测量薄膜材料n、h、d的简易方法及其在低温测量中的应用

介绍了一种测定薄膜材料光学常数的简易方法，它的最大优点是只需要知道薄膜材料的透射光谱。薄膜的光学常数和厚度测量精度优于1％，并给出了PbTe、ZnSe薄膜在室温及低温下的折射率。     

石墨烯薄膜的制备及其在电子材料中的应用

阐述石墨烯薄膜制备技术的特点,包括微机械剥离、金属表面沉积、液相剥离、化学气相沉积技术,探讨石墨烯薄膜在高频电子器件、集成电路、光电探测器、光调制器、透明导电材料中的应用。     

测量薄膜材料n、k、d的一种简单方法

本文介绍一种测定薄膜材料光学参数的简单方法,该方法根据透过率极值与n、k、d之间的关系算出n、k、d值。用小型机算机很容易实现这个计算。     

氧化锌薄膜材料在SAW元件中的应用

本文评述ＺｎＯ（氧化锌）薄膜材料在ＳＡＷ（声波）元件中的应用，主要涉及ＺｎＯ薄膜材料的特性，制备技术，在ＳＡＷ元件中的应用举例，并介绍ＺｎＯ薄膜研制和进展以及发展动向。     

柔性复合压电薄膜材料的应用

柔性复合压电薄膜材料的应用魏道兴（成都宏明电子实业总公司成都６１００５８）由于柔性复合压电薄膜具有高的水声传感灵敏度、高的机电耦合、低的声阻抗和具有优良的柔顺性，可制成面积大及形状复杂的制品。同时膜表面可淀积金属化层，用光刻法在膜层上制成接收极和发射...     

ZnSe/SiO2薄膜光学常数的椭偏光谱测量

采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜。X-射线衍射(XRD)分析表明,ZnSe/SiO2复合薄膜中ZnSe晶体为闪锌矿(立方ZnS)。利用椭偏光谱仪测量了不同ZnSe含量的ZnSe/SiO2复合薄膜的椭偏参数Δ与波长λ的色散关系,采用Maxwell-Garnett(MG)有效介质理论对薄膜的光学常数、厚度、气孔率、ZnSe的浓度进行了计算。结果表明,单层ZnSe/SiO2薄膜厚度在300 nm以上时,随着溶胶体系Zn2 、SeO42-浓度的增加而增大,气孔率在30%左右,ZnSe含量约为溶胶体系中Zn2 、SeO42-浓度的1/2;通过MG有效介质理论的计算表明,可以通过调整旋涂次数及Zn2 、SeO42-浓度来调整薄膜的厚度和ZnSe/SiO2的摩尔比率,可在工艺上控制ZnSe/SiO2复合薄膜光学参数。     

低温生长ITO薄膜及其在太阳电池中的应用

氧化铟锡(ITO)同时结合了可见光范围内高透过率和高电导率等特性,被广泛应用于Si基薄膜太阳电池中。本文侧重研究了采用反应热蒸发(RTE)技术低温(约160℃)生长ITO透明导电薄膜过程中不同Sn掺杂含量对薄膜微观结构以及光电性能的影响。实验结果表明,随着Sn掺杂含量的增加,ITO薄膜微观结构稍有变化,薄膜的电子迁移率呈现先增大后减小的趋势,薄膜的光学带隙一定程度上呈现展宽趋势;对于较高的Sn掺杂含量,在低温条件下电离杂质散射和中性杂质散射成为影响电子迁移率降低的重要因素。经过薄膜生长优化,较佳的Sn掺杂含量为6.0wt.%,ITO薄膜电阻率为3.74×10-4Ω·cm,电子迁移率为47cm2/Vs,载流子浓度为3.71×1020cm-3,且在380~900nm波长范围内的平均透过率约87%。将其应用于结构为SS/Ag/ZnO/nip aSiGe:H/nipa-Si:H/ITO/Al的n-i-p型a-Si:H/a-SiGe:H叠层太阳电池,取得的光电转化效率达10.51%(开路电压Voc=1.66V,短路电流密度Jsc=9.31mA/cm2,填充因子FF=0.68)。     

深紫外/紫外薄膜材料的光学常数研究

为了进一步明确氟化薄膜材料在深紫外-紫外波段(DUV-UV)的光学常数,研究了深紫外-紫外波段常用的6种大带隙的氟化物薄膜材料,分别在熔石英(JGS1)基底和氟化镁单晶基底上用热舟蒸发镀制了3种高折射率材料薄膜LaF3,NdF3,GdF3和3种低折射率材料薄膜MgF2,AlF3,Na3AlF6;用商用Lambda900光谱仪测量了它们在190～500 nm范围的透射率光谱曲线;用包络法和迭代算法相结合研究了它们的折射率和消光系数,由柯西色散公式和指数色散公式对得到的离散折射率和消光系数的值用最小二乘法进行曲线拟合,得到了6种薄膜材料在所测波段内的折射率和消光系数的色散公式和色散曲线.所得结果与文献报道的MgFz和LaF3的结果相一致,证明了结果的可靠性.     

