.
介绍一种采用8个砷化镓FET和7个二极管的单片集成跨阻放大器,其结果良好,频率为DC~1.5GHz,增益Ga≥18dB,噪声系数Fn≤4.3dB(f=400MHz,Rs=R_L=50Ω)。  相似文献   

7.
HP公司的ATF36077是一种超低噪声砷化镓PHEMT器件,它适用于KU波段的卫星直播系统、C波段电视系统和电视接收系统的低噪声放大器,本文着重介绍它的基本性能和由它组成的3742GHz频段高增益超低噪声放大器  相似文献   

8.
描述了以PHEMT为有源器件的8~12GHz宽带低噪声单片电路的设计及制造,获得了满意的结果。其性能为f=8~12GHz,Ga=17.4~19.5dB,Fn=1.84~2.20dB;f=8~14GHz,Ga=17.4~19.9dB,Fn=1.84~2.5dB  相似文献   

9.
描述了以PHEMT为有源器件的8 ̄12GHz宽带低噪声单片电路的设计及制造,获得了满意的结果。其性能为f=8 ̄12GHz,Ga=17.4 ̄19.5dB,Fn=1.84 ̄2.20dB;f=8 ̄14GHz,Ga=17.4 ̄19.9dB,Fn=1.84 ̄1.5dB。  相似文献   

10.
阐述了光纤通信前置放大器的设计原理,分析了光接收机中PIN二极管和GaAsFET器件的信号模型和噪声模型,提取了放大器用GaAsFET器件的模型参数(包括大信号、小信号和噪声模型参数)。利用PSPICE程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计,并实际制作了用于2.4Gb/s光纤通信的PIN-HEMT前置放大器。实测结果表明放大器3dB带宽达到DC~4.4GHz,增益为18±1dB;加入PIN二极管后的光接收模块的3dB带宽为DC~1.688GHz,满足了2.4Gb/s光纤通信的需要。  相似文献   

11.
报道了8~16GHzGaAs单片宽带分布放大器的设计与制作。单级MMIC电路采用三个栅宽为280μm的GaAsMESFET作为有源器件,芯片尺寸为1.1mm×1.6mm。在8~16GHz频率范围,用管壳封装的两级级联放大器增益G_a,为11.3±1dB,噪声系数F_n<6dB,输出功率P_(1dB)>16dBm。  相似文献   

12.
微波BJT超宽带低噪声放大器的设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文给出了一种频带覆盖达10-1600MHz的微波BJT超宽带低噪声放大器的设计方法,从微波BJT的噪声模型出发,通过拟合50Ω源阻抗下微波BJT的噪声系数NF50和S参数来提取其噪声参数,然后根据增益,噪声及驻波比要求优化设计放大器,使放大器在超宽带范围内获得平坦增益和低噪声,本文所给出的微波BJT惨数提取及放大器优化设计方法已由实验结果所验证。  相似文献   

13.
报道了一种源耦合反馈单片有源环行器的研究结果、该单片电路采用实测FET的S参数进行微波CAD优化设计,内部包含有3个300μm栅宽的FET,芯片面积1.7mm×1.9mm。采用GaAs的离子注入平面工艺,芯片电路具有良好的均匀性、一致性。在3.5~4.5GHz内,电路插入损耗约7.5dB,隔离度为21~26dB,驻波比基本小于2。  相似文献   

14.
本文介绍了6 ̄20GHz微波宽带低噪声,中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和CAD技术,研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标:工作频率6 ̄20GHz,1dB压缩输出功率≥18dBm,增益≥28dB,输入输出驻波比≤2.0:1,噪声系数≤4.0dB,增益平坦度≤±2.0dB。  相似文献   

15.
本文介绍了6~20GHz微波宽带低噪声、中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和CAD技术, 研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标: 工作频率6~20GHz, 1dB压缩输出功率≥18dBm , 增益≥28dB, 输入输出驻波比≤2.0∶1, 噪声系数≤4.0dB, 增益平坦度≤±2.0dB  相似文献   

16.
陈效建 《电子学报》1998,26(11):120-123
讨论了毫米波低噪声PHEMT的设计要点,藕助Schroedinger/Poisson方程及器件方程,进行了Ka波段AlGa/InGaAs低噪声PHEMT用异质层数值计算及CAD优化,确定出分子束外延MBE时诸层的最佳组分、浓度、与厚度、上述优化分析的结果用于器件的实验研制,取得了34.4GHz下噪声系数(NF)1.92dB、相关增益Ga6.5dB的国内最好结果。  相似文献   

17.
采用分布电路原理、CAD技术和微带电路技术,制作出多倍频程超宽带放大器。其主要技术参数为,f=2~18GHz,G_p≥30dB,△G_p≤±3dB,F_n≤7dBm,P_(-1)≥+10dB,VSWR≤2.5:1。  相似文献   

18.
为了降低接收系统中微波放大器的噪声,提高接收机灵敏度,文中介绍了微波低噪声放大器的技术指标和设计方法。并利用ADS软件对微波低噪声放大器的设计进行了优化和仿真。最后使微波低噪声放大器的设计结果达到了设计期望值。  相似文献   

19.
IEEE会员Makoto Yamada等人成功地开发出氟化物掺饵光纤放大器。各信道的输入信号功率为-20dBm时,8信道波分多路复用信号在1532-1560nm波长范围的平均增益达26dB,增益偏移低于1.5dB。。此外,MakotoYamada等人在本文中研究了F-EDFA对WDM信号的放大性能。  相似文献   

20.
GHA2069是UnitedMonolithicSemiconductors研制的高频低噪声放大器,它的工作频带宽,从18GHz到31GHz,采用自偏压3级放大。增益为22dB,增益平坦度为±1dB,噪声为25dB,三阶截断点的输出功率为20dBm,直流工作电流为55mA,功耗低。高频低噪声放大器  相似文献   

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