长城网络推出光纤转换器系列

长城公司日前推出三款快速光纤转换器——ＧＥＣ２５２１ １００Ｍ快速以太网光纤转换器（ＳＣ、单模）、ＧＥＣ ２５２２１００Ｍ快速以太网光纤转换器（ＳＣ、多模） 和ＧＥＣ２５２２Ｔ １００Ｍ快速以太网光纤转换器（ＳＴ、多模） 从最低成本的角度出发,解决了因楼宇之间的距离增大而引起的难题。长城光纤转换器定位于宽带网络接入市场,且能够为用户提供带宽充足、性能稳定、功能强大的宽带光纤网络解决方案。长城网络推出光纤转换器系列     

长城推出GES-1524M新款交换机

如何使网络的主干与支干的连接既能满足带宽需要又能满足不同的传输距离的需求呢？长城公司于前不久推出了金长城ＧＥＳ－１５２４Ｍ新款交换机,该产品是国内首家推出的,能从１００Ｍ直接升级至１０００Ｍ的通用型交换机产品。 金长城ＧＥＳ－１５２４Ｍ交换机基于性能高强而便于扩展的设计思想,通过提供一个集成于单一机箱的１０／１００ＭｂｐｓＵＴＰ快速以太网接口和１个插槽,构架了一个高速灵活的以太网主干解决方案。对于主干与支干的连接来说,ＧＥＳ－１５２４Ｍ交换机提供一种可扩展的灵活配置插槽,其１０００Ｂａｓｅ－ＬＸ最大传输距离可达１０ｋｍ,１００Ｂａｓｅ－ＦＸ最大传输距离可达６０ｋｍ。金长城ＧＥＳ－１５２４Ｍ交换机,不仅为用户提供从核心主干到分支的全系列介质和全系列传输速率的连接,而且为到桌面提供了较高的带宽。长城推出GES-1524M新款交换机     

吉比特以太网基本术语

１００ＢＡＳＥ─ＳＸ即针对工作于多模 光纤上的短波长（８５０ｎｍ）激光收发器而制定的 ＩＥＥＥ８０２．３ｚ标准。当使用６２．５μｍ的多模光纤时，连接 距离可达２６０ｍ；当使用５０μｍ的多模光纤时，连接距 离可达５５０ｍ。 １０００ＢＡＳＥ─ＬＸ　１０００ＢＡＳＥ─ＬＸ即针对工作于多 模或单模光纤上的长波长（１　３００ｎｍ）激光收发器而制 定的ＩＥＥＥ８０２．３ｚ标准。在使用 ６２．５μｍ的多模光纤时， 连接距离可达４０ｍ；在使用５０μｍ的多模光纤时，连接 距离可达５５０ｍ；在使用单模光纤时，连接距离可达…     

计算机局域网组网技术浅析

一、概述８０年代,美国ＩＥＥＥ制定了８０２系列ＬＡＮ标准,其中的ＩＥＥＥ８０２．３（ＣＳＭＡ／ＣＤ）标准由物理层和ＭＡＣ层规范构成,著名的以太网就是ＩＥＥＥ８０２．３标准的代表产品。由ＸＥＲＯＸ、ＤＥＣ和Ｉｎｔｅｌ三家公司首先推出的标准以太网是１０Ｍｂｐｓ基带网标准,属于公共总线型（ＣｏｍｍｏｎＢｕｓ）网络。当网上某工作站发布信息时,网上所有站点都可以通过公共总线接收,这种工作方式类似无线广播。以前以太网为了提高兼容性,涵盖了不同技术规格和传输介质。同时,为了适应通信技术宽带化、智能化、光纤化的…     

离子注入半绝缘GaAs电激活效率与电激活均匀性的研究

研究了Ｓｉ＾＋和Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋注入到Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ Ｂｒｉｄｇｍａｎ（ＨＢ）和Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ（ＬＥＣ）方法制备的半绝缘ＧａＡｓ衬底电激活效率与均匀性。结果发现：在相同条件下（注入与退火）,不同生长方法的半绝缘ＧａＡｓ衬底电激活不同,通常电激活ＨＢ〉ＬＥＣ,ＨＢ ＳＩ－－ＧａＡｓ（Ｃｒ）（１００）Ａ面〉（１００）Ｂ面,Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋双离子     

吉比特以太网标准

到目前为止,吉比特以太网标准共有两个,即８０２．３ｚ．和 ８０２．３ａｂ。 ８０２．３ｚ标准的制定经历了以下过程： １９９７年１月通过第一版草案。１９９７年６月,Ｖ３．１草案获得通过。最终的技术细节就此制定,其中包括：选定１０００ＢＡＳＥ一ＳＸ和１０００ＢＡＳＥ一ＬＸ物理媒介（ＰＨＹＳ）;重新定义自适应;ＭＡＣ突发计时（Ｂｕｒｓｔ　Ｔｉｍｅｒ）限制增加到 ８Ｋ字节;重新定义ＧｂＥ　ＭＩＩ。１９９８年６月,ＩＥＥＥ８０２．３ｚ标准正式被批准。 ８０２．３ａｂ标准即１００ＢＡＳＥ─Ｔ吉比特以太网标准,于 …     