亚波长薄膜堆栈超构材料：理论及应用

亚波长薄膜堆栈超构材料,作为超构材料领域一个特殊的组成部分,因其具有亚波长厚度、无需复杂光刻加工以及可低成本大面积制备等诸多优点,吸引了人们越来越多的关注。本文聚焦回顾近些年亚波长薄膜堆栈超构材料相关研究进展,首先简要回顾了多层薄膜堆栈体系的基础理论研究方法,侧重介绍了亚波长薄膜堆栈超构材料的新理论新设计;接着,着重介绍了基于亚波长薄膜堆栈超构材料的若干典型应用,具体包括结构色调控、光致发光增强、窄带红外光源、红外伪装以及其他一些有趣应用;最后,探讨并展望了亚波长薄膜堆栈超构材料领域未来的发展方向以及其可能遇到的问题挑战。     

铁电薄膜材料及其制备技术的发展

综述了铁电薄膜材料及铁电薄膜制备技术的发展概况。阐述了几种典型铁电薄膜材料及主要制备技术的特点。     

射频微波等离子体CVD法制备薄膜材料及其应用

低温沉积薄膜技术是发展微电子学器件和光电子学器件的关键工艺。射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR PCVD)技术都是能在低温或常温下制备各类优质薄膜的最新镀膜工艺。本文叙述采用这些技术沉积几种绝缘薄膜材料的制法、性能及其在半导体器件中的应用。     

薄膜材料与薄膜技术的发展动向

综述了最近几年薄膜技术，特别是几种新型薄膜材料的发展动向。     

低温ITO薄膜制备及其在TOLED中的应用

通过在直流磁控溅射过程中加入微量水蒸气的方法,在低于60℃温度条件下制备了具有优良光电性能的透明导电ITO薄膜,并探讨了溅射功率、基板温度对ITO薄膜光电性能的影响.利用制得的ITO薄膜作电极,制作了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/BCP/Mg:Ag/ITO的透明有机电致发光器件(TOLEDs),结果表明,器件的平均透过率达到45%;在驱动电压15 V的条件下,发光亮度达到了3000 cd/m2.     

测量低损耗薄膜材料介电常数的标量法

依据被测介质性质,在现有实验设备条件下,提出了一种标量法测量低损耗薄膜介质介电常数的新方法.该方法利用传输线法测量原理,先测量待测介质损耗,间接得到反射系数,由反射系数与介电常数关系式,推导得出待测介质的介电常数.该方法有样品容易制作,测量简单准确等特点.通过测量实例的误差分析,指出标量法测量薄膜材料介电常数的不足,提出相应的改进措施.     

光波导用TiO2/SiO2复合薄膜的制备及其性能研究

用离子自组装成膜技术制备了用作光波导器件的TiO2／SiO2复合薄膜，介绍了薄膜光学常数的测定方法，并研究了光波导的波导特性．结果表明随着TiO2含量的增大，光波导的折射率增加；但同时光波导损耗也将发生变化，一般TiO2占10％时，薄膜的波导损耗较低．在更高的含量范围内，必须使TiO2分散．     

组合薄膜材料在导弹雷达隐身及抗电磁干扰中的应用

目前世界范围内正经历一场军事革命,即改变传统的认为军事力量主要是军舰、坦克、飞机的概念,而强调信息技术所提供的军事威力.把重点转向如何观察战场、如何传递战场情报,如何应用精确武器打击目标.导致这场军事革命的关键因素是因为信息技术以及精确制导武器技术发展到了前所未有的高度.2 雷达隐身和抗干扰是电子战的重要内容2.1 信息技术是一个复杂的多层次多专业的技术体系以信息优势为核心的军事革命是建筑在先进的指挥、控制、通信、计算机、监视、侦察     

用椭偏法研究掺磷a-Si:H薄膜的光学特性

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了磷掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜.分别以50°和70°为入射角,测试了样品在300～1000nm波长的椭偏光谱,得到了其膜厚和光学常数谱(折射率和消光系数随波长变化谱),并应用Tauc作图法推算出了薄膜的光学带隙.     

薄膜应力对薄膜测量和使用的影响

基片在薄膜应力作用下产生宏观弯曲变形,使入射光线的入射角在基片不同位置产生偏差。根据空问两直线夹角公式,计算了入射光线在曲面上任意一点的入射角,得出同一入射方向的光线在曲面不同点具有不同的入射角,即产生入射角度偏差,偏差大小与基片弯曲曲率半径成反比和入射点位置成正比。进而分析了角度偏差对光谱的影响。实验结果表明,离参考点位置越远,波长偏差越大;角度越大,耦合效率越低。实验结果与理论分析一致。