用蒙特卡洛方法计算砷化镓中的正电子迁移率

用计算机模拟的方法获得正电子在半导体材料的迁移率，讨论了正电子有效质量，杂质浓度和温度对正电子迁移率的影响。     

室温下GaAs中正电子迁移率的测量

用正电子湮没寿命谱方法测量了GaAs中的正电子迁移率,在低电场(小于300Vcm~(-1))和室温294K条件下测得μ_+=880±40cm~2V~(-1)s~(-1)。     

中子辐照硅的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法研究了１．４５×１０＾２０ｎ／ｃｍ＾２和３．１０×１０＾１７ｎ／ｃｍ＾２快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在３４３－１０７３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧－空位对和在高中子剂量辐照的Ｓｉ中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ１是晶格正电子寿命和氧－空位对捕获的正电子寿命的加权平均值，而长寿命成分τ２是双空位或四空位捕获的正电子     

非晶态FeCuNbSiB系合金结构缺陷的正电子湮没研究

通过测量不同温度下退火的非晶合金Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９和Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｍｏ１．５Ｓｉ１３．５Ｂ９的正电子湮没有寿命谱，配合Ｘ射线衍射分析，研究了非晶合金结构缺陷随退火温度的变化。结果表明，非晶合金中存在两种类型的自由体积。正电子湮没有寿命随样品退火温度的变化曲线对应着结构弛豫，局域晶化和完全晶化阶段。     

Fe_（73．5）Cu_1Nb_3Si_（13．5）B_9非晶合金化过程的X射线

采用Ｘ射线衍射和正电子湮没多普勒展宽测量相结合，研究了纳米晶态材料Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９的结构随退火温度的变化。实验结果表明：急冷非品样品在４８０℃开始明显晶化，基体中析出体心立方结构的α－Ｆｅ（Ｓｉ）固溶体。随着退火温度的升高，非晶漫射峰不断减弱，而晶态相的衍射谱逐渐增强。进一步计算对衍射谱的分离，给出了品化分数和非晶相平均原子间距随退火温度的变化规律。正电子湮没实验证实了约５５０℃退火时样品内出现以Ｎｂ、Ｂ原子为主的晶界非晶相，Ｓ参数随退火温度的变化与非晶相平均原子间距随退火温度的变化规律一致。     

用正电子湮没技术研究新型高临界温度T_c超导材料Ba-Y-Cu氧化物

本文介绍用正电子湮没技术研究了具有高临界温度下T_c的新型超导材料Ba-Y-Cu氧化物。实验发现,在起始转变温度以下,正电子寿命减少与电阻随温度的变化曲线符合。在临界温度T_c处,出现了正电子寿命峰。     

高纯硅辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究

采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了１．４５×１０２０、３．１０×１０１７ｎ／ｃｍ２中子辐照和５×１０１１／ｃｍ２１７８Ｗ重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用频率表明在Ｓｉ中存在氧一单空位对．高中子剂量和重离子辐照Ｓｉ后，用两种方法都观察到了双空位复合成四空位。     

空位型缺陷对正电子的局域及其与缺陷宽度的依赖特性

晶体中空位型缺陷提供了一个正电子捕获势阱,我们以铝为例,计算和讨论了几种不同形式的二维柱对称势阱对基态正电子的局域、湮没及其与缺陷宽度的依赖特性,得到的结论是:1)对取值有界的缺陷势阱,随缺陷宽度变化总存在使得正电子波函数局域在缺陷中心最强的尺寸R_l;2)正电子湮没寿命随缺陷宽度变化的曲线在大于R_l以后才开始明显出现饱和效应;3)中空类型缺陷当其宽度大于一定尺寸R_s以后出现表面效应,R_s远大于R_l;4)存在着下列不等式:R_(s晶界)相似文献   

用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP

用正电子湮没寿命研究了多掺杂和单掺杂Ｓｎ的ＩｎＰ在不同载流子浓度、电导率和位错密度下空位浓度的变化。     

中子福照硅单晶正电子捕获的温度效应

用正电子湮没寿命测量方法研究了在中子辐照硅单晶缺陷中正电子捕获的温度效应。寿命谱被成功地分成两个组分,长寿命组分在109—300K的温度范围有325±9 ps的常数寿命值,它被认为是在负荷电双空位捕获的正电子寿命。正电子捕获率显示一个强的负温度效应.这个捕获特征能用正电子在负荷电双空位的级联捕获来描述。在低温区正电子捕获截面以T~(-1.7)随温度变化。     

