硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件

综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展.针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器件的电学性能,并对影响器件电学性能的因素进行了分析.概括介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线激光器和硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池的研究成果,基于硅衬底的Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池为低成本、高效能的太阳电池领域开辟了新途径.研究结果表明,采用硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线制备的场效应晶体管、激光器及太阳电池等半导体器件相对于Si,Ge等传统半导体材料制备的器件有着巨大的优势,在未来集成电路技术中具有越来越大的影响力.     

硅基发光材料和器件研究的进展

发光器件和集成电路都是信息技术的基础,如果将经们集成在一个芯片上,信息传输速度,存储和处理能力将得到大大提高,它将使信息技术发展到一个全新的阶段,但是,现有的集成电路是采用硅材料,而发光器件用Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体集成电路,虽然经过多年的研制,但至今还不成熟,因此,研究硅基发光材料和器件成为发展光电子集成的关键。本文评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件成为发展光电     

砷化镓微波器件发展动态

在半导体器件的发展中,最初所用的材料主要是元素半导体锗。在1960年后,元素半导体硅的材料和器件工艺迅速发展起来,很快在半导体器件研制中占主要地位。目前也还在继续发展。但是,十多年来,化合物半导体的发展是很值得重视的。特别是Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料中的砷化镓已在器件研制中取得了一定成果。砷化镓由于电子迁移率高、禁带宽等优点适于制造高频、大功率和高温器件。在一些器件中采用砷化镓材料后,获得了比同类锗、硅器件更高的性能。而且由于砷化镓特殊的能带结构,又发展了     

砷化镓半导体器件

一、引言锗、硅元素半导体在器件制造中已得到了很广泛的应用,在制造高频、大功率、高速开关晶体管方面也取得了非常可观的进展.为进一步改进晶体管的频率、功率、开关速度、使用温度等性能,以及扩展半导体器件的种类和应用,国外对新型半导体材料及其器件的探索相当重视.特别值得提出的是Ⅲ-V族化合物半导体及其器件.1952年Welker就已开始了Ⅲ-V族化合物半导体的研究,他指出这种化合物半导体有类似于锗、硅等Ⅳ族元素半导体的特性.十余年来,国外对这种半导体进行了许多研究工作,利用这种     

“宽禁带半导体材料与器件”专题征文通知北大核心

一代材料催生一代器件,引领一代产业。以Ⅲ族氮化物、碳化硅、氧化物半导体等为代表的宽禁带半导体材料是发展高能效的半导体光电子和电力电子器件的核心基础。宽禁带半导体材料与器件围绕国民经济和社会发展的战略性、基础性和前瞻性方向,重点面向固态照明、新型半导体显示、射频电力电子以及光电探测、绿色能源等前沿领域,对于赋能低碳排放的"美丽中国建设"。     

Ⅲ Ⅴ族半导体外延新工艺

GaAS、Inp等Ⅲ-Ⅴ族化合物华寻体材料广泛地用于制备光电二极管、激光器、太阳电池、传感器、微波器件和集成电路等.在制备中外延工艺常常是不可少的.尤其在一些新型器件诸如HEMT器件、HBT(异质结双极晶体管)、量子阱激光器和超晶格器件的研制中更是如此.目前,除采用传统的VPE、LPE工艺进行Ⅲ-Ⅴ族半导体的薄膜生长外,更多地注意应用一些外延新工艺进行生长,以便获得新型器件研制所要求的超薄层和多层的组合材料.     

红外光电探测的垂直光路结构

近红外光电探测具有许多应用,如光纤通信、安全以及热成像等．虽然Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的光学性能比硅基材料的优越,但是硅基材料由于暗电流小及能够与硅集成电路工艺兼容,有希望制作出价格低廉的小型、高度集成的光学系统。     

1.25μm InGaAsP光电阴极的研究

使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电阴极的光电成像器件在光纤通讯、医学、夜视以及其它科研领域有着广泛的用途。其核心部件是二元、三元或四元化合物半导体材料光电阴极。国外在对阈波长为0.9μm的GaAs负电     

半导体C-V测量基础

通用测试 电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构.此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、Ⅲ-Ⅴ族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件.     

半导体C-V测量基础C-V测量为人们提供了有关器件和材料特征的大量信息

通用测试 电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构.此外.利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管(BJT).JFET、Ⅲ-Ⅴ族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件.     

