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介绍了一种新型的高性能雷达频率综合器的制作方法,即采用声表面波技术制作高性能的雷达频综器。采用这种方法成功地制造了L波段、S波段、C波段超低相位噪声超高速频率综合器。该类频综输出信号具有极低相位噪声(1.6GHz处:单边带相位噪声Lm(1kHz)=-127dBc/Hz;3.4GHz处:Lm(1kHz=-122dBc/Hz;6.8GHz处:Lm(1kHz)=-116dBc(Hz)、极短的频率切换时间(约160ns)、低杂波电平(L波段为-70dB;S波段为-65dB;C波段为-60dB)、较多频点(51点)等多项优异性能。同时,该频综通过了各项环境试验的考核,且长期工作性能稳定。 相似文献
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文章采用DDS驱动PLL的方式,实现了一种能完全覆盖Ku波段的宽带小步进低相位噪声低杂散频率合成器的设计,同时对DDS PLL频率合成器的输出特性进行了理论分析,并通过实验进行了验证.最终我们研制出了输出频率为12-18GHz的频综系统,步进为1MHz,相位噪声优于-90 dBc/Hz@10kHz,杂散优于-50dBc. 相似文献
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提出了一种小型低相噪、低杂散的C波段全相参频率综合器设计方案。基带信号由DDS芯片产生,通过对环路滤波器和电路印制板的优化设计改善相噪和杂散性能,并与PLL输出的C波段点频信号进行上变频,得到所需信号。介绍了实现原理、相位噪声模型及设计方法。测试结果表明,在7.8GHz处,频综相位噪声≤-103dBc/Hz@100kHz,杂波抑制≤-61dBc。 相似文献
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微波光子学将对未来雷达技术发展产生重要影响。微波光电振荡器是一种新颖的、有发展前途的高质量微波信号源,将是振荡器领域的革命性突破。分析了微波光电振荡器工作原理,结果表明,环路中各部件的低噪声、环路高增益和环路等效长时延是实现光电振荡器低相位噪声的有效技术路径。给出了一种双回路X波段低相位噪声光电振荡器的实验研究结果,与高性能电子频率合成器和国际先进光电振荡器进行了对比。对比结果表明,光电振荡器噪声基底较传统高性能电子频综器有极大的性能优势,而近载频相位噪声较传统高性能电子频综器的性能有待进一步提高,主要原因是光电器件的温度特性漂移较大。最后对未来的技术发展路径进行了讨论与展望。 相似文献
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提出了一种混频介质锁相的方案,对Ku波段的发射信号进行一次混频锁相得到Ku波段的本振信号,实现了本振信号与发射信号的相位同步。电路设计采用了低噪底鉴相芯片和自主设计的低相噪Ku波段介质压控振荡器(DRVCO)。结构设计中充分考虑抗振动性能,并用ANSYS软件对结构进行力学仿真,达到很好的抗振动效果,组件外形尺寸为110mm×65mm×13mm。测试结果表明,静态下该Ku波段频率源输出功率12dBm,杂波抑制比≥70dBc,相位噪声-91dBc/Hz/@1kHz,-105dBc/Hz@10kHz;振动条件下1kHz、10kHz处相位噪声恶化不超过3dB。 相似文献
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现代频率合成中的锁频环实验研究 总被引:2,自引:1,他引:1
压控振荡器(VCO)是合成器中的关键器件之一,其噪声特性直接影响合成器的相位噪声和环路动态特性。在锁相合成器中,特别是宽带合成器中,对VCO采用附加锁频环进行稳频控制,明显地优化了合成器载频中远区的相位噪声,锁频环已成为先进合成器的关键技术。该文描述了锁频环(FLL)的原理,对锁频环的环路特性和相位噪声进行了理论分析,并以C波段合成器为例,给出了常规小数锁相环和小数锁相附加锁频环的实验研究结果。实验证明锁频环对优化合成器中远区相位噪声效果明显。 相似文献
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设计了一款应用于CMMB数字电视广播接收的全集成低噪声宽带频率综合器。采用三阶ΣΔ调制器小数分频器完成高精度的频率输出,使用仅一个低相位噪声的宽带VCO输出频率范围覆盖900~1 600 MHz,产生的本振信号覆盖UHF的数字电视频段(470~790 MHz)。设计中的频率综合器能在所有的频道下保证环路的稳定以及最小的环路性能偏差。测试结果表明,整个频率综合器的带内相位噪声小于-85 dBc/Hz,并且带外相位噪声在1MHz时均小于-121 dBc/Hz,总的频率综合器锁定时间小于300μs。设计在UMC 0.18μm RFCMOS工艺下实现,芯片面积小于0.6 mm2,在1.8 V电源电压的测试条件下,总功耗小于22 mW。 相似文献
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A wideband low phase noise frequency synthesizer at X/Ku band has been developed by using phase locking and mixing technique
