老杨谈胆（十一）——帘栅极

帘栅极电压及帘栅极损耗 作为五极管（束流管），帘栅极电压是一个很重要的参数，帘栅极处于屏极和控制栅之间，它的正电场协助屏极吸收电子，图（1）是EL-34的帘栅极当屏极（第3脚屏极开路）形成的三极管Ia-Uak曲线，图（2）是EL-34帘栅极和屏极连接形成的三极管Ia-Uak曲线。     

关于双模栅控行波管栅极电压分开加电的研究

讨论了双模栅控行波管在高／低模两种工作模式下，所需的栅极脉冲电压不一致的原因，及两个栅极加不同的电位对流通率、栅极电流、输出功率及互作用效率的影响。     

高工作比、超层流四极管型电子枪

本文描述一种高收敛皮尔斯枪,其电子注层流性能基本上与无栅枪相似,而工作比超过三极管型有截获的栅控电子枪。因为四极管型电子枪是在栅丝之间100%的发射表面上较为均匀地支取电流,所以单位面积上的阴极负载远小于一般的阴影栅电子枪或栅极贴近阴极的阴影栅电子枪。理论研究和电子注分析器研究以及 IJ 波段大功率螺旋线行波管的热测都已证实,若微调四极管型电子枪的两个控制栅电压,将使性能有大幅度地改进。可调的栅丝透镜可使电子注直径和层流最佳,并反映了公差的变化。在管子包装组件内还包括一个简单的自偏压网络,以便用普通的栅极脉冲调制器工作。     

MAX16928：汽车TFT-LCD显示器电源解决方案

Maxim公司的MAX16928是具有升压转换器和栅极电压稳压器的汽车TFT-LCD显示器电源解决方案,集成了一个升压转换器,一个1．8V／3．3V稳压控制器和两个栅极电压稳压器（一个28V提供20mA,一个负栅极电压）。高达6W的大功率升压输出,输出电压高达18V,工作频率2MHz,主要用在汽车仪表盘,信息显示器和导航系统。     

结合式无截获控制栅电子枪

结合栅组件是由金属—绝缘子—金属夹层组成,此组件是直接与浸渍钨阴极相接触。栅极组件的金属端面构成控制栅,而其底部的金属面则是阴极与绝缘体之间钡扩散的壁障。本设计的主要优点是所要求的栅——阴极间间距的严格公差极易达到,以及在阴极热态时能予以保持。本文所叙述的第一个结合栅结构是为栅一阴极间间距为2密耳的微波三极管所研制的,栅极网格尺寸为5×35密耳。栅极组件是由一个非常薄的各向异性的氮化硼绝缘体组成,在其两边是高频溅射金属化。这一制造工艺后来用来制造线性注管的收敛枪。     

SOI基栅控横向PIN蓝紫光探测器温度特性研究

通过模型构建、数值计算和软件模拟,对绝缘衬底上的硅(SOI)基栅控横向P-I-N(通用结构)蓝紫光探测器在-25～75℃的电流-电压(I-V)特性进行研究。构建温度对栅极电压影响的解析模型,通过数值计算与软件模拟,验证模型的有效性。利用SILVACO软件中的ATLAS模块对不同温度下的沟道表面电子浓度、光电流、暗电流、信噪比(SNR)等特性进行模拟仿真。结果表明,沟道表面电子浓度和暗电流随温度的升高而增大,温度对光电流的影响不明显,信噪比随温度的升高而减小,在温度T=-25℃,栅极电压为1.44V时,SNR达到最大值6.11×10~5;在T=75℃,栅极电压为2V时,SNR达到最小值为1.064×10~3。     

元器件与组件

带有内置ESD保护的MOSFETCMLDM7003是一种双通道N沟道的增强模式MOSFET,带有内置的2kVESD保护。它带有两个独立的50V,280mA的MOSFET,在每个器件的源极和栅极之间带有瞬变电压抑制栅。该器件的导通电阻在50mA,1.8V时是3.0Ω。     

用N激励分子形成栅绝缘层，得到低漏电流、低电源电压、高速CHOS管

日本东北大学未来科学技术共同研究中心教授大见忠弘认为，用等离子体激发N元索，形成Si3N4，使用Si3N4形成栅绝缘层，可以解决栅极漏电流增大和电源电压升高的问题。     

改善a—SiTFTLCD像素电极跳变电压方法研究

非晶硅薄膜晶体管液晶显示器（a—SiTFTLCD）中,在栅极信号由开启到关断的瞬间,由于栅源耦合电容Cgs的存在．使像素电极电压出现跳变,跳变前后像素电极电压差称为△Vp。降低△Vp一方面能减小闪烁程度,降低残像残留．同时还能最大程度地提高像素电极保持阶段的电压。防止出现因TFT漏电流过大而造成的像素电极电压衰变到所应显示灰度电压之下,从而出现显示灰阶的变化。本文从理论上分析了△Vp形成原理,介绍了两种能有效降低△Vp的方法．即多栅极电路和脉冲式存储电容。     

堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的计算模型

采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应,建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用该模型数值,研究了Si3N4/SiO2、Al2O3/SiO2、HfO2/SiO2和La2O3/SiO2四种堆叠栅介质结构MOS器件的栅极漏电流随栅极电压和等效氧化层厚度变化的关系。依据计算结果,讨论了堆叠栅介质MOS器件按比例缩小的前景。     

新的FET管驱动简单时序控制器件提高时间延迟精度

ADM6819和ADM6820是电压时序控制器，它们提供启动两个电源之间的精确时间延迟。内置电荷泵产生一个电压控制N沟道FET管的栅极。ADM6819具有固定的200ms时间延迟和允许输入7．ADM6820采用一只外部电容器精确设置启动两个电源之间的时间延迟。ADM6819和ADM6820都采用6引脚的SOT-23封装。     

