CMOS射频接收机系统与电路

CMOS技术作为设计射频接收机电路的一种主要技术，正在得到广泛研究。本文首先总结了当前射频接收机的几种常用结构和主要的工作特性、参数，然后介绍了三种最新的不同结构形式的CMOS射频前端电路。     

利用CMOS技术实现高集成度射频电路

CMOS制造工艺过去主要用于数字器件，并在此市场取得绝对优势。但在强大的需求带动下，CMOS技术也不断进步，目前已能提供更高集成度、更低功率消耗和更快工作速度，其应用已经扩展到GSM／GPRS移动电话模拟射频电路领域。本文介绍两个应用于移动电话市场的射频器，及通过CMOS技术实现高集成度射频电路的发展趋势。     

用于超宽带无线通信系统的CMOS射频混频器的设计

基于射频CMOS集成电路技术,设计出用于超宽带无线通信系统的CMOS下变频器。讨论了利用电容电感网络进行窄带电路阻抗匹配和电阻网络进行宽带电路阻抗匹配的思想和方法。调用SMIC的0．25μm射频工艺库在HSPICE仿真平台上对混频器电路进行了仿真,并对输出信号进行了频谱分析,仿真了该电路的关键技术参数。模拟结果和仿真参数验证了该混频器电路的正确性和可实现性。     

小面积低功耗RFID射频前端电路设计

提出了一个适用于EPC Gen2协议的小面积低功耗RFID射频前端电路的设计方案.射频前端电路包括整流器、ASK解调器、ASK和BPSK调制器和传感器模块,射频的工作频率为860～960 MHz.基于具有不挥发存储器和肖特基二极管选项的0.35μm CMOS工艺,设计了RFID射频前端电路.采用开关电容电路技术实现了小面积低功耗RFID射频前端电路.     

小面积低功耗RFID射频前端电路设计

提出了一个适用于EPC Gen2协议的小面积低功耗RFID射频前端电路的设计方案.射频前端电路包括整流器、ASK解调器、ASK和BPSK调制器和传感器模块,射频的工作频率为860～960 MHz.基于具有不挥发存储器和肖特基二极管选项的0.35μm CMOS工艺,设计了RFID射频前端电路.采用开关电容电路技术实现了小面积低功耗RFID射频前端电路.     

小面积低功耗RFID射频前端电路设计

提出了一个适用于EPC Gen2协议的小面积低功耗RFID射频前端电路的设计方案. 射频前端电路包括整流器、ASK解调器、ASK和BPSK调制器和传感器模块，射频的工作频率为860～960MHz. 基于具有不挥发存储器和肖特基二极管选项的0.35μm CMOS工艺，设计了RFID射频前端电路. 采用开关电容电路技术实现了小面积低功耗RFID射频前端电路.     

CMOS射频集成电路：成果与展望

CMOS射频集成电路的研究和制作将大大拓展集成电路的应用空间,文章介绍了采用CMOS工艺集成射频电路研究中所取得的成果,评述了其中存在的问题,最后指出了该领域中未来的几个研究方向。     

射频电路的单片集成¹

射频电路是无线通讯中的一个关键部分,其性能的好坏将直接影响到整个系统的性能,本文介绍了用CMOS工艺实现射频电路单片集成的可能性,难点,目前的情况和前景以及最终实现射频IP（Intellectual Property)的意义。并提出了一条适合国内发展射频电路集成的途径。     

基于CMOS的RF IC的发展现状

目前，射频电路存在广阔的市场，成为无线通信领域内研究的热点之一。文章主要介绍了基于CMOS工艺的射频电路的研完现状。     

CMOS超高频整流器

提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860～960 MHz.基于0.18μm,1p6m的标准数字CMOS工艺,设计并实现了无源UHF RFID标签芯片的整流器.该设计采用开关电容电路技术动态地消除了CMOS管开启电压的问题,在标准数字CMOS工艺下实现了高效率的超高频整流器.整流器的面积为180μm×140μm.当输入900MHz,-16dBm的射频信号时,整流器的输出电压为1.2V,启动时间为980μs.