共查询到20条相似文献,搜索用时 125 毫秒
1.
文章分析讨论了掩模只读存储器的工作原理和结构,并结合实际工作,详细论述了一个高速的576k位MaskROM的设计与实现.针对字线负载大、速度慢的问题,从选择合适的译码方案和减少字线上RC负载两个方面,提高字线的响应速度,从而使MaskROM的读取时间有较大提高.该款MaskROM采用0.5μm CMOS工艺,电源电压5... 相似文献
2.
3.
4.
目前流行的一些教科书、科技书(见参考资料[1]~[7]),在论述半导体存储器工作原理时,对静态MOS存储器中门控管导通条件的分析只注意了管子栅极的电位.因此提出只要在存储单元的字线上加入脉冲,门控管将被导通.有的书(见参考资料[4])还明确提出:“在字线上加入脉冲同时将门控管T_5,T_6打开”.有的外文科技书也有类似的说法(见参考资料[8]). 相似文献
5.
内置SRAM是单片集成TFT-LCD驱动控制芯片中的图像数据存储模块.针对内置SRAM的低功耗设计要求,采用HWD结构和动态逻辑的字线译码电路,实现了1.8Mb SRAM的低功耗设计.电路采用0.18μm CMOS工艺实现,Hspice和Ultrasim仿真结果表明,与静态字线译码电路相比,功耗减小了20%;与DWL结构相比,功耗减小了16%;当访存时钟频率为31MHz时,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,电源峰值功耗小于123mW,静态功耗为0.81mW. 相似文献
6.
本文将描述未来VLSI存贮器实现亚微米器件工艺所必需的电路技术。这些技术包括一个片内错误校验和校正电路(ECC电路),一个阈值差分补偿放大器和一个片内电源电压转换器。为此,设计和制造了一个0.25Mb CMOS动态RAM试验电路。 用单晶体管元件设计VLSI存贮器时,α引起的软误差是一个很严重的问题。解决办法是采用双向奇偶校验的片内ECC电路技术。图1示出一个具有片内ECC电路的RAM的逻辑图。除(k×m)基本存储单元外,(k m)奇偶单元也与每个字线相连。沿着同一字线的所有单元构成双向奇偶校验的ECC数据集。基本存贮器单元中的每个这种数据单元都属于两个虚数组:V和H。在读周期内,出现了两种奇偶校验,采用兆位V组、千位H组和2位 相似文献
7.
文章分析讨论了ROM的工作原理和结构,并结合实际工作,详细论述了一个用于嵌入式系统的128K位ROM的设计和实现,针对慢的问题,从选择合适的译码方案和减少字线上的RC负载两个方面,提高字线的响应速度,从而使ROM的读取时间有较大的提高,同时设计中在VLSI可实现性的前提下,兼顾面积,功耗,测试表明,ROM的设计符合嵌入式系统的要求。 相似文献
8.
为了满足目前对大容量、高速、高可靠性静态随机存储器(SRAM)越来越多的需求和解决高集成度的SRAM成品率深受生产工艺影响的问题,文章提出了一个256k×16bit高性能SRAM的设计。主要针对以下几个方面进行了描述:采用分级字线的方法和字线局部译码电路,提高速度;采用全PMOS管启动电路、与电源无关的偏置和加入补偿电容的稳压电路消除振荡、提高可靠性、降低功耗;冗余修补电路提高产品成品率。该4M_bitSRAM芯片采用SMIC0.18μm标准工艺,地址转换和存取时间仅为8ns,在SS模型125℃加入寄生参数且每个I/OPAD端口挂50pF电容的情况下,仿真结果表明从地址建立到数据读出仅需要7.16ns。 相似文献
9.
KunichiOhta Kunio.Yamada Manzoh HiroyukiShiraki AkitomoNakamura KyozoShimizu YasuoTaruiVLSI 陈德英 《电子器件》1980,(Z1)
本文讨论一种动态存储器结构,它能组成1M位VLSI的10×10mm~2存储器芯片采用常规光刻,其光刻尺寸为2~u以下。 图1给出了2位单管单容存储器单元的结构。该存储器单元由一个四层自对准(QSA)MOSFET,一个钽氧化物的迭式高存储电容,一条多晶硅字线和一条Al位线所组成。 相似文献
10.