只使用一个比较器电路的窗口电压比较器

一般的窗口电压比较器必须使用两个比较器电路分别设定上限和下限电压,进行比较之后输出。这里介绍一个只使用一个比较器电路构成的窗口电压比较器。如图所示,这是一个判断输入端电压是否在2V～3．6V范围内的比较器电路。当输入电压在2V以下,3．6V以上时,输出端为低电位。输入电压在2V～3．6V范围之内时,输出端为高电位。     

极低功耗的多功能单片机监控电路R5101G

为保证单片机应用系统的正常可靠运行,一般需要电压复位监控、看门狗和稳压电路三个基本电路。但无论从PCB面积考虑,还是从耗电量方面考虑,都不是很好的解决办法。理光(RICOH)多功能单片机监控集成电路R5101G能完成以上三个功能,而且它只有8个管脚(SSOP-8G),PCB面积仅需要4.0×2.9mm2。由图1可见,单片机监控电路R5101G由三部分构成:CPU供电的小功率电压稳压器、用于CPU复位的高精度电压检测器和监控CPU正常工作的看门狗电路。整个电路采用CMOS工艺。芯片自身消耗的典型电流仅有5mA,也就是说以上三部分芯片电路连同工作仅需要5…     

锑化铟光伏探测器中的应力感应漏电问题

用一个栅极可控二极管器件来研究外加应力对锑化铟(InSb)p~+/n光伏红外探测器的漏电影响。通过实验证实了外加应力与栅极之间在其对电流-电压(I-V)特性的影响方面是等效的。在p~+/n结附近,外加栅电压与感应电荷载流子密度之间引入一个显式解析关系式,并在液氮温度下、在一种栅电压和适宜应力下,利用瞬时测量I-V特性技术,取得了相当于某一给定应力下的局部感应表面及体内电荷载流子密度。对在压电-半导体器件中因栅电压或因应力感应所致的漏电位置也作了讨论。     

基于馈通电压自动补偿的OLED电性能测试波形设计研究

常规馈通电压计算原理涉及到OLED体的电容值,不同型号OLED产品电容值是个变量,为了得到最佳的电容值,OLED制造企业测试部门需做大量的验证实验。本文直接通过栅极电压上拉使OLED体的储存电容产生馈通电压来补偿栅极电压关闭时栅极和漏极之间寄生电容产生的馈通电压,无需测量OLED体的电容值和修正Vcom值即可补偿栅极电压关闭时栅极和漏极之间的寄生电容产生的馈通电压。实验结果表明,基于馈通电压自动补偿原理设计的Shorting Bar Test Waveform与Vcom人工修正原理设计的电性能测试波形的检测效果一致,而对不同缺陷的检测率有微小差异。     

波导拟投巨资开发TD—SCDMA手机

波导表示公司打算投资3，800万美元为国产3G技术TD-SCDMA开发手机。波导已设计出两款3G手机，都采用TD-SCDMA技术，目前正在开发第三款手机。该公司表示，部分早期开发资金来自政府提供的125万美元资助。既然中国政府可能在2007年至少颁布三个3G牌照，更多的手机厂商开始关注这个市场。芯片厂商也开始推出第二代TD-SCDMA产品，据称峰值数据率可达每秒384Kbit，     

确定JFET特性的简单电路

当使用分立的JFET时,设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程,作为JFET漏极电流特性的一个近似模型:ID=β(VGS-VP)2,其中,ID是漏极电流,VGS是栅源电压,β是跨导参数,而VP是栅极的截止电压。与此近     

使用行输出管6AV5GA的专业功放

本文介绍一款美国DAVID BOGEN生产的，用电视机行扫描输出管6AV5GA作功率放大管的专业用功放K030。输出级工作于乙类推挽工作状态，裂相电路采用阴极板极同时输出的电路。为了使输出管的工作稳定，输出管的栅极偏压采用由硒整流器提供的固定栅极偏压，帘栅极电压使用了由双三极管6CG7构成的稳压电路。     

象管透镜的调制传递函数

对近贴聚焦的双平面透镜、锐聚焦的静电透镜和电磁透镜的调制传递函数(MTF)作了推导和介绍。可以证明对于麦克斯威尔发射能量分布来说,双平面透镜的调制传递函数为:MTF=exp(-4π~2∈/V_3L~2df~2)。式中:L为荧光屏到光阴极之间的距离,以毫米计;f为空间频率,以线对/毫米计;V_3为荧光屏上的电压,而∈是最可几发射能量的等效电压。对于余弦分布来说,双平面透镜的MTF为:MTF=exp(-7π∈/V_3L~2f~2)。锐聚焦象管透镜的MTF为:MTF=exp(0.06π~2∈~2M~2f~2/E_c~2)。式中:E_c是光阴极的电场强度,以伏/毫米计;M是放大倍率。象管透镜的MTF一般可以表示为MTF=exp[-(πρf)~2],式中ρ是实际透镜的聚焦误差系数(focusing error coefficient)。     

一种实用的高性能直流稳压电源

<正> 本文介绍一种实用的直流稳压电源,它的特点是:抗干扰能力强,输出电压稳定:输出电流可达2安培,输出电压在5～12伏之间可调,具有过流。过热及自保功能。该电源适用于单片机及一些小型的控制系统。 这种稳压电源的电原理图如图1所示。稳压电路采用典型的串联型晶体管稳压电路,基准电压环节由N沟道结型场效应管3DJ6D和稳压二极管组成。场效应管的栅极和源极连在一起,即栅源电压U_(GS)=0。这样,此管就相当于一个温度特性好、抗干扰能力强的限流电阻。