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采用多层膜工艺制备了0.84(K0.48Na0.52)NbO3-0.16K0.56Li0.38NbO2.97无铅压电陶瓷,研究了不同烧结温度和保温时间对陶瓷的密度、物相、微观形貌以及介电和压电性能的影响。结果表明,所有烧结条件下得到的陶瓷都是钙钛矿结构和少量钨青铜结构的混合相,而且室温下陶瓷都处于多型相变区域。1050℃烧结8 min得到的陶瓷断面晶粒均匀,相对密度达到95%以上,并且获得最优的介电和压电性能:介电常数为εr=618,介电损耗为tanδ=0.03,压电常数为d33=112 pC/N。与传统制备工艺相比,多层膜工艺大大降低了烧结温度,缩短了烧结时间,有效地抑制了K、Na的挥发。 相似文献
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为了在获得较高压电性能的同时又不大大降低陶瓷的居里温度(TC), 设计和制备了Bi0.45Nd0.05(Na0.92Li0.08)0.5ZrO3改性的K0.48Na0.52NbO3系无铅压电陶瓷((1-x)KNN-xBNNLZ), 研究了BNNLZ含量对KNN基无铅压电陶瓷相结构和电学性能的影响。研究结果表明, 所有陶瓷样品均具有较高的居里温度TC(>300℃)。随着BNNLZ含量的增加, 陶瓷的正交-四方相变温度(TO-T)不断向低温方向移动, 而三方-正交相变温度(TR-O)不断向高温方向移动, 最终在陶瓷中形成了三方-四方(R-T)共存相, R-T共存相处于0.05<x<0.07范围。BNNLZ的加入引起陶瓷相结构的演化改变导致压电常数(d33 )、介电常数(εr )、剩余极化强度 (Pr )和机电耦合系数(kp )都先增大后减小, 当x=0.06时陶瓷具有最佳压电性能: d33=313 pC/N, kp=42%, Pr=25.48 μC/cm2, εr=1353, tanδ=2.5%, TC=327℃。 相似文献
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