近48年华东地区地面太阳总辐射变化特征和影响因子分析

利用中国最新公布的截至2008年华东地区13个站点资料,对华东地区平均的地面太阳总辐射长期变化趋势进行了分析,并讨论了该地区云、气溶胶和水汽对地面太阳总辐射变化的影响。研究表明,1961~2008年华东地区平均总辐射呈现减少趋势,减少速率为2.05 W•(m2•10yr)-1;1990年前该地区总辐射呈现出显著的下降趋势, 1990~1995年呈现快速增加趋势,但是1995~2000年再次呈下降趋势,2000年后在平均线上下波动略有增加。气溶胶、云和水汽对华东地区地面太阳总辐射的长期变化都有一定的影响,但是在不同的时段影响程度不同,在1961~1989年总辐射的减少主要归因为气溶胶的增加;而在1990~1999年和2000~2008年则是以云量的影响为主,而且低云量对地面总辐射的影响要大于总云量的影响。     

合肥地区无云晴天地表太阳短波辐射特征

利用SKYNET合肥站1999年9月至2005年8月期间285个无云晴天地面辐射收支观测资料,计算分析了合肥地区地表太阳短波辐射特征.结果表明,地表太阳短波辐射各个分量的日变化均呈上下午近似对称的倒"U"型分布,中午变化较平缓并出现最大值;漫射辐射与总辐射之比KDF呈"U"型日分布.太阳短波辐射各个分量的年最小值均出现在12月份,6月份总辐射、地表太阳短波净辐射和漫射辐射最强,7月份太阳直接辐射和地面反射的短波辐射最强但漫射辐射出现相对低谷.漫射辐射春季最强、夏季次之;太阳短波辐射其它各分量的季节变化均为夏季最强、春季次之、冬季最弱,而且冬夏差异较大.〈KDFd〉在1月份最大,7月份值最小并有明显的突变现象;其季节变化特征为夏季最小,冬季最大;其七年平均值为38.4%.     

长春地区太阳光谱辐射下限的测量

我们知道,当太阳辐射能经过大气透射到达地球表面时,由于辐射过程中受到了大气的吸收和散射,因而辐射能受到了不同程度的削弱和衰减.我们注意到,这种衰减是和太阳辐射波长密切相关的:有的波段能量衰减得很小,有的波段能量衰减得很厉害,而有的波段,特别是对人类和自然界十分有害的远紫外(<280nm)波段和部分中紫外(280nm～290nm)波段,其辐射能则几乎全部被衰减,透过率基本上为零.那么,地球上,从什么波长位置上,太阳辐射开始出现?这个     

超高总剂量辐射下SOI MOS器件特性研究

在超高总剂量辐射下,界面电荷的改变对MOS器件的阈值电压影响将越来越显著,甚至会引起NMOS的阈值电压增加,即所谓的“反弹”现象。文章研究的SOI NMOS的阈值电压并没有出现文献中所述的“反弹”,原因可能和具体的工艺有关。另外,通过工艺器件仿真和辐射试验验证,SOI器件在超高总剂量辐射后的漏电不仅仅来自于闽值电压漂移所导致的背栅甚至前栅的漏电流,而是主要来自于前栅的界面态的影响。这样,单纯的对埋层SiO2进行加固来减少总剂量辐射后埋层SiO2中的陷阱正电荷,并不能有效提高SOI MOS器件的抗超高总剂量辐射性能。     

利用STK计算卫星外表面接收的太阳直接辐射

对卫星外表面接收的太阳直接辐射进行理论分析,得出计算表达式;将卫星外部结构及尺寸参数和STK软件给出的目标卫星光照时间、卫星外表面与太阳矢量间的几何关系等参数带入计算式得到特定卫星外表面接收到的太阳直接辐射;并对计算结果进行分析.     

西藏拉萨地区太阳紫外辐射观测

利用NILU-UV紫外辐射探测仪,在2015年1月至2016年12月期间,对西藏拉萨太阳紫外辐射及其影响因子（云、臭氧等）进行观测。结果显示,观测期间紫外辐射平均日剂量为1.24 MJ?m-2?d-1,其中夏季最高,为1.57 MJ?m-2?d-1,冬季最低,为0.87 MJ?m-2?d-1。拉萨当地正午时分（05:25~06:25 UTC）平均紫外线指数为8.34,夏季平均值达到11.53,冬季为5.02。紫外线指数瞬时最大值为20.78,紫外辐射日剂量最大值为2.58 MJ?m-2,两者均出现在2016年8月。夏季拉萨云况变化复杂,出现云增强地面紫外辐射的现象。观测期间拉萨当地正午小时平均臭氧柱总量为264.2 DU,臭氧含量变化幅度不大。     

NMOS晶体管的总剂量辐射效应仿真

分析了MOS晶体管总剂量辐射效应的理论模型,并在此基础上给出了主要作用机理的仿真方法,用Sentaurus TCAD器件仿真软件对不同栅氧厚度的NMOS晶体管辐射前后的电学特性进行了模拟仿真,通过对比研究不同辐射总剂量下NMOS晶体管的I-V特性曲线,得出了NMOS晶体管阈值电压漂移与辐射总剂量的关系。与实验数据进行了对比验证,并准确计算出仿真中理论模型中的修正参数fot和K,使仿真结果和实验结果能够很好地吻合,为CMOS集成电路的总剂量辐射效应的仿真研究提供依据。     

电离总剂量辐射加固SRAM设计

在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命.针对SRAM,设计了四种TID加固的存储单元,分析对比了四个加固单元对TID,单粒子闩锁、单粒子翻转三种SRAM中常见辐射效应的抵御水平以及加固单元的面积和速度.加固SRAM单元的抗TID水平得到极大提高,同时,抗单粒子效应水平、面积、速度也达到一定的要求.这些单元可用于实现基于商用CMOS工艺并具有高抗辐射性能的SRAM.     