at half frequency of voltage controlled oscillator (VCO). The half frequency output signal of the VCO is down converted by
a balanced mixer at C band to obtain an intermediate frequency (IF) signal used for phase locking of the VCO. An ultra low
phase noise local signal source at 6 GHz is developed with a frequency multiplying chain driven by a 100 MHz oven controlled
crystal oscillator (OCXO). Coupling circuit outside the VCO chip to the mixer does not need to be specially designed, which
is beneficial to simplify the circuit scheme and improve the phase noise performance. Measurement results show that the phase
noise of the output signal at 10.6 GHz to 11.8 GHz and 12.3 GHz to 13.0 GHz is better than −102 dBc/Hz at 10 kHz away form
the carrier center. This frequency synthesizer can be used as local signal source or driving source for the development of
wideband millimeter-wave frequency synthesizer systems. 相似文献
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为了实现Ku波段直接频率综合器,该文叙述了用数字和模拟直接合成的方法产生一、二本振、各种相参时钟及发射激励信号的设计方法和关键技术措施;并给出了达到的主要技术指标、测试结果和测量方法。实验结果与理论模拟基本一致,验证了方案的可行性。 相似文献
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随着移动通信测试仪器的发展,宽带高性能频率合成器成为其设计的难点,文中利用双锁相环(PLL)结构和Σ-△小数分频技术,设计出一种高性能频率合成器。实现了2 000~4 000 MHz的频率覆盖和低于003 Hz的频率分辨率,全频段相噪均在-105 dBc/Hz@10 kHz以下。测试结果满足宽带高性能频率合成器的设计要求,具有较高的实用价值。 相似文献
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基于DDS技术的X波段频率合成器 总被引:5,自引:1,他引:4
介绍了DDS的基本原理及其杂波分布,分析了影响杂波的主要因素,提出了利用DDS技术实现X波段密跳点频率合成器的方案和实验结果。此合成器的输出信号带宽1G、跳频间隔1MHz、偏离载波1kHz处的相位噪声可达105dBc/Hz、宽带杂波抑制优于60dB,具有宽带宽、低相噪、高杂波抑制,小步进等特点。 相似文献
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A frequency synthesizer for the ultra-wide band(UWB)group # 1 is proposed.The synthesizer uses a phase locked loop(PLL)and single-sideband(SSB)mixers to generate the three center frequencies of the first band group by mixing 4224 MHz with ±264 MHz and 792 MHz,respectively.A novel multi-QSSB mixer is designed to combine the function of frequency selection and frequency conversion for low power and high linearity.The synthesizer is fabricated in Jazz 0.18-μm RF CMOS technology.The measured reference spur is as low as-69 dBc and the maximum spur is the LO leakage of-32 dBc.A low phase noise of-110 dBc/Hz @ 1 MHz offset and an integrated phase noise of 1.86°are achieved.The hopping time between different bands is less than 1.8 ns.The synthesizer consumes 30 mA from a1.8 V supply. 相似文献