GaAs（100）表面钝化和Mg／S／GaAs界面的SRPES研究

应用同步辐射光电子谱（ＳＲＰＥＳ）表征了一种新的ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液体系处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这说明ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液处理的ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，发现ＡＳ的硫化物不稳定，分解或反应生成Ｇａ－Ｓ成分和元素态Ａｓ；室温下，Ｍｇ淀积硫钝化的ＧａＡｓ表面的实验结果表明，Ｍｇ置换ＧａＳ的Ｇａ成为金属Ｇａ偏析到表面，而硫以ＭｇＳ     

新品信息

新款３ＣｏｍＨｏｍｅＣｏｎｎｅｃｔＡＤＳＬ调制解调器可为两台ＰＣ同时共享ＡＤＳＬ访问提供简单的解决方案。３ＣｏｍＨｏｍｃＣｏｎｎｃｃｔ＆ｔｒａｄｃＡＤＳＬ调制解调器双链路提供一个ＵＳＢ（通用串行总线）端口和一个以太同端口,为ＰＣ需求发生变化的家庭提供理想的解决方案。ＩＲ创新双ＦＥＴＫＹ器件该器件,把高侧控制场效应管（ＦＥＴ）及低侧同步场效应管与并联的肖特基二极管（ＳｃｈｏｔｔｋｙＤｉｏｄｅ）集成,从而将直流一直流交流器的面积缩小了６０％。采用ＩＲＦ７９０１Ｄ１的交流器可提供高效的空载时间传导路径,在５．０Ｖ、３．３Ｖ和１．８Ｖ环境下,可为５Ａ峰值输出电流提供高达９６％的运行效率。安奈特新款多通道介质转换器这种转换器包括６端口和１２端口两种。每对端口都可以作为一个独立的通道使用。该介质能非常轻松地保证线路的连接质量,使目前为用户普遍使用的基于钢缆为介质的中型或大型以太网和快速以太网网络简单经济地升级到以光纤为主要介质的网络上。ＡＴ一ＭＣＦ１０和ＡＴ—ＭＣＦ１００系列多通道介质转换器可提供不同的端口密度和介质接口类型．并支持多模和单模光纤。ＮＢａｓｅ－Ｘｙｐｌｅｘ推出高速ＷＤＭ光纤通道新产品新产品ＷＤＭ４—ＦＣ有...     

Magneto－optic Current Sensor Based on Total Reflections in a Quadrangular Bulk Glass

Ｍａｇｎｅｔｏ－ｏｐｔｉｃＣｕｒｒｅｎｔＳｅｎｓｏｒＢａｓｅｄｏｎＴｏｔａｌＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎｓｉｎａＱｕａｄｒａｎｇｕｌａｒＢｕｌｋＧｌａｓｓ￥ＣＨＥＮＸｉｋｕｎ；ＱＩＵＪｉｎｇｈｅ；ＺＨＵＱｉｂｉａｏ；ＤＡＩＬａｉｆａ（ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉｖ...     

Hole Mobility in Poly (N-vinylcarbazole) Thin Film Based on Silicium

ＨｏｌｅＭｏｂｉｌｉｔｙｉｎＰｏｌｙ（Ｎ－ｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）ＴｈｉｎＦｉｌｍＢａｓｅｄｏｎＳｉｌｉｃｉｕｍ①②ＣＨＥＮＢａｉｊｕｎ，ＷＡＮＧＸｉａｏｗｅｉ③，ＬＩＵＳｈｉｙｏｎｇ（ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂ．ｏｎＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＯｐｔｏｅ...     

The Studies of Cr/GaAs(100) Interface by Sr-Photoemission

ＴｈｅＳｔｕｄｉｅｓｏｆＣｒ／ＧａＡｓ（１００）ＩｎｔｅｒｆａｃｅｂｙＳｒＰｈｏｔｏｅｍｉｓｉｏｎＦ．Ｐ．Ｚｈａｎｇ１Ｐ．Ｓ．Ｘｕ１Ｓ．Ｈ．Ｘｕ１Ｅ．Ｄ．Ｌｕ１Ｘ．Ｊ．Ｙｕ１Ｙ．Ｍ．Ｓｕｎ１Ｔ．Ｐ．Ｚｈａｏ２（１ＮａｔｉｏｎａｌＳｙｎｃｈｒｏｔｒ...     