高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究

对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷Q_BOX和Q_FOX。Q_FOX增加了漏极附近横向电场,降低了埋氧层电场,使击穿位置由体内转到表面,导致击穿电压退化。Q_BOX降低了埋氧层电场,降低了埋氧层压降,导致击穿电压退化。     

目标表面太阳辐射特性研究

太阳作为最主要的红外辐射源,对研究目标红外辐射特性具有重要的影响.对目标表面太阳辐射特性进行了详细地分析.首先,给出了表面太阳辐射的计算方法;其次,对影响表面太阳辐射的两个重要因素--大气特征和太阳与目标相对位置进行了详细分析;最后通过实验得出了太阳辐射与太阳角、目标表面方位角和斜面倾角的关系.给目标表面红外辐射特性的研究提供了理论基础和实验依据.     

太阳辐射对管道表面发射率测量影响分析

发射率是影响管道表面散热损失一个重要物理量,其测量过程受环境影响较大,其中,太阳辐射是影响发射率测量结果的一个重要因素.本文从红外热像仪测温原理着手,根据表面辐射传输原理给出了管道表面发射率与辐射能量之间的关系,修正了测量管道表面发射率的方法,通过实验研究了太阳辐射对管道表面发射率测量的影响.结果表明太阳辐射对管道表面发射率测量影响较大,其测量偏差超过25%.     

阿克达拉与阿勒泰市PM10与气象条件的\\[0.2cm]关系分析

对2010~2014年阿克达拉大气本底站和阿勒泰市的PM10质量浓度值、温度、降水、风向风速、湿度、气压数据进行了对比分析。结果表明：阿克达拉和阿勒泰市PM10年平均质量浓度均呈上升趋势,但是本底站值上升较快。当阿克达拉的平均气温在10~20℃时,阿勒泰市的平均气温低于-10℃时, 两地PM10质量浓度处于较高污染水平。相关性分析表明阿克达拉和阿勒泰市PM10质量浓度与降水、风速均呈负相关。当PM10质量浓度处于较高污染水平, 此时阿克达拉站主导风是西北风（NW）,风频达17.1%,风速在1.8~5.7 m·s^-1之间,且风速小于1.5 m·s^-1时的风频明显比风速大于1.5 m·s^-1时的风频小很多;阿勒泰主导风是N,风频为10.6%,风速在1.3~3.3 m·s^-1之间,风速小于1.5 m·s^-1时的风频与风速大于1.5 m·s^-1时的风频相差不明显。此外,分析表明PM10浓度与湿度、气压的相关性较弱。     

光弹材料应力与红外辐射关系的实验验证

为了探究加载试件中的应力值大小与其红外辐射的关系,通过在相同实验条件下对环氧树脂三点弯曲梁分别进行了光弹性成像实验及红外辐射成像探测,并分别计算和读出光弹性实验等差线图和红外图像相同点处的应力值和灰度值.通过对实验数据的分析和比较,发现试件各研究点处的应力值与红外灰度值之间具有线性关系,应力值与等差线条纹级数之间也具有线性关系,这揭示了红外图像是可以准确反应出应力值,即人们可以利用红外来直接测量应力大小.虽然光弹和红外都可给出应力的场图,但因光弹只能用于测量透明材料,而红外的测量是不受待测材料是否为透明所影响的,这为工程中利用红外来直接测量岩石、混凝土等非透明材料中的应力分布提供了可能.     

单晶硅电池表面织构与光电特性的关系

针对在单晶硅片表面制备陷光织构可提高吸光率,但同时将导致光生伏特效应被削弱的问题,定义了电池的光学特性系数和电学特性系数,以表征电池光电特性。通过采用不同的化学制绒工艺参数,在单晶硅片表面获得不同尺寸的表面织构,分析了织构平均高度对电池光电特性和转换效率的影响规律。结果表明:随着单晶硅片表面织构平均高度的增大,单晶硅电池的光学特性系数呈现先升高再降低的规律,电学特性系数呈现逐渐减小的规律;基于中型金字塔绒织构的硅电池同时兼顾了光学特性和电学特性,得到最高的光电转换效率为19.49%。     

在非均匀水云中太阳辐射的传输

本文概述云的透过、吸收和反射数值计算的方法。该方法考虑到云中水汽和水滴吸收光谱的变化以及多次散射的影响，使用到达云顶的太阳辐射对云滴光学特性作加权平均，通过蒙特卡罗方法来模拟宽光谱间隔的太阳辐射在云内的传输。该模型对云内微物理特征的空间非均匀性作了考虑，计算结果已得到实测资料的证实。     

Power Conversion Efficiencies of Perovskite and Dye-Sensitized Solar Cells under Various Solar Radiation Intensities

Semiconductors - We present the results of a comparative study on behaviour of the photovoltaic parameters in perovskite (PSC), dye-sensitized (DSC) and crystalline silicon (c-Si) solar cells under...