反应离子刻蚀引起的多晶硅过腐蚀中SiO_2和SiO_2－Si界面的损伤

反应离子刻蚀引起的多晶硅过腐蚀中ＳｉＯ＿２和ＳｉＯ＿２－Ｓｉ界面的损伤＝ＲｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｉｎｄｕｃｅｄｄａｍａｇｅｔｏＳｉＯ＿２ａｎｄＳｉＯ＿２－ＳｉｉｎｔｅｒｆａｃｅｉｎｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｏｖｅｒｅｔｃｈ［刊，英...     

热氮化对SiO_2／Si界面辐照加固强度的影响

热氮化对ＳｉＯ＿２／Ｓｉ界面辐照加固强度的影响＝Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｔｈｅｒｍａｌｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎｏｎｔｈｅｒａｄｉａ－ｔｉｏｎｈａｒｄｎｅｓｓｏｆｔｈｅＳｉＯ＿２／Ｓｉｉｎｔｅｒｆａｃｅ［刊．英］／ｄｅ－ｃａｓｔｒｏ，Ａ．Ｊ．…∥Ｊ．Ａｐｐｌ．...     

采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀SiO_2的干法光刻

采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀ＳｉＯ＿２的干法光刻ＤｒｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｕｓｉｎｇｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆＳｉＯ＿２［刊，英］／Ｃｈｏｑｕｅｔｔｅ，Ｋ．Ｄ．…　∥Ａｐｐ...     

磁增强或者常规反作用离子刻蚀曝光SiO_2／p－Si结构中硅衬底的电特性

磁增强或者常规反作用离子刻蚀曝光ＳｉＯ＿２／ｐ－Ｓｉ结构中硅衬底的电特性＝Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｈａｒ－ａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｉｎｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙｅｎ－ｈａｎｃｅｄｏｒｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌｒｆａｃｔｉｖｅ...     

带液相淀积SiO_2栅绝缘体的低温处理多晶硅薄膜晶体管的性能和关态电流机理

带液相淀积ＳｉＯ＿２栅绝缘体的低温处理多晶硅薄膜晶体管的性能和关态电流机理＝ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅａｎｄＯｆｆ－ｓｔａｔｅｃｕｒｒｅｎｔｍｅｃｈａｎｉｓｍｓｏｆｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａ－ｔｕｒｅｐｒｏｃｅｓｓｅｄｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎｔｈｉｎ－ｆｉｌｍ...     

NH_3－氮化N_2O~－生长氧化物的MOS特性

ＮＨ＿３－氮化Ｎ＿２Ｏ￣－生长氧化物的ＭＯＳ特性＝ＭＯＳｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＮＨ＿３ｎｉｔｒｉｄｅｄＮ＿２Ｏ￣－ｇｒｏｗｎｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｙｏｏｎ，Ｇ，Ｗ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３，１...     

CHF_3／O_2接触腐蚀过程中的氢渗透

ＣＨＦ＿３／Ｏ＿２接触腐蚀过程中的氢渗透＝Ｓｉ缺陷形成及其相互影响＝Ｈｙｄｒｏｇｅｎｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ，Ｓｉｄｅｆｅｃｔｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ，ａｎｄｔｈｅｉｒｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｄｕｒｉｎｇＣＨＦ＿３／Ｏ＿２ｃｏｎｔａｃｔｅｔｃｈｉｎｇ［刊，英］...     

钨在SF_6／O_2射频等离子中的反应离子刻蚀动力学研究

钨在ＳＦ＿６／Ｏ＿２射频等离子中的反应离子刻蚀动力学研究＝ＡｋｉｎｅｔｉｃｓｔｕｄｙｏｆｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆｔｕｎｇｓｔｅｎｉｎＳＦ＿６／Ｏ＿２ＲＦｐｌａｓｍａｓ［刊，英］／Ｐｅｉｇｎｏｍ，Ｍ．Ｃ．…／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ...     

A Study on The Optical Properties of InAs Microcrystallites Embedded in SiO_2 Glass Matrix

ＡＳｔｕｄｙｏｎＴｈｅＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＩｎＡｓＭｉｃｒｏｃｒｙｓｔａｌｉｔｅｓＥｍｂｅｄｄｅｄｉｎＳｉＯ２ＧｌａｓＭａｔｒｉｘＪ．Ｚ．ＳｈｉＬ．Ｄ．Ｚｈａｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ，Ａｃａｄｅ...     

双基极Si／Si_（1－x）Ge_x／Si异质结双极晶体管的电特性

双基极Ｓｉ／Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘ／Ｓｉ异质结双极晶体管的电特性＝Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｄｏｕｂｌｅ－ｂａｓｅＳｉ／Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘ／Ｓｉｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓ－ｔｏｒｓ［刊...     