半导体C-V测量基础

通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括蚁傲结型晶体管（BJT）、JFET、Ⅲ-Ⅴ族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。     

引人注目的SiC材料、器件和市场

半导体器件的基础是高性能的材料。1950年代的晶体管主要采用Ge,随后转用Si;1960年代集成电路在直径2英寸的Si晶圆上制成,一直发展到今天的12英寸Si晶圆。为了寻找比Si.陛能更好的半导体材料,材料学家做了大量工作,1980年代以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族材料取得了不错的成果,1990年代出现GeSi、蓝宝石、SOI(绝缘层上硅)、GaN和SiC等更多的半导体材料,使集成电路、半导体光电器件和电子器件的研制有了更多的可选用材料。在这些新型材料中,SiC最引人注目,被认为是2000年代的材料新星。本文对SiC的材料制备、器件和市场作简明的介绍。     

硅基发光材料和器件研究的进展

发光器件和集成电路都是信息技术的基础。如果能将它们集成在一个芯片上,信息传输速度,储存和处理能力将得到大大提高,它将使信息技术发展到一个全新的阶段,但是,现在的集成电路是采用硅材料,而发光器件则用ｉｌｌ－Ｖ族化合物半导体。Ｉｌｌ－Ｖ族化合物半导体集成电路,虽然经过多年的研制,但至今还不成熟。因此,研究硅基发光材料和器件成为发展光电子集成的关键。本文评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺铒硅、多孔硅、纳米硅以及 Ｓｉ／ＳｉＯ_２等超晶格结构材料,并展望了这些不同硅基发光材料和发光器件在光电集成中的发展前景。     

Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光

<正> 砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究,是分析GaAs等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中杂质和缺陷的有效方法之一.本文将介绍低温光致发光的实验技术和部份实验结果.     

1988年国际固体器件和材料会议简况

<正> 1988年国际固体器件和材料会议于8月24日至26日在日本东京市举行。来自16个国家和地区的755名代表参加了会议,共宣读论文175篇。我国派出5名代表,发表了3篇论文(北京师范大学,东南大学,南京电子器件研究所各1篇)。这次会议内容涉及面非常广泛,包括了当今世界上正在研究的许多重要课题,主要内容有:MOS器件和技术,功率器件,硅工艺技术,金属化,高速器件,栅绝缘和热电子,SOI,硅异质结构,Ⅲ—Ⅴ族特性和工艺技术,光电器件,化合物半导体生长等。会议举行了四个专题报告会:高温超导薄膜性能和应用,原子尺寸器件结构和材料性能,高级硅器件工艺和性能,高级Ⅲ-Ⅴ族器件物理和性能。会议还举行了题为“高速器件低温工作”的自由讨论会,讨论气氛非常热烈,表示高速器件的低温     

“宽禁带半导体材料与器件”专题征文通知北大核心

一代材料催生一代器件,引领一代产业。以Ⅲ族氮化物、碳化硅、氧化物半导体等为代表的宽禁带半导体材料是发展高能效的半导体光电子和电力电子器件的核心基础。宽禁带半导体材料与器件围绕国民经济和社会发展的战略性、基础性和前瞻性方向,重点面向固态照明、新型半导体显示、射频电力电子以及光电探测、绿色能源等前沿领域,对于赋能低碳排放的“美丽中国建设”,聚力“国防科技自主创新、原始创新”,“加速战略性前沿性颠覆性技术发展”以及深入推进光电子技术的发展具有重要意义。     

半导体集成电路

所谓半导体集成电路,就是把在一个或一个以上的半导体衬底上制作的电路元件相互连接的电路。半导体衬底现在基本上是采用硅。此外也有用锗和以砷化镓为代表的Ⅲ—Ⅴ族金属间化合物作衬底的。在衬底上,通过扩散、外延生长、光刻、介质生长和氧化等芯片工艺制作晶体管,二极管和电阻,用pn结或介质把器件之间进行隔离。把衬底表面用介质覆盖以     

化合物半导体禁带宽度和熔点的人工神经网络预报

利用经标志样本集训练的人工神经网络对Ⅲ－Ⅴ、Ⅱ－Ⅵ族二元化合物和Ⅰ－Ⅲ－Ⅵ２、Ⅱ－Ⅳ－Ⅴ２族三元化合物半导体的禁带宽度和熔点进行了预报，计算结果与实验结果符合较好     

韩国光电子集成回路的研究

韩国光电子集成回路的研究１．引言韩国Ⅲ－Ⅴ族半导体的研究开始于７０年代中期，仅在几个大学进行。８０年代初，有较多大学、政府和工业实验室认识到这种半导体的潜力，也开始加入Ⅲ－Ⅴ族半导体器件研究的行列，包括光器件和电子器件的研究。随着光器件、电器件和光电...     

在GaAs和GaP衬底上外延生长InAs_xP_(1-x)

禁带宽度位于近红外区(0.33～1.4电子伏)的半导体材料,用于固体光电发射和激光二极管、检测器及光电发射器方面颇受欢迎。在光电发射器及相关的光电阴极这一特殊领域中,之所以对此特别感兴趣,是因为用 Gs_2O 激活Ⅲ-Ⅴ族材料表面,光电发射产额极高,可望得到灵敏的高效率光电阴极,其电磁辐射波长超过0.9微米,而碱金属光电阴极的量子