音频场景聚类的任务是将属于相同音频场景的音频样本合并到同一个类中.本文提出一种基于联合学习框架的音频场景聚类方法.该框架由一个卷积自编码网络(Convolution Autoencoder Network,CAN)与一个判别性聚类网络(Discriminative Clustering Network,DCN)组成.CAN包括编码器和译码器,用于提取深度变换特征,DCN用于对输入的深度变换特征进行类别估计从而实现音频场景聚类.采用DCASE-2017和LITIS-Rouen数据集作为实验数据,比较不同特征与聚类方法的性能.实验结果表明:采用归一化互信息和聚类精度作为评价指标时,基于联合学习框架提取的深度变换特征优于其他特征,本文方法优于其他方法.本文方法所需要付出的代价是需要较大的计算复杂度. 相似文献
11.
12.
13.
为了更好地实现聚类,在分析层次聚类(agglomerative)算法和神经网络的ART2算法的基础上,提出了一种改进的层次聚类算法.改进算法将首先采用一种基于ART2的改进神经网络聚类算法得到一个初始的聚类结果,然后在此基础上利用agglomerative算法实现分层聚类.实验结果表明,改进算法较原先传统的聚类算法,不但算法执行速度快、效率高,而且聚类效果也比较好. 相似文献
14.
《固体电子学研究与进展》1989,(1)
<正> 据日本《JEE》杂心1983年3月号报道,松下、日立和东芝公司宣布制成16兆位DRAM样机,在一块芯片上可集成约3400万只晶体管。 松下公司采用线宽0.5μm技术及开型位线方法,形成1.5×2.2μm的存储单元,以位线和字线相交处形成的沟道环绕之。为了实现这一结构,该公司在每256条实字线处采用赝字线用以消除耦合噪音,为有较高的密度,在每两条位线上排列一个读出放大器。它采用包括水溶性聚合物和γ射线步进机的4层保护膜。松下公司宣布了16兆字×1位和4兆字×4位结构的器件,这两种芯片的尺寸为5.4×17.38mm,存取时间为65毫微秒。 相似文献
15.
聚类集成旨在通过融合多个不同的基聚类结果得到一个统一的类簇划分.针对现实环境中的模糊和不确定性数据,本文提出了一种基于阴影集的多粒度三支聚类集成算法.算法首先使用FCM聚类产生一组有差异性的基聚类成员,并通过阴影集构造三支聚类.然后引入多粒度粗糙集构建了四个近似集合,将每一个类簇划分为一个核心域和三个边界域.最后对边界域中的数据依次划分到核心域中,无法划分的对象则留在边界域,最终得到了三支聚类集成的结果.实验结果表明,本算法在准确率、调整兰德系数和归一化互信息方面,与多种现有的聚类集成算法相比得到了更好的聚类集成结果. 相似文献
16.
17.
针对模糊C均值聚类算法(FCM)中聚类结果受初始聚类中心影响突出的缺陷,利用粒子群优化算法(PSO)全局优化能力显著的特性,提出一种基于粒子群改进的模糊C均值聚类算法(PSO-FCM).该算法首先通过PSO优化算法得到一个最优值,然后利用该最优值初始化FCM聚类中心,从而优化了FCM算法的聚类结果.最后将该算法应用于电机故障诊断中,实验表明,该算法弥补了FCM算法的缺陷,提高了聚类的效率和准确性,改善了故障诊断结果. 相似文献
18.
19.
采用硅通孔(TSV)技术的三维堆叠封装,是一种很有前途的解决方案,可提供微处理器低延迟,高带宽的DRAM通道.然而,在3D DRAM电路中,大量的TSV互连结构,很容易产生开路缺陷和耦合噪声,从而导致了新的测试挑战.通过大量的模拟研究.本文模拟了在三维DRAM电路的字线与位线中出现的TSV开路缺陷的故障行为,它作为有效... 相似文献
20.
一种新的快速混合聚类算法 总被引:2,自引:1,他引:1
在汲取了传统划分、层次聚类方法优点的基础上,结合图搜索技术,提出了一种新的快速混合聚类算法.该算法主要分为三个步骤:首先将整个数据集"压碎",生成固定数量的原子级聚类;然后处理孤立点;最后采用图搜索技术生成聚类.该算法只需一个参数,能识别任意形状、大小的聚类,时间复杂度在最坏情况下为nn~(1/2).实验表明该算法是有效的. 相似文献