正电子辐照多孔硅的研究

多孔硅经来自＾２３Ｎａ的正电子束辐照后，其光荧光谱出现两个新特点，一是主峰峰位显著蓝移，由辐照臆的红色光谱区蓝移到辐照后的绿以光谱区；二是出现一个较高能量的附加发光峰，红外吸收谱表明，正电子辐照有助于增强多孔硅的表面氧化对多孔硅经正电子辐照后光荧光结构改变的机理进行了讨论。     

基于LINAC慢正电子源的EGS4模拟

介绍基于ＢＥＰＣ ＬＩＮＡＣ和ＢＦＥＬ ＬＩＮＡＣＥ慢正电子束设备中正电子源部分的Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ模拟过程。结果表明,从Ｔａ靶出射的快正电子产额在ＢＥＰＣ ＬＩＮＡＣ和ＢＦＥＬ ＬＩＮＡＣ运行兼容模式时分别为１．８４＊１０＾１０／ｓ和３．９＊１０＾１１／Ｓ。     

The positron distribution in a layered stack sample studied with the use of positron lifetime spectroscopy

Computer simulation using GEANT4 codes indicates an enhancement of the fraction of implanted positrons stopped in the denser regions of a layered sample. However, positron lifetime measurements performed for layers of pure aluminum, silver and gold foils do not reveal this effect, indicating instead that backscattering plays an important role in determining the positron implantation profile in layered and/or heterogeneous samples.     

Application of the zero-range potential model to positron annihilation on molecules

In this paper we use a zero-range potential (ZRP) method to model positron interaction with molecules. This allows us to investigate the effect of molecular vibrations on positron–molecule annihilation using the van der Waals dimer Kr₂ as an example. We also use the ZRP to explore positron binding to polyatomics and examine the dependence of the binding energy on the size of the molecule for alkanes. We find that a second bound state appears for a molecule with ten carbons, similar to recent experimental evidence for such a state emerging in alkanes with twelve carbons.     

调试正电子寿命谱仪能窗的一种简便方法

最近几年,恒比微分甄别器己广泛用于正电子湮没寿命谱仪中,使该装置简化到可以不用符合方式,只使用阳极引出。以往调试能窗是利用打拿极输出做能谱显示来解决。本文总结了在不用打拿极的情况下也可达到这个目的的经验。它的主要思想是:利用恒比微分甄别器(ORTEC 583)的输出随阈值或能窗的微分变化来确定511 keV康峰的边沿和选出具有最佳效率的能窗。方法的可靠性用直接显示的能谱做了检验,也用示波器测定了脉冲的幅度,     

Development of an electrostatic high-brightness slow positron beam apparatus for positron scattering experiments

A new apparatus for the study of positron scattering on gaseous target is presented. The apparatus uses electrostatic lens elements and a remoderator in a reflection geometry for the brightness enhancement. The system will provide a high quality positron beam with a small diameter and a small angular divergence, even at low energies.     

正电子湮没率的计算

用有效位势方法计算了金属中正电子的平均寿命和温度的关系,结果显示计算值与文献实验值相当吻合。这种方法还可用于计算其它固体材料中的正电子平均寿命和温度的关系。     

Distorted-wave Born approximation for the ionization of molecules by positron and electron impact

Theoretical DWBA (distorted-wave Born approximation) cross sections for the ionization of several molecules by positron and electron impact are compared. In this work we study the effect of the projectile charge sign on the ionization cross sections when positron and electron projectiles are considered. The exchange interaction effect in case of electron projectile on the cross section is also discussed.     

短半衰期正电子核素放射性药物

介绍了目前临床上应用较广的＾１１Ｃ、＾１３Ｎ、＾１５Ｏ、＾１８Ｆ等短半衰期正电子核素标记的放射性药物,特别是＾１８Ｆ和＾１１Ｃ标记的放射性药物在临床上的应用及制备途径。     

A scanning positron microscope for defect analysis in materials science

The realisation of a scanning positron microscope will be presented and discussed. A positron beam with a variable energy from 0.5 to 30 keV, with a spot diameter of 1 μm or below, can be scanned over an area of 0.6 × 0.6 mm². This beam is formed after a double stage stochastic cooling (moderation) of positrons emitted from a radioactive isotope. In addition the positron beam will be pulsed in order to have a well-defined time base for positron lifetime measurements. In the system included is a conventional scanning electron microprobe for surface analysis. The design of the scanning positron microscope is dominated by the special demands of positron physics.