Research on the Passivation Function of Si＿3N＿4 Film to YBCO Superconducting Film

ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎｔｈｅＰａｓｓｉｖａｔｉｏｎＦｕｎｃｔｉｏｎｏｆＳｉ＿３Ｎ＿４ＦｉｌｍｔｏＹＢＣＯＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＦｉｌｍＺｈａｎｇＹｕｔｉａｎ；ＪｉｎＢｏＡＮＤＱｉａｎＰｉｎｇｋａｉ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄＳｃｉｅ...     

新型陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、ＡＰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ）、ＡＷ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）和Ｊｘ－１（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ⅰ具有较高的抗弯强度（σ＿（ｂｂ））和断裂韧性Ｋ＿（Ｉｃ）；研究结果表明，在ＪＸ－２－Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。     

Si／Ge_xSi_（1－x）结构中的高分辨率反应离子刻蚀及损伤

Ｓｉ／Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）结构中的高分辨率反应离子刻蚀及损伤＝Ｈｉｇｈ－ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇａｎｄｄａｍａｇｅｅｆｆｅｃｔｓｉｎｔｈｅＳｉ／Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）ｓｙｓｔｅｍ［刊，英］／Ｃｈｅ－ｕｎｇ．Ｒ．…...     

采用BF_2注入基区加快速热处理工艺的30GHzf_T亚微米双层多晶硅双极技术的工艺和器件特性表征

采用ＢＦ＿２注入基区加快速热处理工艺的３０ＧＨｚｆ＿Ｔ亚微米双层多晶硅双极技术的工艺和器件特性表征＝ｐｒｏｃｅｓｓａｎｄｄｅｖｉｃｅｃｈａｒａｃｔｅｒｌｚａｔｉｏｎｆｏｒａ３０－ＧＨｚｆ＿Ｔｓｕｂｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒｄｏｕｂｌｅｐｏｌｙ－Ｓｉｂｉｐｏ...     

用低压化学汽相淀积制备TiO_2薄膜

用低压化学汽相淀积制备ＴｉＯ＿２薄膜＝ＴｈｉｎＴｉＯ＿２ｆｉｌｍｓｐｒｅｐａｒｅｄｂｙｌｏｗｐｒｅｓｓｕｒｅｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［刊，英］／Ｒａｕｓｃｈ，Ｎ．…Ｊ．Ｅｌｅｃ－ｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．－１９９３，１４０（１）．...     

Surface Crystals of Liquid Alkanes

ＳｕｒｆａｃｅＣｒｙｓｔａｌｓｏｆＬｉｑｕｉｄＡｌｋａｎｅｓＸ．Ｚ．Ｗｕ１，２Ｂ．Ｍ．Ｏｃｋｏ３Ｅ．Ｂ．Ｓｉｒｏｔａ４Ｓ．Ｋ．Ｓｉｎｈａ５Ｏ．Ｇａｎｇ６Ｍ．Ｄｅｕｔｓｃｈ６（１．ＰｈｙｓｉｃｓＤｅｐｔ．，ＮｏｒｔｈｅｒｎＩｌｉｎｏｉｓＵｎｉｖｅｒｓｉ...     

硅化物／变形Si_（1－x）Ge_x肖特基势垒红外检波器

硅化物／变形Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘ肖特基势垒红外检波器＝Ｓｉｌｉｃｉｄｅ／ｓｔｒａｉｎｅｄＳｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘｓｃｈｏｔｔｋｙ－ｂａｒｒｉｅｒｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｓ［刊，英］／Ｘｉａｏ，Ｘ，…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃ...     

KNbO_3：Rb光折变晶体中的电子－空穴竞争

ＫＮｂＯ＿３：Ｒｂ光折变晶体中的电子－空穴竞争张治国ＤｉｎｇＹＥｉｃｈｌｅｒＨＪ（ＯｐｔｉｃａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＴｅｃｈｎｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＢｅｒｌｉｎ，Ｓｉｒ．ｄｅｓ１７．Ｊｕｎｉ１３５，１０６２３Ｂｅｒｌｉｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ）傅...     

双掺杂的KNbO_3光折变晶体响应时间的提高

双掺杂的ＫＮｂＯ＿３光折变晶体响应时间的提高张治国ＤｉｎｇＹＥｉｃｈｌｅｒＨＪ（ＯｐｔｉｃａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＴｅｃｈｎｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＢｅｒｌｉｎ，Ｓｔｒ．ｄｅｓ１７．Ｊｕｎｉ１３５，１０６２３Ｂｅｒｌｉｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ）殷爱...     

新型复相陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ的界面结构及其对材料性能的影响

本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料Ｊｘ－２－Ⅰ的界面结构，结果表明，在Ｊｘ－２－Ⅰ中Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构；发现在ＳｉＣｗ、ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３上有孪晶产生；分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ⅰ材料的整体性能。