千兆位以太网用通信部件

ＩＥＥＥ８０２．３ｚ标准获得批准以后,千兆位以太网的市场正蓄势待发,迎接蓬勃发展的新时代;设计方面正在针对各种不同媒体的运行条件进行优化。所有采用８Ｂ／１０Ｂ编码格式的千兆位以太网都被称为１０００Ｂａｓｅ－Ｘ。如果发射机使用短波长激光（８５０纳米）,则被称为１０００Ｂａｓｅ—ＳＸ;如果使用长波长激光（１３０纳米）,则称为１０００Ｂａｓｅ－ＬＸ。而对于采用铜电缆（包括双绞线和四股绞线）的系统,则表示为１０００Ｂａｓｅ－ＣＸ。对于１０００Ｂａｓｅ—Ｘ链路,使用ＵＴＰ传输串行数据的速度不能超过１．２５…     

C波段16W内匹配GaAs功率MESFET

Ｃ波段１６Ｗ内匹配ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ傅炜（南京电子器件研究所，２１００１６）１９９３年１２月２日收到ＡＣ－Ｂａｎｄ１６ＷＩｎｔｅｒｎａｌｌｙＭａｔｃｈｅｄＰｏｗｅｒＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ￥ＦｕＷｅｉ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅ...     

以太网和吉比特以太网

吉比特以太网是传统以太网技术的进一步发展和延伸,所以,吉比特以太网产品和传统的以太网产品具有很好的兼容性,传统的以太网可以用很少的投资平滑地升级到吉比特以太网。 吉比特以太网的标准有８０２．３ｚ和８０２．３ａｂ,其在帧格式、ＭＡＣ层、流量控制等方面完全遵循以太网８０２．３标准,主要不同之处在于：（１）速度有了更大的提高,已经由１００Ｍ发展到１０００Ｍ;（２）必须以光纤作为主要传输介质,相应的传输标准主要有 １０００ＢＡＳＥ－ＳＸ（短波波长规格）,１０００ＢＡＳＥ－ＬＸ（长波波长规格）,另外,还有１…     

GaAs表面钝化的新方法：S_2Cl_2处理

本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇａ，ＡＳ，Ｃ和少量Ｃｌ原子而不含Ｏ原子．ＸＰＳ谱说明Ｓ原子和Ｇａ、Ａｓ原子都成键．与（ＮＨ４）２Ｓ处理的比较结果显示，几秒钟的．Ｓ２Ｃｌ２处理即可达到或超过几十分钟（ＮＨ４）２Ｓ处理的钝化效果．     

MOCVD和GSMBE生长Ga_（0．5）In_（0．5）P外延层中有序结构的研究

用ＭＯＣＶＤ在（１００）、ＧＳＭＢＥ在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ上生长了ＧａＩｎＰ外延层．ＰＬ测试表明，（１００）衬底上ＧａＩｎＰＰＬ峰的能量比计算的带隙分别小４３（ＧＳＭＢＥ生长）和１０４ｍｅＶ（ＭＯＣＶＤ生长）．用Ｋｕｒｔｚ等人的模型对ＭＯＣＶＤ和ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＩｎＰ中有序度的不同进行了解释．并讨论了衬底晶向对ＧａＩｎＰ中有序程度的影响．     

大信号设计GaAs MESFET功率合成

利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率特性的线性化模型，求出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ近似最佳功率负载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供初值。然后，使用自行研制的谐波平衡分析软件包，进行ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为９．６ｍｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯，利用内匹配功率合成技术，在Ｃ波段（５．５～５．８ＧＨＺ）制成１ｄＢ压缩功率大于８Ｗ，典型功率增益９ｄＢ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内匹配功率管。     

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料

本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．     

iBlast的广播机构

最近 ,美国１２个电视广播集团宣布它们建立了ｉＢｌａｓｔ网络公司 ,这是一个用来传送宽带数字内容的无线网络。这些集团是 :ＴｒｉｂｕｎｅＣｏ .,Ｇａｎｎｅｔｔ ,Ｃｏｘ ,Ｐｏｓｔ ＮｅｗｓｗｅｅｋＳｔａｔｉｏｎｓ ,ＴｈｅＥ .Ｗ .ＳｃｒｉｐｐｓＣｏ .,ＭｅｒｅｄｉｔｈＣｏｒｐ,ＭｅｄｉａＧｅｎｅｒａｌ ,ＬｅｅＥｎｔｅｒｐｒｉｓｅｓ ,ＴｈｅＮｅｗＹｏｒｋＴｉｍｅｓＣｏ .,ＭｃＧｒａｗＨｉｌｌ,ＳｍｉｔｈＢｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ和Ｎｏｒｔｈｗｅｓｔ .i Blast与 10 2个市场中的总计 143家地方电视台签订了协议 ,其中包括…     

2英寸GaAs快速热退火技术研究

为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门阵列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究。做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。